半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包括：半导体元件；元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面；以及密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线，在对置配置的所述元件用导体和所述连接用导体中的至少一方的对置侧面设置有寄生电容降低结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
已知有一种半导体装置，其将搭载有半导体芯片的第一导体和通过接合线与半导体芯片连接的第二导体分开配置，并利用密封树脂将整体密封。第一导体和第二导体在俯视下具有矩形形状，相互对置的一个侧面在其对置的边的全长上配置在距另一方导体等距离的位置(参照专利文献1)。现有技术文献专利文件专利文献1：日本特开2006-287263号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]在专利文献1的半导体装置中，第一导体和第二导体的相对置的侧面在其对置的面的全长上配置在最接近另一方导体的位置，第一导体和第二导体之间的寄生电容变大。因此，例如，当应用于高速数据通信等高频电路时，产生阻抗的偏差或响应速度的延迟等电路特性的劣化、损失。[用于解决问题的手段]根据本专利技术的第一方式，半导体装置包括：半导体元件；元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面；以及密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线，在对置配置的所述元件用导体和所述连接用导体中的至少一方导体的对置侧面上设置有寄生电容降低结构。根据本专利技术的第二方式，在第一方式的半导体装置中，优选的是，所述寄生电容降低结构设置在所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方的上部侧。根据本专利技术的第三方式，在第二方式的半导体装置中，优选的是，所述寄生电容降低结构从所述上部侧到所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方的下表面设置成柱状。根据本专利技术的第四方式，在第一方式的半导体装置中，优选的是，所述寄生电容降低结构是在最接近另一方的导体侧的最接近的第一位置确定的对置面间距离为最小且与第一位置不同的第二位置的对置面间距离为比其大的尺寸的对置面。根据本专利技术的第五方式，在第四方式的半导体装置中，优选的是，具有所述寄生电容降低结构的对置面是平面或曲面。根据本专利技术的第六方式，在第一方式的半导体装置中，优选的是，所述寄生电容降低结构是所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方在俯视下为多边形状的结构，具有所述多边形状的导体具有最接近另一方的导体侧的最接近的第一对置面和除此以外的第二对置面，由所述第二对置面确定的对置面间距离为比由所述第一对置面确定的对置面间距离大的尺寸。根据本专利技术的第七方式，在第一方式的半导体装置中，优选的是，所述寄生电容降低结构是所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方在俯视下具有圆弧形状的结构，具有所述圆弧形状的导体具有最接近另一方的导体侧且最小对置面间距离确定的最接近的第一对置面和所述第一对置面以外的第二对置面，所述第二对置面的对置面间距离为比所述最小对置面间距离大的尺寸。根据本专利技术的第八方式，在第六或第七方式的半导体装置中，优选的是，所述寄生电容降低结构包含在所述第一对置面和所述第二对置面上连续状地形成的凹凸。根据本专利技术的第九方式，在第一至第八方式任意方式的半导体装置中，优选的是，所述元件用导体的所述元件搭载面的面积形成为俯视时比所述半导体元件的面积小，所述半导体元件的外周侧面配置在所述元件搭载面的外周侧面的外侧。根据本专利技术的第十方式，半导体装置包括：半导体元件；元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面连接；密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线；以及寄生电容降低结构，其设置在对置配置的所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方导体的与另一方导体对置的对置侧面上，在所述寄生电容降低结构中，所述一方导体的对置侧面与所述另一方导体的对置侧面的对置面间距离最小的第一位置处的面积形成为比所述一方导体的所述对置侧面的面积整体小。根据本专利技术的第十一方式，在第十方式的半导体装置中，优选的是，所述一方导体的所述第一位置处的面积形成得比与所述第一位置不同的第二位置处的对置侧面整体的面积小。根据本专利技术的第十二方式，半导体装置包括：半导体元件；元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面；密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线；以及在所述密封树脂上形成的槽部，所述槽部介于元件用导体与所述连接用导体所对置的侧面之间。根据本专利技术的第十三方式，在第一至第九方式任意方式的半导体装置中，优选的是，在所述密封树脂上形成的槽部，该槽部介于所述元件用导体与所述连接用导体所对置的侧面之间。[专利技术的效果]根据本专利技术，能够减小元件用导体和连接用导体之间的寄生电容。附图说明图1表示本专利技术的半导体装置的第一实施方式，图1(a)是半导体装置的剖面图，图1(b)是从下方观察图1(a)的仰视图。