具有侧壁连接的半导体封装制造技术

本公开的实施例涉及一种具有侧壁连接的半导体封装。提供了一种扇出晶圆级封装包括半导体裸片，该半导体裸片在其侧壁上具有再分布层。位于裸片上方的再分布层包括沿着侧壁延伸的延伸部分。半导体裸片被包封在模塑料层中。模塑料层位于再分布层的延伸部分与半导体裸片的侧壁之间。用于将半导体器件电连接到电子电路板的焊料触点位于再分布层上。焊料触点和再分布层的侧壁可以在两个不同的位置上提供电接触。因而，该封装可以用于通过提供竖直连接和水平连接来改善互连性。

【技术实现步骤摘要】
具有侧壁连接的半导体封装
本公开涉及一种晶圆级封装，该晶圆级封装具有在半导体裸片的侧壁上形成的用于在封装中提供附加输入/输出端子的延伸再分布层。
技术介绍
典型的半导体封装包括输入/输出连接，以用于将半导体封装与顶部表面上的其他各种外部电路连接。这些各种外部电路可以包括其他半导体封装或印刷电路板或任何种类的外部电路。在作为以晶圆级对集成电路(IC)进行封装的技术的、传统的晶圆级芯片规模封装(WLCSP)中，WLCSP通常通过安装在半导体裸片上的焊料球，仅在封装的顶部侧上提供I/O连接。这种WLCSP封装限制了封装中I/O连接的数目，并且由于仅在封装的顶部侧上提供了I/O连接，所以限制了可以堆叠封装的方式。由于在传统WLCSP结构中的这种受限的应用，因此封装的尺寸无法满足业界不断增长的提供最小化尺寸封装的需求。
技术实现思路
本公开涉及一种利用WLCSP封装的侧壁区域以提供附加I/O连接并且减小封装尺寸的半导体封装。因此，提供了一种半导体封装以及制造这种半导体封装的方法，该半导体封装具有附加I/O连接并且最小化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：/n半导体裸片，包括第一表面和横向于所述第一表面的第二表面；/n接触焊盘，所述接触焊盘在所述半导体裸片的所述第一表面上；/n再分布层，所述再分布层在所述半导体裸片的所述第一表面和所述接触焊盘上，所述再分布层具有延伸部分，所述延伸部分从所述接触焊盘延伸到所述半导体裸片的所述第二表面，所述延伸部分包括在所述半导体裸片的所述第二表面上的第一电触点；以及/n导电结构，所述导电结构在所述再分布层上与所述接触焊盘间隔开，所述导电结构包括在所述半导体裸片的所述第一表面上的第二电触点。/n

【技术特征摘要】
20181228 US 62/785,841;20191213 US 16/706,5941.一种器件，包括：
半导体裸片，包括第一表面和横向于所述第一表面的第二表面；
接触焊盘，所述接触焊盘在所述半导体裸片的所述第一表面上；
再分布层，所述再分布层在所述半导体裸片的所述第一表面和所述接触焊盘上，所述再分布层具有延伸部分，所述延伸部分从所述接触焊盘延伸到所述半导体裸片的所述第二表面，所述延伸部分包括在所述半导体裸片的所述第二表面上的第一电触点；以及
导电结构，所述导电结构在所述再分布层上与所述接触焊盘间隔开，所述导电结构包括在所述半导体裸片的所述第一表面上的第二电触点。


2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二电触点包括凸块下金属结构、焊料球或焊料凸块。


3.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一电触点和所述第二电触点提供彼此不同的电信号。


4.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体裸片包括与所述第一表面相对的第三表面，并且所述延伸部分延伸越过所述第一表面到达所述半导体裸片的所述第三表面。


5.根据权利要求1所述的器件，其中所述延伸部分从所述第一表面到所述半导体裸片的第三表面覆盖所述第二表面。


6.根据权利要求1所述的器件，还包括：
钝化层，所述钝化层在所述再分布层与所述半导体裸片之间，所述钝化层与所述接触焊盘的第一部分重叠。


7.根据权利要求6所述的器件，还包括：
第一电介质层，所述第一电介质层在所述再分布层与所述钝化层之间，所述第一电介质层与所述接触焊盘的第二部分重叠，所述第二部分在所述接触焊盘的所述第一部分与所述接触焊盘的第三部分之间，所述接触焊盘的所述第三部分与所述再分布层接触。


8.根据权利要求7所述的器件，还包括：
第二电介质层，所述第二电介质层在所述再分布层上；以及
所述导电结构，包括：
金属化层，所述金属化层在所述再分布层上与所述接触焊盘间隔开。


9.根据权利要求1所述的器件，还包括：
模具保护层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·杰加，B·苏，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81