半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置，具备：半导体元件，其在第1面具有第1电极与第2电极，在第2面具有第3电极，通过被施加于第1电极的电压来控制第2电极与第3电极之间的导通；导电性的第1引线，其与第1电极电连接，延伸至比第1面的周缘部更靠外侧；以及导电性的第2引线，其与第2电极电连接，延伸至比第1面的周缘部更靠外侧，第1面的周缘部中的至少一边，不与第1引线及第2引线对置，在第1引线及第2引线的与第1面的周缘部对置的部分形成有槽。对置的部分形成有槽。对置的部分形成有槽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]将MOSFET等的功率半导体元件以封装(密封部)密封了的半导体装置已被提案(参照专利文献1)。MOSFET等功率半导体元件，作为控制高电压的电力的控制元件的应用一直被期待。
[0003][现有技术文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]美国专利申请公开第2004/0063240号说明书

技术实现思路

[0006][专利技术所要解决的课题][0007]在MOSFET等功率半导体元件，在形成于第1面的栅极区域(栅电极)与源极区域(源电极)、与形成于与第1面相反侧的第2面的漏极区域(漏电极)之间，施加60～200V左右以上的高电压。另外，在MOSFET的构造上，在其第1面的周缘部，产生与被施加于漏极区域的电压大致相等值的电压。
[0008]因此，当MOSFET的第1面的周缘部，与连接于第1面的栅极区域的栅极引线、及连接于第1面的源极区域的源极引线接近配置时，会有在两者之间无法保持充分的绝缘性的情形。
[0009][解决课题的手段][0010]根据第1方式，本专利技术的半导体装置，具备：半导体元件，其在第1方向侧的第1面具有第1电极与第2电极，在与上述第1方向相反侧的第2面具有第3电极，通过被施加于上述第1电极的电压来控制上述第2电极与上述第3电极之间的导通；导电性的第1引线，其与上述第1电极电连接，沿着上述第1面延伸至比上述第1面的周缘部更靠外侧；以及导电性的第2引线，其与上述第2电极电连接，沿着上述第1面延伸至比上述第1面的上述周缘部更靠外侧，上述半导体元件的上述第1面的上述周缘部中的至少一边，不与上述第1引线及上述第2引线对置，在上述第1引线及上述第2引线的与上述半导体元件的上述第1面的上述周缘部对置的部分形成有槽。
[0011][专利技术的效果][0012]根据本专利技术，能实现在沿着半导体元件的第1面形成的第1引线及第2引线与半导体元件的第1面的周缘部之间的绝缘性优异的半导体装置。
附图说明
[0013]图1是表示第1实施方式的半导体装置的概略构成的图。
[0014]图2是表示第1实施方式的半导体装置安装于配线基板后的状态的图。
[0015]图3是表示变形例1的半导体装置的概略构成的图。
[0016]图4是表示变形例2的半导体装置的概略构成的图。
具体实施方式
[0017](第1实施方式的半导体装置)
[0018]以下，参照图1(a)及图1(b)，对第1实施方式的半导体装置1进行说明。在图1(a)、图1(b)及以下各图中以箭头所示的X方向、Y方向及Z方向，是将其箭头所指示的方向作为+方向。另外，X方向、Y方向及Z方向是彼此正交的方向。
[0019]在本说明书中，也将
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Z方向称为“第1方向”或“下方”。另外，也将+Z方向称为“上方”，将从上方(+Z方向)观察对象物称为“俯视”。
[0020]图1(a)是表示第1实施方式的半导体装置1的俯视状态的图。图1(b)是表示图1(a)所示的A—A剖面线的半导体装置1在XZ面的剖面图的图。但是，为了容易理解，对于原本不在A—A剖切线上的后述的第2电极12，也将其一部分表示于图1(b)。
[0021]图1(a)是表示图1(b)所示的B—B剖面线的半导体装置1在XY面的剖面。但是，为了容易理解，对于原本不在B—B剖切线的后述的半导体元件10、第1电极11及第2电极12也表示于图1(a)。
[0022]半导体装置1具有被密封部20密封的半导体元件10。半导体元件10，例如是作为功率半导体元件的MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效晶体管)。半导体元件10，在
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Z方向侧(第1方向侧)的面即第1面S1，具有作为一例的栅电极即第1电极11、及作为一例的源电极即第2电极12。半导体元件10，在与第1方向相反侧的面即第2面S2，具有作为一例的漏电极即第3电极13。
[0023]与一般的MOSFET同样地，通过将既定电压施加于半导体元件10的第1电极11(栅电极)，能控制第2电极12(源电极)与第3电极13(漏电极)之间的导通。此外，由于半导体元件10的内部构造与一般的MOSFET相同，故省略其说明。
[0024]俯视时的半导体元件10的形状，即俯视时的第1面S1的形状，作为一例是长方形，第1面S1的周缘部以四个边E1～E4规定。边E1是第1面S1的
