半导体模块及其制造方法、电子装置、电子模块以及电子装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号：40786335 阅读：3 留言：0更新日期：2024-03-28 19:18

半导体模块的制造方法是，在将具有第一裸片电极的第一裸片、具有第二裸片电极的第二裸片、连接到第一裸片电极的第一连接部以及连接到第二裸片电极的第二连接部通过密封体密封后，将具有第一桥接电极和第二桥接电极的桥接器搭载于用密封体密封了的结构体。第一裸片和第二裸片(42)经由桥接器被电连接。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体模块及其制造方法。

技术介绍

1、有连接多个ic(integrated circuit：集成电路)芯片的技术。例如，在专利文献1中记载了通过与插入器一起模制的桥接器(嵌套组件)连接2个ic芯片的半导体封装。在专利文献2中记载了经由通过底部填充材料与插入器一体形成的桥接器将2个ic芯片电连接的半导体封装。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2021/0005542号说明书

5、专利文献2：美国专利申请公开第2020/0395313号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本申请专利技术人对具备经由桥接器连接的多个ic芯片的半导体封装、使用该半导体封装的半导体模块进行了研究，结果发现上述半导体封装、半导体模块有改善的余地。例如，在经由与插入器一体化的桥接器将2个ic芯片电连接的情况下，难以高精度地进行2个ic芯片各自的端子与桥接器的端子的对位。在这种情况下，将ic芯片和桥接器电连接的端子部分的高密度化受到限制。

3、本专利技术是在这样的情况下完成的，其某个方式的示例性目的之一是提供一种能使ic芯片和桥接器更高密度地耦接的技术。

4、用于解决问题的方案

5、作为一实施方式的半导体模块的制造方法包括：工序(a)，在第一支承体的第一面上形成包括向所述第一面的面外方向延伸的第一柱状连接部的第一连接部、和包括向所述第一面的面外方向延伸的第

6、作为其他实施方式的半导体模块的制造方法包括：工序(a)，在第一支承体的第一面上，在形成第一绝缘层后，在所述第一绝缘层形成第一开口部和第二开口部；工序(b)，形成包括形成在所述第一开口部内的第一柱状连接部的第一连接部、和包括形成在所述第二开口部内的第二柱状连接部的第二连接部；工序(c)，准备具有第一ic芯片、连接到所述第一ic芯片的第一裸片电极以及密封所述第一裸片电极的第二绝缘层的第一半导体裸片、和具有第二ic芯片、连接到所述第二ic芯片的第二裸片电极以及密封所述第二裸片电极的第三绝缘层的第二半导体裸片，以在所述第一连接部上配置所述第一裸片电极且在所述第二连接部上配置所述第二裸片电极的方式将所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片中的每一个半导体裸片搭载于所述第一支承体上；工序(d)，在所述工序(c)之后，将所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片通过第一密封体密封；

7、工序(e)，在所述工序(d)之后，去除所述第一支承体且使所述第一柱状连接部的一部分和所述第二柱状连接部的一部分分别从所述第一绝缘层露出；工序(f)，准备包括连接到所述第一连接部的第一桥接电极和连接到所述第二连接部的第二桥接电极的桥接器，在所述工序(e)之后，以在所述第一柱状连接部上配置所述第一桥接电极且在所述第二柱状连接部上配置所述第二桥接电极的方式将所述桥接器搭载于用所述第一密封体密封的结构体。在所述工序(c)中，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层相互被接合，且所述第一裸片电极由所述第一绝缘层和所述第二绝缘层密封。在所述工序(c)中，所述第一绝缘层与所述第三绝缘层相互被接合，且所述第二裸片电极由所述第一绝缘层和所述第三绝缘层密封。

8、作为其他实施方式的半导体模块具备：第一半导体裸片，具有第一ic芯片和连接到所述第一ic芯片的第一裸片电极；第二半导体裸片，具有第二ic芯片和连接到所述第二ic芯片的第二裸片电极；第一连接部，电连接到所述第一裸片电极；第二连接部，电连接到所述第二裸片电极；桥接器，具有连接到所述第一连接部的第一桥接电极和连接到所述第二连接部的第二桥接电极；以及第一密封体，密封所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片。所述第一连接部包括第一柱状连接部，所述第一柱状连接部配置在所述第一半导体裸片和所述桥接器之间，在从所述第一半导体裸片和所述桥接器的一方去往另一方的方向上延伸。所述第一连接部包括第二柱状连接部，所述第二柱状连接部配置在所述第一半导体裸片和所述桥接器之间，在从所述第一半导体裸片和所述桥接器的一方去往另一方的方向上延伸。所述第一桥接电极和所述第二桥接电极从所述第一密封体露出。所述第一柱状连接部和所述第二柱状连接部中的每一个柱状连接部被所述第一密封体密封。

9、本专利技术的别的方式涉及电子装置。电子装置具备：第一裸片，具有第一电极；第二裸片，具有第二电极；第一连接部，电连接到第一电极；第二连接部，电连接到第二电极；以及桥接器，电连接到第一连接部和第二连接部。第一连接部具有从桥接器去往第一裸片的柱状连接部。

10、本专利技术的别的方式涉及电子模块。电子模块具备：上述的电子装置；布线层，在内部设置有布线；以及柱状的连接部，将布线与电子装置电连接。

11、本专利技术的别的方式涉及电子装置的制造方法。电子装置的制造方法包括：形成工序，在支承体上形成包括从柱状的所述支承体突出的柱状的柱状连接部的第一连接部和第二连接部；裸片耦接工序，使第一裸片所具有的第一电极耦接于第一连接部，使第二裸片所具有的第二电极耦接于第二连接部；密封工序，将第一裸片、第二裸片、第一连接部通过树脂进行密封；以及桥接器耦接工序，使桥接器耦接于第一连接部的下部和第二连接部的下部。

12、需要说明的是，将以上的构成要素的任意组合、本专利技术的表现在方法、装置、系统、记录介质、计算机程序等之间进行了转换的内容作为本专利技术的方式也是有效的。

13、专利技术效果

14、根据上述的实施方式，能够使ic芯片与桥接器更高密度地耦接。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体模块的制造方法，

2.根据权利要求1所述的半导体模块的制造方法，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体模块的制造方法，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体模块的制造方法，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体模块的制造方法，其中，

6.根据权利要求4所述的半导体模块的制造方法，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体模块的制造方法，其中，

8.一种半导体模块的制造方法，

9.根据权利要求8所述的半导体模块的制造方法，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体模块的制造方法，其中，

11.一种半导体模块，

12.根据权利要求11所述的半导体模块，其中，

13.根据权利要求11所述的半导体模块，其中，

14.根据权利要求11所述的半导体模块，其中，

15.根据权利要求11所述的半导体模块，其中，

16.一种电子装置，

17.根据权利要求16所述的电子装置，其中，

18.根

19.根据权利要求16所述的电子装置，其中，

20.根据权利要求16所述的电子装置，其中，

21.根据权利要求16所述的电子装置，其中，

22.一种电子模块，

23.根据权利要求22所述的电子模块，其中，

24.一种电子装置的制造方法，

25.根据权利要求24所述的电子装置的制造方法，其中，

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】