基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法。通过电子束蒸发镀膜机在石墨烯/SiO

【技术实现步骤摘要】
基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法
本专利技术属于半导体材料
，尤其涉及一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法。
技术介绍
在光探测领域，半导体纳米材料制备的光探测器相对于普通光探测器而言，其体积小、质量轻，灵敏度高等优点，受到人们的广泛关注且追捧，可谓理想的光探测器。继石墨烯发现以来，石墨烯的合成与转移技术迅猛发展，相应的，基于石墨烯的应用与开发得到了广大科研者的重视。特别的，近年来将石墨烯与半导体材料相结合，所发表的学术研究不断见诸报端，制备出各类的光探测器产品也逐渐问世。因此，对于人们来说，在如何不断提高光探测器的响应度，响应时间及开关比等性能的研究是十分必要而富有意义的。而半导体纳米材料中，纳米线薄膜相对纳米颗粒薄膜来说，单晶结构的ZnS纳米线膜的晶界要远少于多晶结构的ZnS纳米颗粒膜，因此ZnS纳米线膜的导电性更加优异。体现在ZnS纳米线膜制备的光探测器在吸光后产生的电子-空穴对更有利于转移到石墨烯上，有效提高开关比、响应度等光电性能。
技术实现思路
本专利技术目的就是提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）石墨烯的制备与转移：将铜箔清洗干净后，在管式炉中通过CVD方法生长出石墨烯，在石墨烯/铜箔上旋涂一层100mg/mL的PMMA，在加热台上烘烤后，再将PMMA/石墨烯/铜箔放入5mol/L的FeCl

【技术特征摘要】
1.一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）石墨烯的制备与转移：将铜箔清洗干净后，在管式炉中通过CVD方法生长出石墨烯，在石墨烯/铜箔上旋涂一层100mg/mL的PMMA，在加热台上烘烤后，再将PMMA/石墨烯/铜箔放入5mol/L的FeCl3溶液中，把铜箔刻蚀掉，刻蚀后的PMMA/石墨烯放去离子水中清洗，去除FeCl3和杂质，然后用稀盐酸泡，进一步去除FeCl3，再用去离子水清洗，用SiO2/Si捞起石墨烯/PMMA，风干后进行低压退火除胶得到石墨烯/SiO2/Si；
（2）ZnS材料与Au材料的蒸镀：将石墨烯/SiO2/Si两端石墨烯掩膜，只留2mm宽的区域镀膜，将样品固定在电子束蒸发镀膜机腔体的蒸发基板上，利用电子束蒸发镀膜法，在石墨烯/SiO2/Si上蒸镀ZnS和Au；
（3）ZnS纳米线薄膜的生长：将0.5gZnS粉末、Au/ZnS/石墨烯/SiO2/Si放管式炉中，通过PVD的方法生长ZnS纳米线薄膜；
（4）光响应测试：用紫外灯光照进行光响应测试。


2.根据权利要求1所述的一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中旋涂PMMA的转速为500转/min转6秒和2000转/min转40秒；在石墨烯/铜箔上旋涂PMMA后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈翌庆，叶传瑶，王敏，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34