单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆制造技术

本实用新型专利技术公开了单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，包括四组连接板，四组所述连接板上均焊接有整流二极管芯片，四组所述连接板上还设置有连接头，所述连接头与整流二极管芯片之间焊接有跳线铜片，四组所述连接板上还连接有整流桥堆引脚，此单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，固定设备投资少，人员利用率高，人工成本降低，原材料成本降低，从而实现整体成本降低，且大部分可以实现自动化制作，以及提高单相全波整流桥堆的电气可靠性能和制作产出良率。

【技术实现步骤摘要】
单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆
本技术涉及100A以下2000V以下MBF,MBS,MBM,DBS，ABS单相全波迷你整流桥堆半导体元器件框架引线料片布线封装
，具体为单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆。
技术介绍
现有100A以下2000V以下MBF,MBS,MBM,DBS，ABS单相全波迷你整流桥堆，现有的产品是采用上下两片式连接板进行组合实现，上下引线框架各承载粘接2颗整流二极管芯片单元，后人工或机械把已经粘接好2颗整流二极管芯片单元的上连接板合接在已经粘接好2颗整流二极管芯片单元的下连接板上，再通过隧道高温使4颗整流二极管芯片正负极焊接在上下连接板上形成空间结构并形成单相全波整流电路，最后通过塑封形成集成化的单相全波迷你整流桥堆元器件。现有的存在以下缺点，第一：其采用的整流二极管芯片单元，芯片为GPP芯片，该芯片制作工艺后的芯片正极比负极小30％左右，以上工艺在没有上下合在一起形成电路前各分别两颗芯片都是负极粘接在上下连接板上。现有的在没有上下合片在一起的时候是没有焊接的只是使用锡膏自身的粘性把本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，包括四组连接板(1)，其特征在于：四组所述连接板(1)上均焊接有整流二极管芯片(2)，四组所述连接板(1)上还设置有连接头(3)，所述连接头(3)与整流二极管芯片(2)之间焊接有跳线铜片(4)，四组所述连接板(1)上还连接有整流桥堆引脚(5)。/n

【技术特征摘要】
1.单片式半导体单相全波MB和DB系列贴片整流桥堆，包括四组连接板(1)，其特征在于：四组所述连接板(1)上均焊接有整流二极管芯片(2)，四组所述连接板(1)上还设置有连接头(3)，所述连接头(3)与整流二极管芯片(2)之间焊接有跳线铜片(4)，四组所述连接板(1)上还连接有整流桥堆引脚(5)。


2.根据权利要求1所述的单片式半导体单相全波MB和D...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，
申请(专利权)人：深圳市海弘建业科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44