导热结构、处理器及其制备方法、封装器件技术

本发明专利技术提供一种导热结构、处理器及其制备方法、封装器件，导热结构包括：均温板、第一毛细网格片、第二毛细网格片和若干个支撑柱；均温板内开设有密闭的真空腔，真空腔内填充有导热介质，第一毛细网格片位于真空腔的顶部并与均温板固定连接，第二毛细网格片位于真空腔的底部并与均温板固定连接，第一毛细网格片的目数大于第二毛细网格片的目数；支撑柱位于真空腔内，支撑柱的上下两端均与均温板固定连接；均温板朝向下的一端用于连接热源。本发明专利技术能够提高导热结构的导热效率。提高导热结构的导热效率。提高导热结构的导热效率。

【技术实现步骤摘要】
导热结构、处理器及其制备方法、封装器件


[0001]本专利技术涉及散热
，尤其涉及一种导热结构、处理器及其制备方法、5封装器件。

技术介绍

[0002]为了进一步降低封装芯片的热阻，内部带有真空腔的均温板(vapor chamber)被用在封装芯片上。其中，均温板是通过填充在真空腔中的导热介质
[0003]的物理状态变化实现高效率热传导。具体的是，均热板在底部受热后，导热介0质吸收均温板底部的热量并由液态变为气态，且上升至真空腔的顶部；气态的导热介质在真空腔内与均温板的顶部接触并液化放出热量，待液体流至真空腔的底部时继续吸热汽化，如此往复即能够实现高效率热传导。
[0004]但是，现有的均温板在使用的过程中表面经常出现凸凹不平的形变，如此将无法满足封装后的芯片对均温板平面度的要求，致使安装在均温板上的散热5器的导热效率大大降低。同时，现有的均温板中液化后的导热介质回流至真空腔底部的速度比较慢，从而影响均温板的导热效率。

技术实现思路

[0005]为解决上述问题，本专利技术提供的导热结构、处理器及其制备方法、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导热结构，其特征在于，包括：均温板、第一毛细网格片、第二毛细网格片和若干个支撑柱；所述均温板内开设有密闭的真空腔，所述真空腔内填充有导热介质，所述第一毛细网格片位于所述真空腔的顶部并与所述均温板固定连接，所述第二毛细网格片位于所述真空腔的底部并与所述均温板固定连接，所述第一毛细网格片的目数大于所述第二毛细网格片的目数；所述支撑柱位于所述真空腔内，所述支撑柱的上下两端均与所述均温板固定连接；所述均温板朝向下的一端用于连接热源。2.根据权利要求1所述的导热结构，其特征在于，所述均温板包括：上盖板和下盖板；所述上盖板位于所述下盖板上方，所述上盖板与所述下盖板密封连接，所述上盖板和所述下盖板合围成所述真空腔，所述第一毛细网格片固定在所述上盖板在所述真空腔处的内壁上，所述第二毛细网格片固定在所述下盖板在所述真空腔处的内壁上。3.根据权利要求2所述的导热结构，其特征在于，所述上盖板的厚度范围为0.8mm～1mm，所述下盖板的厚度范围为1mm～1.5mm，所述支撑柱的厚度范围为1mm～1.2mm。4.根据权利要求1所述的导热结构，其特征在于，所述支撑柱的周侧固定设置有第三毛细网格片，所述第三毛细网格片的目数小于或等于所述第一毛细网格片的目数。5.根据权利要求1所述的导热结构，其特征在于，还包括：第四毛细网格片；所述第四毛细网格片位于所述第二毛细网格片背离所述第一毛细网格片的一侧，所述第四毛细网格片贴附在所述均温板在所述真空腔处的内壁上，所述第二毛细网格片通过所述第四毛细网格片与所述均温板固定连接；所述第四毛细网格片的目数大于所述第二毛细网格片的目数。6.根据权利要求5所述的导热结构，其特征在于，在所述导热介质均为液态时，所述导热介质所占用的空间体积小于所述第四毛细网格片的内部所能容纳液体的空间体积。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱晓峰，杜树安，逯永广，于琴，杨晓君，
申请(专利权)人：成都海光集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：