引线焊接结构及半导体器件制造技术

本申请涉及一种引线焊接结构和半导体器件。其中，引线焊接结构包括基底；电路层，形成于所述基底内；焊垫，形成于所述电路层上并与所述电路层电连接，所述焊垫的上表面具有由凹槽和凸起交替排布构成的凹凸结构；硬质保护层，形成于所述凹凸结构上，所述硬质保护层开设有暴露部分所述凹凸结构的开口，所述硬质保护层的硬度大于所述焊垫的硬度；以及钝化层，形成于所述焊垫上，所述钝化层上开设有窗口，通过所述窗口暴露出所述硬质保护层和所述凹凸结构。通过设置硬质保护层，可以对凹凸结构进行加固，避免凹凸结构被焊球压平而失效。

【技术实现步骤摘要】
引线焊接结构及半导体器件
本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种引线焊接结构及半导体器件。
技术介绍
在半导体器件的后段制程中，会涉及到引线的焊接，以从基底内的电路层引出电连接端子。为保护电路层，通常在电路层上还设有一层软质的金属层作为焊垫，焊球具体是与焊垫焊接。同时，为了增强焊球与焊垫的焊接力度，一般会对焊垫的上表面进行粗糙化处理。由于焊垫质地相对较软，将焊球按压于焊垫上时，一方面，焊垫上表面的凹凸结构在按压的作用下会被压平而失效，另一方面，受挤压的焊垫金属会向两侧排出，使焊球与电路层之间的焊垫变薄，导致电流基本只能从焊球侧边区域进行传导而降低电流量，影响器件的电性性能。
技术实现思路
基于此，本申请提出一种引线焊接结构及半导体器件，可避免引线焊接过程对器件性能的影响。为解决上述技术问题，本申请提出的第一种技术方案为：一种引线焊接结构，包括：基底；电路层，形成于所述基底内；焊垫，形成于所述电路层上并与所述电路层电连接，所述焊垫的上表面具有由凹槽和凸起交替排布构成的凹凸结构；硬质保护层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线焊接结构，其特征在于，包括：/n基底；/n电路层，形成于所述基底内；/n焊垫，形成于所述电路层上并与所述电路层电连接，所述焊垫的上表面具有由凹槽和凸起交替排布构成的凹凸结构；/n硬质保护层，形成于所述凹凸结构上，所述硬质保护层开设有暴露部分所述凹凸结构的开口，所述硬质保护层的硬度大于所述焊垫的硬度；以及/n钝化层，形成于所述焊垫上，所述钝化层上开设有窗口，通过所述窗口暴露出所述硬质保护层和所述凹凸结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种引线焊接结构，其特征在于，包括：
基底；
电路层，形成于所述基底内；
焊垫，形成于所述电路层上并与所述电路层电连接，所述焊垫的上表面具有由凹槽和凸起交替排布构成的凹凸结构；
硬质保护层，形成于所述凹凸结构上，所述硬质保护层开设有暴露部分所述凹凸结构的开口，所述硬质保护层的硬度大于所述焊垫的硬度；以及
钝化层，形成于所述焊垫上，所述钝化层上开设有窗口，通过所述窗口暴露出所述硬质保护层和所述凹凸结构。


2.如权利要求1所述的引线焊接结构，其特征在于，任意相邻的一个凹槽和一个凸起形成一个结构单元，各所述结构单元中部分区域被所述硬质保护层覆盖且部分区域暴露在外。


3.如权利要求2所述的引线焊接结构，其特征在于，所述硬质保护层覆盖于凸起的顶面、凹槽的底面和凹槽的侧面中的任意一个或几个表面，且一个结构单元中至少有一个表面未被覆盖。


4.如权利要求1所述的引线焊接结构，其特征在于，所述凹凸结构被硬质保护层覆盖的区域呈周期性排列。


5.如权利要求1所述的引线焊接结构，其特征在于，所述硬质保护层分为多个并排分布的条状区域，所述条状区域间隔设置且互不相...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，刘杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34