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一种射频模组超薄堆叠工艺制造技术
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下载一种射频模组超薄堆叠工艺的技术资料
文档序号:26423037
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本发明提供一种射频模组超薄堆叠工艺,包括:(a)、提供第一硅片,在第一硅片上刻蚀TSV孔,金属充满TSV孔;(b)、在第一硅片上临时键合载片,将第一硅片做减薄处理;(c)、第一硅片刻蚀第一凹槽,嵌入芯片,拆临时键合得到芯片嵌入结构;(d)、...
该专利属于浙江集迈科微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江集迈科微电子有限公司授权不得商用。
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