【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多芯片模块的隔离电容器之间的线接合
本专利技术涉及包含至少2个不同裸片的多芯片模块的组装，其中每一裸片含有高电压隔离电容器，接合线将其相应顶板一起直接耦合到所述高电压隔离电容器。
技术介绍
在其中存在高电压(HV)或高电流的电路设计中，通常需要采取步骤来减小对电气系统的用户带来的潜在风险。这些步骤传统上包含通过流电隔离将危险电压和电流绝缘、接地和隔离，这是隔离电力系统的功能区段以防止其间的电流流动的技术。隔离装置在允许发射所要AC信号的同时防止DC和非所需AC电流在其输入和输出之间传播。隔离装置使用具有高击穿电压和低泄漏的隔离障壁实现此功能。跨隔离障壁存在高电阻路径，但装置仍可通过电容性、电感性或光学技术跨隔离障壁传送所要AC信号中的信息。只要隔离障壁完好，基础隔离即可提供对抗HV的保护。因此，如果有可能人员取用，那么出于安全原因，基础隔离需要耦合到另一基础隔离障壁。加强型隔离等同于串联的两个基础隔离障壁且因此自身足以作为对抗HV的安全障壁。大部分加强型隔离装置使用基于磁性和电容性隔离的加强型隔离的世界性标准...
【技术保护点】
1.一种具有加强型隔离的封装式多芯片装置，其包括：/n第一裸片衬垫上的第一集成电路IC裸片，所述第一IC裸片包含其上具有金属堆叠的功能电路，所述金属堆叠包含顶部金属层和多个下部金属层，至少一第一隔离电容器(第一ISO电容器)使用所述顶部金属层作为第一顶板且所述多个下部金属层中的一个作为其第一底板，所述第一顶板上具有顶部介电层，所述顶部介电层具有顶板介电孔口；/n第二裸片衬垫上的第二IC裸片，所述第二IC裸片包含其上具有金属堆叠的功能电路，所述金属堆叠包含顶部金属层和多个下部金属层，包含至少一第二ISO电容器使用所述顶部金属层作为第二顶板且所述多个下部金属层中的一个作为其第二...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171228 US 15/857,2341.一种具有加强型隔离的封装式多芯片装置，其包括：
第一裸片衬垫上的第一集成电路IC裸片，所述第一IC裸片包含其上具有金属堆叠的功能电路，所述金属堆叠包含顶部金属层和多个下部金属层，至少一第一隔离电容器(第一ISO电容器)使用所述顶部金属层作为第一顶板且所述多个下部金属层中的一个作为其第一底板，所述第一顶板上具有顶部介电层，所述顶部介电层具有顶板介电孔口；
第二裸片衬垫上的第二IC裸片，所述第二IC裸片包含其上具有金属堆叠的功能电路，所述金属堆叠包含顶部金属层和多个下部金属层，包含至少一第二ISO电容器使用所述顶部金属层作为第二顶板且所述多个下部金属层中的一个作为其第二底板，所述第二顶板上具有顶部介电层，所述顶部介电层具有顶板介电孔口；
接合线的第一端，所述第一端耦合于所述第一顶板上的所述顶板介电孔口内，和
所述接合线的第二端，所述第二端耦合于所述第二顶板上的所述顶板介电孔口内，
其中所述接合线的所述第二端包含针脚式接合，所述针脚式接合包含不正交于所述第二顶板的线接近角，且
其中所述针脚式接合不对称放置成使得与所述针脚式接合的中心距与接合线交叉侧部相对的侧部的距离相比，所述针脚式接合的所述中心定位成离所述第二顶板的在所述接合线交叉侧部上的外边缘更远至少5％。
2.根据权利要求1所述的封装式多芯片装置，其中所述IC裸片各自包含多个所述ISO电容器。
3.根据权利要求1所述的封装式多芯片装置，其中与所述顶部介电层在所述第二顶板上方延伸到距与所述接合线交叉侧部相对的所述侧部的距离相比，所述顶部介电层在所述顶板上方延伸达在所述接合线交叉侧部上多至少80％。
4.根据权利要求1所述的封装式多芯片装置，其中所述第一ISO电容器和所述第二ISO电容器两者均具有氧化硅作为其电容器介电层。
5.根据权利要求4所述的封装式多芯片装置，其中所述电容器介电层的厚度为至少4μm，且其中所述第一ISO电容器和所述第二ISO电容器两者均提供至少2,000伏特的击穿电压。
6.根据权利要求1所述的封装式多芯片装置，其另外包括环绕所述接合线的模制化合物。
7.根据权利要求1所述的封装式多芯片装置，其中所述线接近角相对于所述第二裸片的所述顶板为至少30°。
8.根据权利要求1所述的封装式多芯片装置，其中所述针脚式接合的所述中心定位成离所述第二顶板的所述外边缘更远至少50％。
9.根据权利要求1所述的封装式多芯片装置，其中所述第一IC裸片包括发射器且其中所述第二IC裸片包括接收器。
10.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·戴尔·博尼菲尔德，杰弗里·艾伦·韦斯特，B·L·威廉斯，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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