本实用新型专利技术公开了一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，包括原件主体、连接块和支脚，所述连接块与支脚之间设置有调节结构，所述调节结构包括放置槽、连接杆、移动杆、移动块、弹簧、第一滑槽、转动杆和第二滑槽，所述连接块内部开设有支脚配合的放置槽。该超高温防辐射SIC材料MOSFET原件即可通过连接杆使得支脚可以在连接块上转动，从而使得支脚的角度可以调节安装时再将连接块与支脚焊接即可，解决了现有的MOSFET原件安装时支脚的角度无法调节的问题，避免因多次拨动导致支脚折断，提高了MOSFET原件的实用性，解决了现有的MOSFET原件在安装时焊接处容易相连的问题，提高了MOSFET原件安装时的便捷性，降低了操作人员的工作难度。
【技术实现步骤摘要】
一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件
本技术属于MOSFET原件
，具体涉及一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件。
技术介绍
MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，随着科技的发展MOSFET原件液迅速发展。现有的MOSFET原件在使用时原件主体一般通过支脚与外接器件连接，但是由于在连接时的器件不同，可能需要拨动支脚，使得支脚能够较好的与外接器件的，但是由于现有的支脚与原件主体一般是固定连接的，调节较为不便，在直接拨动时可能会导致支脚断裂，降低了原件的实用性。现有的MOSFET原件在使用时，一般都是直接通过支脚与外接器件的支脚焊接固定，在焊接过程中可能会导致焊接处相连，使得MOSFET无法较好的执行功能，现有的MOSFET原件上的支脚一般未设置辅助限位结构，增大了MOSFET原件安装时的工作难度，为此我们提出一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的MOSFET原件安装时支脚无法较好的调节和支脚焊接时容易相连的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，包括原件主体、连接块和支脚，所述连接块与支脚之间设置有调节结构，所述调节结构包括放置槽、连接杆、移动杆、移动块、弹簧、第一滑槽、转动杆和第二滑槽，所述连接块内部开设有支脚配合的放置槽，所述连接块内部的支脚端贯穿有连接杆，且连接杆上下端皆固定在放置槽上，所述连接杆内部皆开设有第一滑槽，且第一滑槽内部皆设置有移动杆，所述移动杆底端皆对称固定有移动块，所述移动块与第一滑槽底端皆固定有弹簧，所述支脚上设置有限位结构。优选的，所述原件主体包括隔热层、防辐射层、耐磨层和壳体，所述隔热层内侧固定有防辐射层，且防辐射层内侧固定有耐磨层，所述耐磨层内侧固定有壳体。优选的，所述限位结构包括固定杆、限位板和限位杆，所述支脚远离连接块的一端皆对称固定有固定杆，且固定杆外端皆固定有限位板，所述限位板内侧的支脚顶端皆对称固定有限位杆。优选的，所述放置槽的厚度大于支脚的厚度，所述连接块内部的支脚端皆设置为弧形。优选的，所述支脚内侧皆对称固定有转动杆，所述连接杆外侧皆开设有与转动杆配合的第二滑槽。优选的，所述第二滑槽皆设置为环形，所述转动杆靠近第二滑槽的一端皆设置为与第二滑槽配合的弧形。优选的，两侧所述限位板后侧皆与支脚处于同一水平线，所述限位板的宽度大于限位杆和支脚的宽度之和。优选的，所述限位杆皆设置为倒置的“L”形，所述限位杆前端到支脚之间的厚度等于支脚的厚度。与现有技术相比，本技术的有益效果是：(1)该超高温防辐射SIC材料MOSFET原件通过按动移动杆，使得移动块对支脚的夹紧固定解除，即可通过连接杆使得支脚可以在连接块上转动，从而使得支脚的角度可以调节，调节完成后，松开移动杆，从而使得移动块对支脚夹紧固定，安装时再将连接块与支脚焊接即可，解决了现有的MOSFET原件安装时支脚的角度无法调节的问题，避免因多次拨动导致支脚折断，提高了MOSFET原件的实用性。(2)该超高温防辐射SIC材料MOSFET原件通过两侧的限位板对焊接时的范围进行限位，避免焊接时与旁侧的支脚相连导致焊接后MOSFET原件无法实现其功能，且通过两侧的限位杆可以将连接的支脚卡合，从而方便将两个支脚焊接固定，解决了现有的MOSFET原件在安装时焊接处容易相连的问题，提高了MOSFET原件安装时的便捷性，降低了操作人员的工作难度。附图说明图1为本技术的结构正视示意图；图2为本技术的局部结构正视剖面示意图；图3为本技术的局部结构侧视剖面示意图；图4为本技术的支脚的结构侧视示意图；图5为本技术的原件主体的结构侧视剖面示意图。图中：1、原件主体；111、隔热层；112、防辐射层；113、耐磨层；114、壳体；2、连接块；3、支脚；4、放置槽；5、连接杆；6、移动杆；7、移动块；8、弹簧；9、第一滑槽；10、转动杆；11、第二滑槽；12、固定杆；13、限位板；14、限位杆。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-图5，本技术提供一种技术方案：一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，包括原件主体1、连接块2和支脚3，连接块2与支脚3之间设置有调节结构，调节结构包括放置槽4、连接杆5、移动杆6、移动块7、弹簧8、第一滑槽9、转动杆10和第二滑槽11，连接块2内部开设有支脚3配合的放置槽4，连接块2内部的支脚3端贯穿有连接杆5，且连接杆5上下端皆固定在放置槽4上，连接杆5内部皆开设有第一滑槽9，且第一滑槽9内部皆设置有移动杆6，移动杆6底端皆对称固定有移动块7，移动块7与第一滑槽9底端皆固定有弹簧8，支脚3上设置有限位结构。本实施例中，优选的，原件主体1包括隔热层111、防辐射层112、耐磨层113和壳体114，隔热层111内侧固定有防辐射层112，且防辐射层112内侧固定有耐磨层113，耐磨层113内侧固定有壳体114，隔热层111是耐火保护性涂层是含有高百分比锆化合物的耐火涂层，其特有的物理、化学等综合性能可以很好的抵制热冲击和金属、炉渣冲击，是一种长久性的耐火衬层，防辐射层112主要是一种根据军用战机的隐形涂层技术，经对铁氧体吸波材料的配方重新配伍，研发出的适合民用防电磁辐射的高科技专利产品，它是一种水性环保、能吸收电磁波的特种涂料，可净化和建立健康电磁波空间，耐磨层113是用石英砂、石油焦或煤焦、木屑生产绿色碳化硅时需要加食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，化学性能稳定、耐磨性能好。本实施例中，优选的，限位结构包括固定杆12、限位板13和限位杆14，支脚3远离连接块2的一端皆对称固定有固定杆12，且固定杆12外端皆固定有限位板13，限位板13内侧的支脚3顶端皆对称固定有限位杆14，其作用为通过限位杆14对另一支脚3进行卡合限位，从而方便将两个支脚3焊接固定，且通过两侧的限位板13对焊接范围进行限位，避免焊接处于旁侧的支脚3连通，降低了焊接难度。本实施例中，优选的，放置槽4的厚度大于支脚3的厚度，连接块2内部的支脚3端皆设置为弧形，其作用为保证支脚3可以在放置槽4内部转动的同时，使得移动块7可以在放置槽4内部移动，从而方便通过移动块7对支脚3夹紧固定。本实施例中，优选的，支脚3内侧皆对称固定有转动杆10，连接杆5外侧皆开设有与转动杆本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，包括原件主体(1)、连接块(2)和支脚(3)，其特征在于：所述连接块(2)与支脚(3)之间设置有调节结构，所述调节结构包括放置槽(4)、连接杆(5)、移动杆(6)、移动块(7)、弹簧(8)、第一滑槽(9)、转动杆(10)和第二滑槽(11)，所述连接块(2)内部开设有支脚(3)配合的放置槽(4)，所述连接块(2)内部的支脚(3)端贯穿有连接杆(5)，且连接杆(5)上下端皆固定在放置槽(4)上，所述连接杆(5)内部皆开设有第一滑槽(9)，且第一滑槽(9)内部皆设置有移动杆(6)，所述移动杆(6)底端皆对称固定有移动块(7)，所述移动块(7)与第一滑槽(9)底端皆固定有弹簧(8)，所述支脚(3)上设置有限位结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，包括原件主体(1)、连接块(2)和支脚(3)，其特征在于：所述连接块(2)与支脚(3)之间设置有调节结构，所述调节结构包括放置槽(4)、连接杆(5)、移动杆(6)、移动块(7)、弹簧(8)、第一滑槽(9)、转动杆(10)和第二滑槽(11)，所述连接块(2)内部开设有支脚(3)配合的放置槽(4)，所述连接块(2)内部的支脚(3)端贯穿有连接杆(5)，且连接杆(5)上下端皆固定在放置槽(4)上，所述连接杆(5)内部皆开设有第一滑槽(9)，且第一滑槽(9)内部皆设置有移动杆(6)，所述移动杆(6)底端皆对称固定有移动块(7)，所述移动块(7)与第一滑槽(9)底端皆固定有弹簧(8)，所述支脚(3)上设置有限位结构。
2.根据权利要求1所述的一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：所述原件主体(1)包括隔热层(111)、防辐射层(112)、耐磨层(113)和C，所述隔热层(111)内侧固定有防辐射层(112)，且防辐射层(112)内侧固定有耐磨层(113)，所述耐磨层(113)内侧固定有壳体(114)。
3.根据权利要求1所述的一种超高温防辐射SIC材料MOSFET原件，其特征在于：所述限位结构包括固定杆(12)、限位板(13)和限位杆(14)，所述支脚(3)远离连接块(2)的一端皆对称...
【专利技术属性】
技术研发人员：高嘉鹏，
申请(专利权)人：固安京仪椿树整流器有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13
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