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X侧的周缘部，边E2是第1面S1的
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Y侧的周缘部，边E3是第1面S1的+X侧的周缘部，边E4是第1面S1的+Y侧的周缘部。
[0025]由导电性材料构成的第1引线21，经由凸块14而与半导体元件10的第1面S1的第1电极11电连接。第1引线21从第1电极11之下(
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Z侧)沿着第1面S1、即相对于第1面S1保持大致既定间隔向+X方向延伸，而延伸至比第1面S1的周缘部的边E3更靠外侧。
[0026]由导电性材料构成的第2引线22，经由未图示的凸块而与半导体元件10的第1面S1的第2电极12电连接。第2引线22从第2电极12之下(
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Z侧)沿着第1面S1向+X方向延伸，而延伸至比第1面S1的周缘部的边E3更靠外侧。
[0027]半导体元件10的第1面S1与第1引线21及第2引线22之间的间隔为大致凸块14的高度，作为一例是0.02～0.10mm左右。
[0028]另一方面，如图1(b)所示，在半导体元件10的第2面S2的第3电极13，经由焊料或导电糊等的导电材料15而连接有夹持部23b。夹持部23b从第3电极13之上(+Z侧)沿着第2面S2向
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X方向延伸，而延伸至比第2面S2的周缘部的边E5更靠外侧(
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X侧)。夹持部23b在比边E5更靠
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X侧处向
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Z方向弯曲，其前端部与底座部23a电连接。
[0029]底座部23a与夹持部23b，作为整体而构成第3引线23。在夹持部23b的一端与底座部23a之间，也可设置未图示的导电材料。
[0030]第1引线21、第2引线22及第3引线23，以铜等的金属等导电材料构成。
[0031]除了半导体元件10，第1引线21、第2引线22及第3引线23的至少一部分也以绝缘性的密封部20密封。但是，第1引线21的第1方向(
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Z方向)侧的底面21B、第2引线22的第1方向侧的底面(未图示)、及第3引线23的第1方向侧的底面23B，从密封部20露出。
[0032]第1引线21的+X方向侧即与半导体元件10相距较远侧的端面21S、第2引线22的+X方向侧即与半导体元件10相距较远侧的端面22S，从密封部20露出。同样地，第3引线23的
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X方向侧即与半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件，其在第1方向侧的第1面具有第1电极与第2电极，在与上述第1方向相反侧的第2面具有第3电极，通过被施加于上述第1电极的电压来控制上述第2电极与上述第3电极之间的导通；导电性的第1引线，其与上述第1电极电连接，沿着上述第1面延伸至比上述第1面的周缘部更靠外侧；以及导电性的第2引线，其与上述第2电极电连接，沿着上述第1面延伸至比上述第1面的上述周缘部更靠外侧，上述半导体元件的上述第1面的上述周缘部中的至少一边，不与上述第1引线及上述第2引线对置，在上述第1引线及上述第2引线的与上述半导体元件的上述第1面的上述周缘部对置的部分形成有槽。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备导电性的第3引线，其与上述第3电极电连接，沿着上述第2面延伸至比上述第2面的周缘部更靠外侧，在比上述周缘部更靠外侧处向上述第1方向弯曲。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述第3引线相对于上述第3电极延伸的方向，是上述第1引线相对于上述第1电极延伸的方向，或是与上述第2引线相对于上述第2电极延伸的方向相反的方向。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述半导体元件的上述第1面的上述周缘部中位于上述第3引线延伸的方向的边，不与上述第1引线及上述第2引线对置。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述半导体元件的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：高尾胜大，黑羽淳史，
申请(专利权)人：青井电子株式会社，
类型：发明
国别省市：