全波整流芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种全波整流芯片的封装结构，包括四个二极管芯片、2个第一引线条和2个第二引线条，所述第二引线条的焊接部和直流引脚部之间具有一第二折弯部，一环氧封装体包覆于四个二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上，所述四个二极管芯片分别位于2个第一引线条的4个支撑部与2个第二引线条的4个焊接部之间；所述支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板，所述焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板，所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间。本实用新型专利技术全波整流芯片的封装结构有利于芯片热量的扩散，减少了热阻，改善了器件的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
全波整流芯片的封装结构
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种全波整流芯片的封装结构。
技术介绍
整流桥堆器件产品结构是四个PN结二极管芯片中的二个芯片的P极和二个芯片的N极置于连接框架上，用二个形状相同的桥接片分别桥接二个极性不同的二极管芯片和输入端的连接框架，随着产品线路板小型化的发展趋势，要求贴片式桥堆整流器在满足小体积的前提下，同时实现大功率，现有的整流桥堆器件大多采用搭线式结构，其引脚采用“Z”字型引脚结构，但是这种结构存在容易焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，从而影响器件的使用寿命。如何克服上述技术问题成为本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种全波整流芯片的封装结构，该全波整流芯片的封装结构有利于芯片热量的扩散，减少了热阻，改善了器件的散热性能。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种全波整流芯片的封装结构，包括四个二极管芯片、2个第一引线条和2个第二引线条，所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和第一引脚部，每个第一引线条的支撑部数目为2个，所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部，所述第二引线条的上端和下端分别为焊接部和第二引脚部，每个第二引线条的焊接部数目为2个，所述第二引线条的焊接部和第二引脚部之间具有一第二折弯部，一环氧封装体包覆于四个二极管芯片、第一引线条的支撑部和第二引线条的焊接部上，所述四个二极管芯片分别位于2个第一引线条的4个支撑部与2个第二引线条的4个焊接部之间；所述第一引线条的每个支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的每个焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第二翻边部；所述支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板，所述焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板，所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间。上述技术方案中进一步改进的方案如下：1.上述方案中，所述第一引线条的第一引脚部作为全波整流芯片的封装结构的正极输入端。2.上述方案中，所述第二引线条的第二引脚部作为全波整流芯片的封装结构的负极输入端。3.上述方案中，所述第一引线条的至少2个第一通孔对称设置，所述第二引线条的至少2个第二通孔对称设置。由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：1、本技术全波整流芯片的封装结构，其第一引线条的支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板，所述第二引线条的焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板，所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间，有利于芯片热量的扩散，减少了热阻，改善了器件的散热性能。2、本技术全波整流芯片的封装结构，其第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔，此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部，所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第二翻边部，避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低，大大改善了引线条的支撑部和焊接部与二极管芯片电性接触性能和平整度，从而提高了器件的使用寿命；还有，其引线条的通孔边缘具有翻边部，有利于进一步降低接触电阻，从而进一步提高了器件的稳定性。附图说明附图1为本技术全波整流芯片的封装结构立体结构示意图；附图2为本技术全波整流芯片的内部侧视结构示意图；附图3为附图2的局部结构示意图。以上附图中：1、二极管芯片；2、第一引线条；21、支撑部；22、第一引脚部；23、第一折弯部；3、第二引线条；31、焊接部；32、第二引脚部；33、第二折弯部；4、环氧封装体；5、第一通孔；6、第一翻边部；7、第二通孔；8、第二翻边部；9、焊锡层；10、上侧板；11、下侧板。