硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件技术

本申请提供了一种硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件，涉及半导体器件技术领域。该硅基半导体器件的切割后钝化方法，包括以下步骤：利用切割工艺对所述硅基半导体器件的预设区域进行切割以形成与所述预设区域相关的第一表面；对所述第一表面进行光滑处理以调整所述第一表面的表面形貌，使得所述第一表面上非边缘区域的凸起和凹陷高度差小于20nm；对所述光滑处理后的所述第一表面进行钝化处理以在所述第一表面上形成第一钝化层。本申请能减少或避免硅基半导体器件因切割而导致的效率降低问题，有助于获得更高效率的硅基半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件
本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件。
技术介绍
太阳能电池，是以半导体材料为基础的一种具有能量转换功能的半导体器件，是太阳能光伏发电的核心器件。太阳能电池包括硅基太阳能电池，硅基太阳能电池属于硅基半导体装置。近年来，光伏发电技术作为利用太阳能资源的主流技术，是绿色能源发展的重要领域，已经走向市场化和商业化。随着技术的不断进步，光伏组件产品的发展趋势是输出功率的不断提升，相关光伏组件企业的研究重点在于，不断扩大光伏组件面积的同时提升单位面积内输出功率。其中，最常见的为了追求单位面积内更大的功率输出手段就是增加光电活跃区域。相应的组件技术随之诞生并在产业界大规模推广，包含半片、叠瓦、叠焊等组件技术，这些组件技术所得到的产品主要消除或减少了电池串内部的串间间距，增加有效面积，降低串内电路的电流，从而减少电路传输损失。半片、叠片等光伏组件近年来发展迅速，其中，半片光伏组件和叠片光伏组件在制作时都需要将太阳能电池片进行切割，即将完整的类正方形电池本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基半导体器件的切割后钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：/n利用切割工艺对所述硅基半导体器件的预设区域进行切割以形成与所述预设区域相关的第一表面；/n对所述第一表面进行光滑处理以调整所述第一表面的表面形貌，使得所述第一表面上非边缘区域的凸起和凹陷高度差小于20nm；/n对所述光滑处理后的所述第一表面进行钝化处理以在所述第一表面上形成第一钝化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基半导体器件的切割后钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：
利用切割工艺对所述硅基半导体器件的预设区域进行切割以形成与所述预设区域相关的第一表面；
对所述第一表面进行光滑处理以调整所述第一表面的表面形貌，使得所述第一表面上非边缘区域的凸起和凹陷高度差小于20nm；
对所述光滑处理后的所述第一表面进行钝化处理以在所述第一表面上形成第一钝化层。


2.根据权利要求1所述的硅基半导体器件的切割后钝化方法，其特征在于，所述第一钝化层包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、非晶硅、氧化镓或氮氧化硅中的至少一种，且所述第一钝化层的厚度不超过35nm。


3.根据权利要求2所述的硅基半导体器件的切割后钝化方法，其特征在于，所述光滑处理包括使用高能粒子轰击所述第一表面上非边缘区域；
和/或，使用表面不平整的器具对所述第一表面摩擦。


4.根据权利要求3所述的硅基半导体器件的切割后钝化方法，其特征在于，在所述光滑处理过程中，所述硅基半导体器件温度小于350℃，且所述硅基半导体器件温度高于300℃的时间不超过600秒。


5.根据权利要求2所述的硅基半导体器件的切割后钝化方法，其特征在于，所述钝化处理包括：
采用化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子层沉积法、氧化钝化法中的一种或多种组合的方式对所述第一表面进行钝化处理，其中，在所述钝化处理过程中所述硅基半导体器件的温度小于450℃，且所述硅基半导体器件的温度大于300℃的时间小于1200秒。


6.根据权利要求5所述的硅基半导体器件的切割后钝化方法，其特征在于，在所述钝化处理过程中，对所述第一表面施加氧化剂，使得所述硅基半导体的硅基底被氧化，以在所述第一表面形成厚度小于等于10nm的氧化硅层；其中氧化处理温度为150℃-250℃，氧化处理时间为不超过30min；
或者，采用臭氧氧化法的方式，对所述第一表面进行钝化处理，以在所述第一表面形成厚度小于等于8nm的氧化硅层。


7.根据权利要求5所述的硅基半导体器件的切割后钝化方法，其特征在于，采用化学气相沉积的方式，通入制备所述第一钝化层所需的氨气和硅烷的混合气体，在所述第一表面上沉积厚度在5nm-35nm的氮化硅层，且所述氮化硅部分沉积在所述硅基半导体器件的第二表面和第三表面。

【专利技术属性】
技术研发人员：袁雪婷，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科绿能上海管理有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31