一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，包括自上而下层叠设置的第一金属层至第五金属层和第一介质材料层至第四介质材料层；第一金属层和第四金属层之间设有第一集成电感至第四集成电感，第一金属层至第四金属层上均设有多个金属布线，第一介质材料层至第三介质材料层上均设有多个金属化孔，第一集成电感至第四集成电感的上端均设有一个第一电极，第一集成电感至第四集成电感的下端均设有一个第二电极，第一集成电感至第四集成电感的电感值均为0.1nH

【技术实现步骤摘要】
一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件


[0001]本技术涉及谐振器
，具体为一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件。

技术介绍

[0002]随着现代通信技术的快速发展，移动通信系统提出了更快的传输速率、更高的频谱利用率、更多的设备接入量和更低的时延等发展目标，对现有的各种元器件在性能上提出了更高的需求。尤其对于射频滤波器，因其能够滤除通带范围外的干扰信号，提高通信系统的信噪比，改善通信质量，由其组成的双工器、多工器及合路器等射频器件在5G移动通信系统中起着至关重要的作用。
[0003]目前，由于微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
MechanicalSystem，MEMS)谐振器具有品质因数(Q值)高、体积小、功耗低、可靠性好、稳定性强，且易于封装集成的优点，以其为基础的声波滤波芯片，包括滤波器、双工器、多工器及合路器等，在无线通讯系统中得到广泛的使用。然而，随着频率资源越来越紧张，相邻通讯频段之间的保护带宽越来越窄，对声波滤波芯片的带外抑制能力、矩形度等指标要求越来越高。
[0004]为了提高声波滤波芯片的性能，通常会需要在MEMS谐振器的外围增加集成电感器，从而在阻带范围内引入更多的传输零点。但是，根据声波滤波芯片的工作频段、功能组合、性能指标等需求，引入的集成电感的形式、电感值、电感数量差异较大。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，包括自上而下层叠设置的第一金属层至第五金属层、以及自上而下设置且分别设于相邻两个金属层之间的第一介质材料层至第四介质材料层；所述第一金属层和第四金属层之间设有穿设于第一介质材料层至第三介质材料层上的第一集成电感至第四集成电感，所述第一金属层至第四金属层上均设有与第一集成电感至第四集成电感连接的多个金属布线，所述第一介质材料层至第三介质材料层上均设有用于第一集成电感至第四集成电感穿过的多个金属化孔，所述第一集成电感至第四集成电感的上端均设有一个第一电极，四个所述第一电极均设置于第一金属层上，所述第一集成电感至第四集成电感的下端均设有一个第二电极，四个所述第二电极均设置于第四金属层上，所述第一集成电感至第四集成电感的电感值均为0.1nH
‑
2nH。
[0007]进一步优选，所述第一金属层至第五金属层的厚度均为15
±
5毫米，能够实现较高性能且易于加工。
[0008]进一步优选，所述第一介质材料层和第四介质材料层的厚度均为30
±
10毫米，所述第二介质材料层和第三介质材料层的厚度均为40
±
10毫米，能够实现较高性能且机械强
度高。
[0009]进一步优选，所述金属布线的宽度为30
‑
50微米，由其绕制而成的基板集成电感具有较高的品质因数；相邻两个所述金属布线之间的距离为30
‑
50微米，不同金属布线之间的相互影响较低，且布线区域面积能够更加紧凑。
[0010]进一步优选，所述金属化孔的直径尺寸为60
‑
80微米，实现第一集成电感至第四集成电感的安装，且能够尽量降低其所占区域面积，提高空间利用率。
[0011]进一步优选，所述第一金属层至第五金属层的材质为铜、金和铝中的任意一种或多种，导电性好。
[0012]进一步优选，所述第一介质材料层至第四介质材料层的材质为树脂和陶瓷中的一种或两种，绝缘性能好且价格成本低。
[0013]进一步优选，所述第一集成电感至第四集成电感在垂直方向上呈螺旋式，通过将不同层的金属布线按照同一个旋转方向通过金属化孔连接起来，形成螺旋电感，使得电感具有相对较高的电感值和品质因数。
[0014]有益效果：本技术的适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，通过第一集成电感至第四集成电感能够引入传输零点，提高传输性能；通过将第一集成电感至第四集成电感集成于同一基板内，使封装基板结构紧凑，降低了制造成本；该匹配构件与MEMS谐振器封装到一起可以形成高性能的B1频段双工器，提高了基于MEMS谐振器的B1频段双工器两传输通带之间的隔离度，很好地实现了B1频段下MEMS双工器性能与成本之间的折中。
附图说明
[0015]图1是本技术实施例所公开的一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件的侧面结构示意图；
[0016]图2是本技术实施例所公开的一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件的第一金属层至第五金属层的透视图；
[0017]图3是本技术实施例所公开的第一金属层平面图；
[0018]图4是本技术实施例所公开的第二金属层平面图；
[0019]图5是本技术实施例所公开的第三金属层平面图；
[0020]图6是本技术实施例所公开的第四金属层平面图；
[0021]图7是本技术实施例所公开的第五金属层平面图。
具体实施方式
[0022]以下是本技术的具体实施例并结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。
[0023]如图1
‑
7所示，一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，其用于和MEMS谐振器封装后组成双工器，能够提高双工器两传输通带间隔离度。
[0024]实施例一、
[0025]如图1所示，一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，包括自上而下层叠设置用于布线的第一金属层101、第二金属层102、第三金属层103、第四金属层104和第五金属层105,以及自上而下设置且分别设于相邻两个金属层之间的第一介质材料层111、第二介质材料
层112、第三介质材料层113和第四介质材料层114，实现相邻两个金属层间的绝缘；第一金属层101和第四金属层104之间设有穿设于第一介质材料层111至第三介质材料层113上的第一集成电感131、第二集成电感132、第三集成电感133和第四集成电感134，第一集成电感131至第四集成电感134通过第一金属层101至第四金属层104内的金属布线实现连通，第一介质材料层111至第三介质材料层113上设有第一集成电感131至第四集成电感134穿过的金属化孔，实现第一集成电感131至第四集成电感134的安装、固定。第一集成电感131至第四集成电感134的上端均设有一个第一电极121，四个第一电极121均设置于第一金属层101上，通过第一电极121实现与MEMS谐振器形成电气连接，实现适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件的封装基板与MEMS谐振器的封装，以提供高性能的B1频段双工器，从而提高基于MEMS谐振器的B1频段双工器两传输通带之间的隔离度；第一集成电感131至第四集成电感134的下端均设有一个第二电极122，四个第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，其特征在于：包括自上而下层叠设置的第一金属层至第五金属层、以及自上而下设置且分别设于相邻两个金属层之间的第一介质材料层至第四介质材料层；所述第一金属层和第四金属层之间设有穿设于第一介质材料层至第三介质材料层上的第一集成电感至第四集成电感，所述第一金属层至第四金属层上均设有与第一集成电感至第四集成电感连接的多个金属布线，所述第一介质材料层至第三介质材料层上均设有用于第一集成电感至第四集成电感穿过的多个金属化孔，所述第一集成电感至第四集成电感的上端均设有一个第一电极，四个所述第一电极均设置于第一金属层上，所述第一集成电感至第四集成电感的下端均设有一个第二电极，四个所述第二电极均设置于第四金属层上，所述第一集成电感至第四集成电感的电感值均为0.1nH
‑
2nH。2.根据权利要求1所述的一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，其特征在于：所述第一金属层至第五金属层的厚度均为15
±
5毫米。3.根据权利要求1所述的一种适用于B1频段MEMS谐振器匹配构件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：高浩洋，王双福，宁晓宇，魏启甫，
申请(专利权)人：泓林微电子昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：