【技术实现步骤摘要】
一种具有选择性发射极结构的钝化接触电池的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种具有选择性发射极结构的钝化接触电池的制备方法。
技术介绍
n型电池采用n型硅作为衬底材料，其耐金属杂质污染性能好、少数载流子、扩散长度长，相对于传统的p型电池具有无光致衰减，电池效率更高等优点，目前受到了市场的青睐。n型钝化接触电池是一种新型的n型电池结构，其隧穿钝化层对n+面提供了良好的表面钝化，极大地降低了金属接触复合，提高电池的开路电压及短路电流。这种结构的电池效率远高于传统晶硅电池产品，从而更有利于降低光伏发电成本。现有的n型钝化接触电池结构解决了n面的钝化，但是其发射极表面的复合还是比较高，已经成为了效率提升的瓶颈，而要降低发射极表面的复合，需要兼顾钝化与接触电阻这两方面因素。相对于磷掺杂发射极，由于硼比磷的激活难度要高很多，目前硼的选择性掺杂还是世界难题，还没有兼具效率及良率的可量产化的选择性发射极制备方法，如目前在磷选择性掺杂方面很成熟的激光掺杂，在硼掺杂方面还很不成熟。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种具有选择性发射极结构的钝化接触电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、在制绒后的N型硅片正面印刷硼掺杂浆料，并在氮气和/或氧气氛围中，温度为100-200℃，烘干5-15min；硼掺杂浆料的印刷区域与金属化区域对应，且硼掺杂浆料的印刷区域的宽度大于金属化区域的宽度；/n(2)、对硅片正面印刷的硼掺杂浆料进行高温推进，以在硅片正面制备具有选择性结构的发射极；在硅片进入炉管的过程中，通入氮氧混合气体，并控制作业温度低于800℃，以去除硼掺杂浆料中的有机成分；/n(3)、硅片的后处理。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有选择性发射极结构的钝化接触电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、在制绒后的N型硅片正面印刷硼掺杂浆料，并在氮气和/或氧气氛围中，温度为100-200℃，烘干5-15min；硼掺杂浆料的印刷区域与金属化区域对应，且硼掺杂浆料的印刷区域的宽度大于金属化区域的宽度；
(2)、对硅片正面印刷的硼掺杂浆料进行高温推进，以在硅片正面制备具有选择性结构的发射极；在硅片进入炉管的过程中，通入氮氧混合气体，并控制作业温度低于800℃，以去除硼掺杂浆料中的有机成分；
(3)、硅片的后处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，在炉管中对硅片正面印刷的硼掺杂浆料进行高温推进，以在硅片正面制备具有选择性结构的发射极包括：
(2.11)、将硅片放入扩散炉管中，并通入氮气和氧气，使硅片在氮气和氧气氛围中进行高温推进，形成P++区；高温推进的温度为950-1100℃，时间为60-120min，高温推进完成后，将硅片从扩散炉管中取出；
(2.12)、将硅片放入氢氟酸溶液中进行清洗，以去除P++区的硼硅玻璃层；
(2.13)、将硅片再次放入扩散炉管中，并通入氮气、氧气和三溴化硼，使硅片在氮气、氧气和三溴化硼氛围中进行高温推进，形成P+区；高温推进的温度为980-1100℃，时间为60-180min，高温推进完成后，将硅片从扩散炉管中取出；
(2.14)、将硅片放入氢氟酸溶液中进行清洗，以去除P+区的硼硅玻璃层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2.12)之前，所述方法还包括：
在硅片上打激光标识，所述激光标识用于作为后续步骤中金属化浆料印刷区域的参考点。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，对硅片正面印刷的硼掺杂浆料进行高温推进，以在硅片正面制备具有选择性结构的发射极包括：
(2.21)、将硅片放入扩散炉管中，并通入氮气、氧气和三溴化硼，使硅片在氮气、氧气和三溴化硼氛围中进行高温推进，同时形成P+区和P++区；高温推进的温度为980-1100℃，时间为60-180min，高温推进完成后，将硅片从扩散炉管中取出；
(2.22)、将硅片放入氢氟酸溶液中进行清洗，P+区的硼硅玻璃层和P++区...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆俊宇，李灵芝，刘荣林，乔振聪，陈嘉，林建伟，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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