一种基于i.MX8M Mini的SOM制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于i.MX8M Mini的SOM，系统模块)，包括RN5T568‑9芯片，所述RN5T568‑9芯片输入端连接有过滤电容，所述RN5T568‑9芯片串联连接有RP114N091D芯片，所述RN5T568‑9芯片串联连接有RP506L001N芯片,所述过滤电容、RP506L001N芯片的引脚串联连接有电感，所述RN5T568‑9芯片电性连接第一三极管Q2，所述第一三极管Q2电性连接第一三极管Q3。所述过滤电容并列连接有四个用于隔直流通交流作用。针对i.MX8M MiniMPU定制优化的RN5T568‑9芯片，其电源效率比原方案高，电源输出和控制特性更稳定，电源部分的成本更低。是唯一一个在i.MX8M Mini的电源技术上使用理光芯片。使用两颗低位宽、低容量的DDR4芯片设计，实现同样的位宽和容量,性价比大大提高。

【技术实现步骤摘要】
一种基于i.MX8MMini的SOM
本技术涉及电子元件
，具体为一种基于i.MX8MMini的SOM，系统模块)。
技术介绍
MX8MMiniMPU恩智浦的嵌入式多核应用处理器，采用先进的14LPCFinFET工艺技术构建，提供更快的速度和更高的电源效率。凭借商业和工业级认证以及恩智浦产品长期供货计划的支持，i.MX8MMini家族可用于任何通用工业和物联网应用。现有方案使用的电源管理芯片是罗姆半导体的BD71847MWV，电源输出复杂，芯片价格也比较高。现有方案内存颗粒使用一颗高位宽、高容量的LPDDR4芯片，其单位容量的性价比太低。原方案电子元件布局上，PCB右侧元件J2距离PCB板边缘0mm，由于距离板边缘太近会导致对生产的要求和生产难度大大提高，同时量产时不良率也会相对比较高，生产成本也会高不少。我司方案上，距离PCB板边缘最近的元件是U5，距离为1.0mm。相对原方案，对生产的要求和难度大大降低，产品不良率能够得到更有效的保证，生产成本会有效降低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于i.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于i.MX8M Mini的SOM，其特征在于，包括RN5T568-9芯片，所述RN5T568-9芯片输入端连接有过滤电容，所述RN5T568-9芯片串联连接有RP114N091D芯片，所述RN5T568-9芯片串联连接有RP506L001N芯片,所述过滤电容、RP506L001N芯片的引脚串联连接有电感，所述RN5T568-9芯片电性连接第一三极管Q2，所述第一三极管Q2电性连接第一三极管Q3。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于i.MX8MMini的SOM，其特征在于，包括RN5T568-9芯片，所述RN5T568-9芯片输入端连接有过滤电容，所述RN5T568-9芯片串联连接有RP114N091D芯片，所述RN5T568-9芯片串联连接有RP506L001N芯片,所述过滤电容、RP506L001N芯片的引脚串联连接有电感，所述RN5T568-9芯片电性连接第一三极管Q2，所述第一三极管Q2电性连接第一三极管Q3。


2.根据权利要求1所述的一种基于i.MX8MMini的SOM，其特征在于：所述过滤电容并列连接有四个用于隔直流通交流作用。


3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡松毅，唐唱希，王伟军，
申请(专利权)人：珠海明远智睿科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44