具体实施方式实施例1：一种全波整流芯片的封装结构，包括四个二极管芯片1、2个第一引线条2和2个第二引线条3，所述第一引线条2的上端和下端分别为支撑部21和第一引脚部22，每个第一引线条2的支撑部21数目为2个，所述第一引线条2的支撑部21和第一引脚部22之间具有一第一折弯部23，所述第二引线条3的上端和下端分别为焊接部31和第二引脚部32，每个第二引线条3的焊接部31数目为2个，所述第二引线条3的焊接部31和第二引脚部32之间具有一第二折弯部33，一环氧封装体4包覆于四个二极管芯片1、第一引线条2的支撑部21和第二引线条3的焊接部31上，所述四个二极管芯片1分别位于2个第一引线条2的4个支撑部21与2个第二引线条3的4个焊接部31之间；所述第一引线条2的每个支撑部21的边缘开有至少2个第一通孔5，此第一通孔5的边缘具有与二极管芯片1相背的第一翻边部6，所述第二引线条3的每个焊接部31的边缘开有至少2个第二通孔7，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片1相背的第二翻边部8；所述支撑部21与第一折弯部23相背的一端具有一向上折弯的上侧板10，所述焊接部31与第二折弯部33相背的一端具有一向下折弯的下侧板11，所述二极管芯片1位于上侧板10和下侧板11之间。上述第一引线条2的第一引脚部22作为全波整流芯片的封装结构的正极输入端。上述第二引线条3的第二引脚部32作为全波整流芯片的封装结构的负极输入端。实施例2：一种全波整流芯片的封装结构，包括四个二极管芯片1、2个第一引线条2和2个第二引线条3，所述第一引线条2的上端和下端分别为支撑部21和第一引脚部22，每个第一引线条2的支撑部21数目为2个，所述第一引线条2的支撑部21和第一引脚部22之间具有一第一折弯部23，所述第二引线条3的上端和下端分别为焊接部31和第二引脚部32，每个第二引线条3的焊接部31数目为2个，所述第二引线条3的焊接部31和第二引脚部32之间具有一第二折弯部33，一环氧封装体4包覆于四个二极管芯片1、第一引线条2的支撑部21和第二引线条3的焊接部31上，所述四个二极管芯片1分别位于2个第一引线条2的4个支撑部21与2个第二引线条3的4个焊接部31之间；所述第一引线条2的每个支撑部21的边缘开有至少2个第一通孔5，此第一通孔5的边缘具有与二极管芯片1相背的第一翻边部6，所述第二引线条3的每个焊接部31的边缘开有至少2个第二通孔7，此第二通孔的边缘具有与二极管芯片1相背的第二翻边部8；所述支撑部21与第一折弯部23相背的一端具有一向上折弯的上侧板10，所述焊接部31与第二折弯部33相背的一端具有一向下折弯的下侧板11，所述二极管芯片1位于上侧板10和下侧板11之间。上述第一引线条2的至少2个第一通孔5对称设置，所述第二引线条3的至少2个第二通孔7对称设置。采用上述全波整流芯片的封装结构时，其第一引线条的支撑部与第一折弯部相背的一端具有一向上折弯的上侧板，所述第二引线条的焊接部与第二折弯部相背的一端具有一向下折弯的下侧板，所述二极管芯片位于上侧板和下侧板之间，有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全波整流芯片的封装结构，其特征在于：包括四个二极管芯片（1）、2个第一引线条（2）和2个第二引线条（3），所述第一引线条（2）的上端和下端分别为支撑部（21）和第一引脚部（22），每个第一引线条（2）的支撑部（21）数目为2个，所述第一引线条（2）的支撑部（21）和第一引脚部（22）之间具有一第一折弯部（23），所述第二引线条（3）的上端和下端分别为焊接部（31）和第二引脚部（32），每个第二引线条（3）的焊接部（31）数目为2个，所述第二引线条（3）的焊接部（31）和第二引脚部（32）之间具有一第二折弯部（33），一环氧封装体（4）包覆于四个二极管芯片（1）、第一引线条（2）的支撑部（21）和第二引线条（3）的焊接部（31）上，所述四个二极管芯片（1）分别位于2个第一引线条（2）的4个支撑部（21）与2个第二引线条（3）的4个焊接部（31）之间；/n所述第一引线条（2）的每个支撑部（21）的边缘开有至少2个第一通孔（5），此第一通孔（5）的边缘具有与二极管芯片（1）相背的第一翻边部（6），所述第二引线条（3）的每个焊接部（31）的边缘开有至少2个第二通孔（7），此第二通孔的边缘具有与二极管芯片（1）相背的第二翻边部（8）；/n所述支撑部（21）与第一折弯部（23）相背的一端具有一向上折弯的上侧板（10），所述焊接部（31）与第二折弯部（33）相背的一端具有一向下折弯的下侧板（11），所述二极管芯片（1）位于上侧板（10）和下侧板（11）之间。/n...

【技术特征摘要】
1.一种全波整流芯片的封装结构，其特征在于：包括四个二极管芯片（1）、2个第一引线条（2）和2个第二引线条（3），所述第一引线条（2）的上端和下端分别为支撑部（21）和第一引脚部（22），每个第一引线条（2）的支撑部（21）数目为2个，所述第一引线条（2）的支撑部（21）和第一引脚部（22）之间具有一第一折弯部（23），所述第二引线条（3）的上端和下端分别为焊接部（31）和第二引脚部（32），每个第二引线条（3）的焊接部（31）数目为2个，所述第二引线条（3）的焊接部（31）和第二引脚部（32）之间具有一第二折弯部（33），一环氧封装体（4）包覆于四个二极管芯片（1）、第一引线条（2）的支撑部（21）和第二引线条（3）的焊接部（31）上，所述四个二极管芯片（1）分别位于2个第一引线条（2）的4个支撑部（21）与2个第二引线条（3）的4个焊接部（31）之间；
所述第一引线条（2）的每个支撑部（21）的边缘开有至少2个第一通孔（5），此第一通孔（5）的边缘具有与二极管芯片（1）相背的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐兴军，王亚，
申请(专利权)人：苏州兴锝电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32