【技术实现步骤摘要】
减少引脚尖端放电的封装体
本技术涉及半导体功率器件，具体涉及对整流桥堆封装体引脚结构的改进。
技术介绍
现有技术在很多应用场合，整流桥堆封装体本体1的两边引脚2向内折弯，如图7所示，引脚下部与封装体本体呈平行设置，且引脚下部低于封装体的底面，导致封装体两侧相对应的引脚尖端正对，高压时容易产生尖端放电，影响封装体本身的电性能。
技术实现思路
本技术针对以上问题，提供了一种避免引脚尖端直接相对、造成爬电现象的减少引脚尖端放电的封装体。本技术的技术方案是：所述封装体包括布设在本体两侧的引脚，所述引脚的尖端内翻，使得所述引脚的尖端高于所述封装体的底面。所述引脚伸出所述封装体部分经三次折弯结构，使得所述引脚的尖端部位处于所述封装体的侧面，且所述引脚的尖端朝向所述封装体的顶面方向。所述封装体的底面设有凹凸纹。所述封装体的底面设凸台，所述凹凸纹设在所述凸台上。所述凹凸纹与所述封装体两侧相对的引脚连线呈30~90°夹角。所述凹凸纹为直线形凹凸纹。所述凹凸纹为
【技术保护点】
1.减少引脚尖端放电的封装体，所述封装体包括布设在本体两侧的引脚，其特征在于，所述引脚的尖端内翻，使得所述引脚的尖端高于所述封装体的底面。/n
【技术特征摘要】
1.减少引脚尖端放电的封装体，所述封装体包括布设在本体两侧的引脚，其特征在于，所述引脚的尖端内翻，使得所述引脚的尖端高于所述封装体的底面。
2.根据权利要求1所述的减少引脚尖端放电的封装体，其特征在于，所述引脚伸出所述封装体部分经三次折弯结构，使得所述引脚的尖端部位处于所述封装体的侧面，且所述引脚的尖端朝向所述封装体的顶面方向。
3.根据权利要求1所述的减少引脚尖端放电的封装体，其特征在于，所述封装体的底面设有凹凸纹。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王双，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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