一种器件封装结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种器件封装结构及制备方法，包括芯片，芯材基体，正面重布线层，背面重布线层，垂直互连结构，模塑材料结构和设置在正面重布线层上的焊球；芯片包括芯片有源面和芯片晶背，芯片有源面一侧设置有芯片焊盘，正面重布线层设置在芯片有源面一侧，背面重布线层设置在芯片晶背一侧，垂直互连结构连接正面重布线层和背面重布线层，模塑材料结构设置在芯片与垂直互连结构之间。本发明专利技术利用扇出封装技术形成，在结构中集成了芯材基体，利用正面重布线层、背面重布线层、垂直互连结构的其中之一或者他们的组合，并结合芯材基体的电气特性可以形成无源器件，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种器件封装结构及制备方法
本专利技术涉及无源器件的制备与集成领域，具体涉及一种器件的封装结构及制备方法。
技术介绍
在现代电子系统、计算机系统、通信系统中大量使用无源器件，例如电容可以作为滤波、隔离器件使用，电阻可以作为分压、滤波器件使用，电感可以作为变压、滤波器件。由无源器件组成的无源器件网络可以实现更加复杂的功能，例如电桥、巴伦、功分器等。随着系统集成度的提高，集成无源器件(IPD)已经成功商用并逐渐替代传统的分立无源器件。但是在高密度、高精度无源器件方面，经常需要特殊材料、特殊工艺，制约着高性能无源器件的发展。进一步而言，无源器件的集成方式已经成为系统进一步小型化的制约因素。传统的无源器件通过表面贴装技术(surfacemounttechnology，SMT)集成在PCB板或者芯片基板上。虽然IPD器件可以以裸芯片形式与其他功能芯片进行合封形成系统级封装(SysteminPackage，SiP)，提高了系统的集成度。但在需要集成高性能无源器件的场景，无源器件及其集成仍然占据了大量的PCB、芯片基板面积。>扇出封装技术(Fa本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件封装结构，其特征在于：包括芯片(1)，芯材基体(2)，正面重布线层(3)，背面重布线层(4)，垂直互连结构(5)，模塑材料结构(6)和设置在所述正面重布线层(3)上的焊球(7)；所述芯材基体(2)设置在所述芯片(1)的侧面，所述芯片(1)包括芯片有源面(11)和芯片晶背(12)，所述芯片有源面(11)一侧设置有芯片焊盘(13)，所述正面重布线层(3)设置在所述芯片有源面(11)一侧，所述背面重布线层(4)设置在所述芯片晶背(12)一侧，所述垂直互连结构(5)连接所述正面重布线层(3)和所述背面重布线层(4)，所述模塑材料结构(6)设置在所述芯片(1)与所述垂直互连结构(5)之间，所...

【技术特征摘要】
1.一种器件封装结构，其特征在于：包括芯片(1)，芯材基体(2)，正面重布线层(3)，背面重布线层(4)，垂直互连结构(5)，模塑材料结构(6)和设置在所述正面重布线层(3)上的焊球(7)；所述芯材基体(2)设置在所述芯片(1)的侧面，所述芯片(1)包括芯片有源面(11)和芯片晶背(12)，所述芯片有源面(11)一侧设置有芯片焊盘(13)，所述正面重布线层(3)设置在所述芯片有源面(11)一侧，所述背面重布线层(4)设置在所述芯片晶背(12)一侧，所述垂直互连结构(5)连接所述正面重布线层(3)和所述背面重布线层(4)，所述模塑材料结构(6)设置在所述芯片(1)与所述垂直互连结构(5)之间，所述正面重布线层(3)包括凸点下金属化层(31)、第一介电材料(32)、第一重布线层(33)和第一互连孔(34)，所述背面重布线层(4)包括背置焊盘(41)、第二介电材料(42)、第二重布线层(43)和第二互连孔(44)。


2.一种器件封装结构，其特征在于：包括芯片(1)，芯材基体(2)，正面重布线层(3)，模塑材料结构(6)和设置在所述正面重布线层(3)上的焊球(7)；所述芯材基体(2)设置在所述正面重布线层(3)内部，所述芯片(1)包括芯片有源面(11)和芯片晶背(12)，所述芯片有源面(11)一侧设置有芯片焊盘(13)，所述正面重布线层(3)设置在所述芯片有源面(11)一侧，所述正面重布线层(3)包括凸点下金属化层(31)、第一介电材料(32)、第一重布线层(33)和第一互连孔(34)。


3.根据权利要求1所述的器件封装结构，其特征在于：所述第二重布线层(43)至少为一层，所述第二互连孔(44)至少为一个，所述第二互连孔(44)连接所述第二重布线层(43)之间或所述第二重布线层(43)与所述垂直互连结构(5)或所述第二重布线层(43)与所述背置焊盘(41)。


4.根据权利要求1或2或3所述的器件封装结构，其特征在于：所述第一重布线层(33)至少为一层，所述第一互连孔(34)至少为一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏启甫，王双福，林海立，
申请(专利权)人：泓林微电子昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32