一种双面封装芯片散热结构制造技术

本发明专利技术公开了一种双面封装芯片散热结构，包括印制电路板，印制电路板的上方设有芯片基板，印制电路板和芯片基板之间通过第一焊球连接，芯片基板的上方设有散热盖，芯片基板的中间下方设置有一个或多个底面器件，底面器件与印制电路板之间设有热界面材料，多个第一焊球分布于热界面材料的周边。本发明专利技术的有益效果是：该双面封装芯片的上方通过散热盖实现向上的散热通道，下方的底面器件通过热界面材料及印制电路板形成向下的散热通道，达到减小封装热阻的目的，使得底面器件上的热量能够更快传导到印制电路板中，实现底面器件的快速散热，进而实现该双面封装芯片的底部散热，提高该双面封装芯片的散热能力，解决双面封装中焊球侧芯片的散热问题。芯片的散热问题。芯片的散热问题。

【技术实现步骤摘要】
一种双面封装芯片散热结构


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路的散热领域，具体为一种双面封装芯片散热结构。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺节点不断接近物理极限，传统摩尔定律(Moore
’
s law)特征尺寸等比缩小原则已经不能满足半导体技术和电子产品发展的需求。微系统集成则是综合了延续摩尔定律和超越摩尔定律两条路径的最新成果，通过三维异质异构集成实现更高的价值，从而成为延续摩尔定律和超越摩尔定律的重要解决途径之一。微系统的实现途径主要有SoC(System on Chip)和SiP(System in Package)两条主要路线。由于摩尔定律的发展正在减缓，片上系统(SoC)面临着设计难度提升和研发成本不断提升的挑战。在各种电子器件的封装形式及性能不断提升的背景下，SiP技术成为在系统层面延续摩尔定律的关键技术路线，是后摩尔时代延续摩尔定律的重要解决途径，成为当今微电子技术重要的发展方向之一。与SoC相比，SiP的优势主要体现在周期短，成本低，容易实现。SiP的研发成本只需要SoC研发成本的10
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面封装芯片散热结构，包括印制电路板(101)，所述印制电路板(101)的上方设有芯片基板(105)，所述印制电路板(101)和芯片基板(105)之间通过第一焊球(104)连接，所述芯片基板(105)的上方设有散热盖(106)，其特征在于：所述芯片基板(105)的中间下方设置有一个或多个底面器件(103)，所述底面器件(103)与印制电路板(101)之间设有热界面材料(102)，多个所述第一焊球(104)分布于热界面材料(102)的周边。2.根据权利要求1所述的一种双面封装芯片散热结构，其特征在于：所述印制电路板(101)的上方设有阻焊层(1011)。3.根据权利要求2所述的一种双面封装芯片散热结构，其特征在于：所述印制电路板(101)的上方设有顶面铜层(1013)，所述顶面铜层(1013)位于热...

【专利技术属性】
技术研发人员：王双福，滕天杰，魏启甫，
申请(专利权)人：泓林微电子昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：