图2是用于说明图1所示的半导体装置的制造方法的图，图2(a)～图2(e)分别是各工序中的各部件的剖面图。图3表示本专利技术的半导体装置的第二实施方式，图3(a)是半导体装置的剖面图，图3(b)是从下方观察图3(a)的仰视图。图4是用于说明图3所示的半导体装置的制造方法的图，图4(a)～图4(c)分别是各工序中的各部件的剖面图，图4(d)是图4(a)的区域A的放大图。图5表示本专利技术的半导体装置的第三实施方式，图5(a)是半导体装置的剖面图，图5(b)是从下方观察图5(a)的第一仰视图，图5(c)是从下方观察图5(a)的第二仰视图。图6是表示本专利技术的半导体装置的第四实施方式的剖面图。图7是表示本专利技术的半导体装置的第五实施方式的剖面图。图8表示本专利技术的半导体装置的第六实施方式，是从下表面侧观察半导体装置的仰视图。图9表示本专利技术的半导体装置的第七实施方式，是从下方观察半导体装置的仰视图。图10表示本专利技术的半导体装置的第八实施方式，是从下方观察半导体装置的仰视图。图11表示本专利技术的半导体装置的第九实施方式，是从下方观察半导体装置的仰视图。图12表示本专利技术的半导体装置的第十实施方式，图12(a)是半导体装置的剖面图，图12(b)是从下方观察图12(a)的仰视图。具体实施方式-第一实施方式-参照图1～图2，说明本专利技术半导体装置10的第一实施方式。图1表示本专利技术的半导体装置的第一实施方式，图1(a)是半导体装置的剖面图，图1(b)是从下方观察图1(a)的仰视图。半导体装置10具有半导体元件11、搭载半导体元件11的元件用导体30、连接用导体40、连接半导体元件11的电极焊盘11a和连接用导体40的接合线12、以及将整体密封的密封树脂14。半导体元件11在上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n半导体元件；/n元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；/n连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；/n连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面；以及/n密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线，/n在对置配置的所述元件用导体和所述连接用导体中的至少一方导体的对置侧面上设置有寄生电容降低结构。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 JP 2018-0645691.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体元件；
元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；
连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；
连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面；以及
密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线，
在对置配置的所述元件用导体和所述连接用导体中的至少一方导体的对置侧面上设置有寄生电容降低结构。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述寄生电容降低结构设置在所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方的上部侧。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述寄生电容降低结构从所述上部侧到所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方的下表面设置成柱状。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述寄生电容降低结构是在最接近另一方的导体侧的最接近的第一位置确定的对置面间距离为最小且与第一位置不同的第二位置的对置面间距离为比其大的尺寸的对置面。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
具有所述寄生电容降低结构的对置面是平面或曲面。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述寄生电容降低结构是所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方在俯视下为多边形状的结构，
具有所述多边形状的导体具有最接近另一方的导体侧的最接近的第一对置面和除此以外的第二对置面，由所述第二对置面确定的对置面间距离为比由所述第一对置面确定的对置面间距离大的尺寸。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述寄生电容降低结构是所述元件用导体和所述连接用导体的至少一方在俯视下具有圆弧形状的结构，
具有所述圆弧形状的导体具有最接近另一方的导体侧且最小对置面间距离确定的最接近的第一对置面和所述第一对置面以外的第二对置面，所述第二对置面的对置面间距离为比所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高尾胜大，
申请(专利权)人：青井电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP