一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺制造技术

本发明专利技术提供一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，包括以下步骤：(a)、提供硅片，在硅片上表面形成RDL和焊盘；(b)、在硅片下表面形成RDL和焊盘，拆临时键合得到转接板；(c)、提供第一电路板，在第一电路板的一面设置焊盘，另一面设置焊球，将焊球进行压扁处理，得到第二电路板；(d)、将第二电路板和转接板焊接在第一PCB板的空腔内，得到第二PCB板；(e)、提供芯片，将芯片焊接在第二PCB板上方形成导通结构。本发明专利技术的转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，通过形成带互联线的转接板，将电路板贴在转接板上使转接板有足够的面积容纳焊接点，芯片和转接板焊接，转接板与PCB焊接，减小PCB板的面积。

【技术实现步骤摘要】
一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺。
技术介绍
电子半导体行业发展迅速，随着5nm工艺制程的普及，人工智能芯片和微处理器芯片的尺寸越来越小，但是芯片的互联PAD却越来越多，为了使芯片能够跟PCB板做互联，传统的封装方式一般是采用FAN-OUT的方式或者转接板扇出的方式来进行焊接，把密集的PAD通过互联线扇出到面积更大的区域，然后通过BGA焊球或者LGA引脚跟PCB板固定。但是这种互联工艺只考虑到把芯片的焊脚做了再分布，却没有考虑到BGA或者LGA在PCB板上占的面积却几乎没有变化，而伴随着芯片的尺寸变小，终端同样面临相似的趋势，要么终端直接微型化，或者终端上的芯片更密集，功能更全，这就要求芯片在终端PCB上的焊接面积不能太大，很明显现在的扇出工艺不能解决这个问题，同时因为现有芯片普遍厚度不超过400um，而PCB板可以达到几个毫米的厚度，还有较大可利用空间，因此只是用芯片侧壁做互联，能节省的面积有限。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n(a)、提供硅片，在硅片上表面形成多个TSV孔，在硅片上表面形成第一钝化层，在第一钝化层上形成至少一层种子层，在种子层上电镀金属，使金属充满TSV孔，抛光去除硅片上表面金属，在硅片上表面形成RDL和焊盘；/n(b)、在硅片上表面临时键合载片，将硅片下表面做减薄处理，使得第一TSV孔的金属在硅片下表面露出，在硅片下表面形成第二钝化层，在硅片下表面形成RDL和焊盘，拆临时键合得到转接板；/n(c)、提供第一电路板，在第一电路板的一面设置焊盘，另一面设置焊球，将焊球进行压扁处理，得到第二电路板；/n(d)、提供带有空腔的第一PC...

【技术特征摘要】
1.一种转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(a)、提供硅片，在硅片上表面形成多个TSV孔，在硅片上表面形成第一钝化层，在第一钝化层上形成至少一层种子层，在种子层上电镀金属，使金属充满TSV孔，抛光去除硅片上表面金属，在硅片上表面形成RDL和焊盘；
(b)、在硅片上表面临时键合载片，将硅片下表面做减薄处理，使得第一TSV孔的金属在硅片下表面露出，在硅片下表面形成第二钝化层，在硅片下表面形成RDL和焊盘，拆临时键合得到转接板；
(c)、提供第一电路板，在第一电路板的一面设置焊盘，另一面设置焊球，将焊球进行压扁处理，得到第二电路板；
(d)、提供带有空腔的第一PCB板，将第二电路板和转接板焊接在PCB板的空腔内，得到第二PCB板；
(e)、提供芯片，将芯片焊接在第二PCB板上方形成导通结构。


2.如权利要求1所述的转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，其特征在于，所述步骤（a）TSV孔的直径范围为1um～1000um，深度为10um～1000um。


3.如权利要求1所述的转接板侧壁互联射频模组的互联工艺，其特征在于，所述第一钝化层、第二钝化层的材质均为氧化硅或氮化硅，厚度均为0.01um～100um；所述种子层材质选自钛、铜、铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，黄雷，高群，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33