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本申请提供了一种硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件，涉及半导体器件技术领域。该硅基半导体器件的切割后钝化方法，包括以下步骤：利用切割工艺对所述硅基半导体器件的预设区域进行切割以形成与所述预设区域相关的第一表面；对所述第一表面进行...该专利属于晶科绿能(上海)管理有限公司;浙江晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶科绿能(上海)管理有限公司;浙江晶科能源有限公司授权不得商用。