检测探针接触电阻的测试结构与方法技术

本发明专利技术关于一种探针接触电阻的测试结构与方法。该探针接触电阻检测结构包括第一焊垫、第二焊垫、第三焊垫、第一金属导线，连接于该第一焊垫与该第二焊垫间，与第二金属导线，连接于该第二焊垫与该第三焊垫间。该探针接触电阻检测方法包括步骤：测量该第一焊垫与该第三焊垫间的第一电阻值；测量该第一焊垫与该第二焊垫间的第二电阻值；测量该第二焊垫与该第三焊垫间的第三电阻值；以及藉由该第一电阻值、第二电阻值、第三电阻值与该探针接触电阻值的一特定关系式，俾以求得该探针的接触电阻值。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种接触电阻的测试结构与方法，尤其是指一种。
技术介绍
在半导体制程中，通常会使用探针或探针卡以进行晶圆层次可靠度(WaferLevel Reliability，WLR)测试，例如恒温电致飘移测试(isothermalElectromigration test)。一般而言，电致飘移测试(Electromigration Test，ET)是指当用以连接各个晶体管间的内金属导线(通常是铝线)有电流长时间通过时，铝原子会被电子流(electron wind force)由阴极端冲击至阳极端，最终导致金属线在阴极端因铝原子空乏而断线(Open)或是在阳极端堆积铝原子而造成短路(short)的物理现象。这种现象会随时间增加愈来愈严重，最后会使得积体电路无法正常工作，因此是一项重要而基本的可靠性测试项目。恒温电致迁移测试(isothermalElectromigration test)便是一种晶圆层次可靠性测试-电致飘移(WLR-EM)的测试方法，此项测试的原理是在金属导线上施加比正常工作电流高一百倍左右的电流密度，使其产生相当高的焦耳热(Joule heating)，配合本身本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种探针接触电阻的检测结构，其包括：至少三焊垫，其分别供一对应的探针相接触，以测量其于一特定电流下的电阻值；以及多个金属导线，其分别连接于这些焊垫间，并具有一特定电阻值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾繁中，王伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]