一种晶圆级RDL金属线结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆级RDL金属线结构，该结构包括：设置在不同水平面的第一金属层、第二金属层及第三金属层，第三金属层包括并排设置的第一传输层和第二传输层；第一传输层和第二金属层通过第一导电柱连接；第二传输层和第一金属层通过第二导电柱连接；第二金属层和第一金属层构成电容结构。通过实施本实用新型专利技术，设置三维的电容结构，可以利用去耦电容抑制静态线的远端串扰。由于串扰是相邻传输线间互容、互感共同作用的结果，同时在相邻传输线间互感是大于互容的；通过补偿传输线间的耦合电容值使之与互感相匹配，可以降低传输线间的远端串扰。同时，该RDL金属线结构可以在不改变传输线密度的情况下减小传输线间的串扰。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级RDL金属线结构
本技术涉及晶圆封装
，具体涉及一种晶圆级RDL金属线结构。
技术介绍
串扰是四类信号完整性的问题之一。它是指有害的信号从一个线网传递到相邻线网。任何一对线网之间都存在串扰。如何在高频走线里减小串扰，是封装设计的重要指标。两条相邻传输线上的串扰可以用图1表示，当快速上升/下降的信号驱动动态信号线(activeline)时，在与之相邻的静态线(Quietline)两端会测得电压噪声。静态线两端测得的噪声电压形式明显不同，为了区别两端，可以把离源端近的一端称为“近端”，离源端远的一端称为“远端”，远端电压即为远端的串扰系数FEXT(FarEndCrosstalk)。在设计约束条件允许的情况下，应该使每根线之间的间距尽量的大，从而减小传输线之间的串扰，降低电磁场耦合。然而在晶圆级封装中，即有限的外形形状及封装尺寸下，传输线的密度极大提高，线宽、线距指标一再缩小，如何减小传输线相互间的串扰称为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供一种晶圆级RDL金属线结构，以解决现有技术中晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆级RDL金属线结构，其特征在于，包括：设置在不同水平面的第一金属层、第二金属层及第三金属层，/n所述第三金属层包括并排设置的第一传输层和第二传输层；/n所述第一传输层和所述第二金属层通过第一导电柱连接；/n所述第二传输层和所述第一金属层通过第二导电柱连接；/n所述第二金属层和所述第一金属层构成电容结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级RDL金属线结构，其特征在于，包括：设置在不同水平面的第一金属层、第二金属层及第三金属层，
所述第三金属层包括并排设置的第一传输层和第二传输层；
所述第一传输层和所述第二金属层通过第一导电柱连接；
所述第二传输层和所述第一金属层通过第二导电柱连接；
所述第二金属层和所述第一金属层构成电容结构。


2.根据权利要求1所述的晶圆级RDL金属线结构，其特征在于，所述第一传输层包括静态线，所述第二传输层包括主动线。


3....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏，曹立强，陈天放，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31