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本实用新型公开了一种晶圆级RDL金属线结构，该结构包括：设置在不同水平面的第一金属层、第二金属层及第三金属层，第三金属层包括并排设置的第一传输层和第二传输层；第一传输层和第二金属层通过第一导电柱连接；第二传输层和第一金属层通过第二导电柱连接...该专利属于上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。