用于引线键合的IO焊垫结构制造技术

本发明专利技术公开了用于引线键合的IO焊垫结构，包括顶层金属、次顶层金属、位于所述顶层金属上的钝化层以及用于连接所述顶层金属和次顶层金属的通孔金属层，所述通孔金属层呈网格栅结构。本发明专利技术能防止焊盘出现裂纹和剥落，可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
用于引线键合的IO焊垫结构
本专利技术属于集成电路
，具体涉及用于引线键合的IO焊垫结构。
技术介绍
随着工艺节点的不断减小，工艺可使用的Metal层数的增加，集成电路设计中的IO结构选择CUP型IO，目前使用比较多的传统IO焊垫结构是由TopMetal(顶层金属)、TopMetal-1(次顶层金属)与阵列式分布的TopVia(顶层金属与次顶层金属的连接孔)构成。在封装中常用的键合线有金线、合金线、镀钯铜线、铜线(裸铜)，由于金线的成本高，而合金线、镀钯铜线、铜线(裸铜)相对来说价格便宜很多，在铜线(裸铜线、镀钯铜线)、合金线、金线都满足需求的情况下，为控制封装成本，均会使用铜线(裸铜、镀钯铜线)、合金线作为键合线进行封装。在保护气体方面，裸铜需要氮气与氢气的混合气体，成本与危险系数比较高；而镀钯铜线则只用N2(氮气)就可以，成本和安全性上更有优势。在工艺参数范围方面，第一焊点参数范围镀钯铜线比裸铜线要宽，这有利于工艺调整，第二焊接镀钯铜线比裸铜线更加的牢固。然而镀钯铜线形成的空气球(FAB)融入了钯，FAB的硬度较高，使得镀钯铜线比裸铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于引线键合的IO焊垫结构，包括顶层金属、次顶层金属、位于所述顶层金属上的钝化层以及用于连接所述顶层金属和次顶层金属的通孔金属层，其特征在于：所述通孔金属层呈网格栅结构。/n

【技术特征摘要】
1.用于引线键合的IO焊垫结构，包括顶层金属、次顶层金属、位于所述顶层金属上的钝化层以及用于连接所述顶层金属和次顶层金属的通孔金属层，其特征在于：所述通孔金属层呈网格栅结构。


2.根据权利要求1所述的用于引线键合的IO焊垫结构，其特征在于：所述网格栅结构采用方形网格。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈林林，苗小雨，杨勇，
申请(专利权)人：四川中微芯成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51