【技术实现步骤摘要】
一种钝化金属接触的背结太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种钝化金属接触的背结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着当今世界能源格局的改变，可再生能源的发展受到越来越多的关注，而降低电力成本是光伏发展的持续目标。然而实现这一目标的有效方法是提高电池和组件的转换效率，而近年采用钝化接触结构提高电池效率已变成一种趋势。形成高效钝化接触结构的方法有两种：(1)非晶硅(a-Si)/晶体硅(c-Si)-异质结；(2)在超薄隧穿氧化层上沉积多晶硅(poly-Si)-POLO结。POLO接触主要是在氧化层上沉积一层重掺杂的p+或n+多晶硅，与金属电极接触。此结构的优势是：(1)具有较低的隧穿电阻和接触电阻；(1)金属与硅接触区域具有较高的钝化性能。故与传统扩散结相比，可以大大提高接触选择性。众所周知，另一种高效电池的结构是背面电极呈叉指状排列的IBC电池，此结构电池的空穴收集和电子收集的电极都位于背面，完全消除了金属栅线的遮挡，具有较高的电流密度。而钝化接触结构因其具有较高的钝化性能，故开路电压较...
【技术保护点】
1.一种钝化金属接触的背结太阳能电池的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、在硅片的正面采用带负电荷的材料制备介质膜，所述介质膜用于提供反型层，以代替n+前场；/n(2)、在所述介质膜上制备钝化减反射膜；/n(3)、在硅片背面采用激光进行局域开槽，形成激光开槽区域和激光未开槽区域；/n(4)、在硅片背面依次沉积隧穿氧化层和多晶硅薄膜层；/n(5)、在硅片背面的激光开槽区域注入磷原子，在硅片背面的激光未开槽区域注入硼原子；/n(6)、对硅片进行退火处理，激活激光开槽区域的磷原子和未开槽区域的硼原子，以在激光开槽区域形成重掺杂的n+poly背场，在激光未开槽区域形成重掺杂...
【技术特征摘要】
1.一种钝化金属接触的背结太阳能电池的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、在硅片的正面采用带负电荷的材料制备介质膜，所述介质膜用于提供反型层，以代替n+前场；
(2)、在所述介质膜上制备钝化减反射膜；
(3)、在硅片背面采用激光进行局域开槽，形成激光开槽区域和激光未开槽区域；
(4)、在硅片背面依次沉积隧穿氧化层和多晶硅薄膜层；
(5)、在硅片背面的激光开槽区域注入磷原子，在硅片背面的激光未开槽区域注入硼原子；
(6)、对硅片进行退火处理，激活激光开槽区域的磷原子和未开槽区域的硼原子，以在激光开槽区域形成重掺杂的n+poly背场，在激光未开槽区域形成重掺杂的p+poly发射极；
(7)、对退火后的硅片进行背面钝化和背面金属化处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，
以三甲基铝和H2O为前驱体，采用原子层沉积法在硅片的正面制备Al2O3介质膜；其中，三甲基铝的脉冲时间为2-5s，吹扫时间为6-10s；H2O的脉冲时间为3-6s，吹扫时间为8-12s；
沉积完成后，Al2O3介质膜的厚度为3～24nm。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，
采用PECVD法在所述质膜上制备氮化硅钝化减反膜；其中，所述PECVD法包括：
在压力为1300～1500mTorr，功率为7000～9000W，SiH4与N2O的比为1:10，温度为400～500℃的条件下，沉积25～35min；
沉积完成后，氮化硅钝化减反膜的厚度为150～250nm。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，
激光为波长为532nm的绿光，其频率为50～500KHz；
其中，激光的功率20～40W，激光开槽区域的深度为1～5μm。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，
采用LPCVD法在硅片背面沉积隧穿氧化层和多晶硅薄膜层；其中，所述LPCVD法包括：
首先将硅片置于石英舟上，并使两个硅片置于一个槽中，其中，硅片上非多晶硅薄膜沉积面朝内相贴，多晶硅薄膜沉积面朝外；
接着将石英舟送入LPCVD管内，管内抽真空至7×10-3Torr，温度升至500～600℃，通入氧气沉积10～20min后，完成超薄隧穿氧化层的制备；
然后再次抽真空至7×10-3Torr，温度升至600～700℃，通入SiH4沉积10-40min后，完成多晶硅薄膜层的制备；
最后再次抽真空至SiH4抽干净后，通入氮气至常压，冷却降温，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉，赵影文，季根华，刘志锋，林建伟，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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