【技术实现步骤摘要】
本技术涉及无线通信，尤其是一种全向低副瓣天线。
技术介绍
1、近些年来，随着低频段的使用日渐饱和，各种电磁产品间存在着严重的干扰，人们开始尝试将更高的频段纳入研究的范畴，比如：微带天线等。
2、微带天线一般都是具有规则形状的薄片，因此具有体积小、重量轻、剖面低的特点。它可以和有源器件以及电路集成单一的模块。相对比其他天线，微带天线更容易实现圆极化、双频段、双极化等。但是目前微带天线的副瓣过高导致天线增益降低的问题。针对上述出现的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、技术目的：提供一种全向低副瓣天线，以解决现有技术存在的上述问题。
2、技术方案：全向低副瓣天线，包括：
3、介质基板；
4、若干第一辐射体，间隔设置于所述介质基板上；
5、若干第一阻抗变换器，关于所述介质基板的中心对称设置，且分别设置于相邻所述第一辐射体之间；
6、若干第二辐射体，间隔设置于远离所述第一辐射体一侧的所述介质基板上；及
7、若干第二阻抗变换器，分别与若干所述第一阻抗变换器一一对应设置；
8、其中，所述第一辐射体和所述第二辐射体方向相反。
9、作为优选，若干所述第一阻抗变换器的阻值由所述介质基板的中心向两侧递增。
10、作为优选，若干所述第二阻抗变换器的阻值由所述介质基板的中心向两侧递增。
11、作为优选，所述第一辐射体和所述第二辐射体的形状呈u形。
13、作为优选，所述介质基板、所述第一辐射体和所述第一阻抗变换器形成第一电流加权电路。
14、作为优选，所述介质基板、所述第二辐射体和所述第二阻抗变换器形成第二电流加权电路。
15、作为优选，所述第一辐射体的正投影与所述第二辐射体形成工形。
16、作为优选，相邻所述第一辐射体之间的间距为20-21mm。
17、作为优选，所述第一辐射体和靠近所述第一辐射体一侧的所述第一阻抗变换器之间的间距为7mm。
18、有益效果：在本申请实施例中，采用低副瓣的方式，通过将若干第一辐射体，间隔设置于所述介质基板上；若干第一阻抗变换器，关于所述介质基板的中心对称设置，且分别设置于相邻所述第一辐射体之间；若干第二辐射体，间隔设置于远离所述第一辐射体一侧的所述介质基板上；及若干第二阻抗变换器，分别与若干所述第一阻抗变换器一一对应设置；其中，所述第一辐射体和所述第二辐射体方向相反，达到了全向低副瓣的目的，从而实现了抑制天线副瓣和提高增益的技术效果，进而解决了目前微带天线的副瓣过高导致天线增益降低的技术问题。
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1.全向低副瓣天线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，若干所述第一阻抗变换器的阻值由所述介质基板的中心向两侧递增。
3.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，若干所述第二阻抗变换器的阻值由所述介质基板的中心向两侧递增。
4.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述第一辐射体和所述第二辐射体的形状呈U形。
5.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述介质基板中心处的电流值向两侧递减。
6.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述介质基板、所述第一辐射体和所述第一阻抗变换器形成第一电流加权电路。
7.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述介质基板、所述第二辐射体和所述第二阻抗变换器形成第二电流加权电路。
8.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述第一辐射体的正投影与所述第二辐射体形成工形。
9.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，相邻所述第一辐射体之间的间距为20-2
10.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述第一辐射体和靠近所述第一辐射体一侧的所述第一阻抗变换器之间的间距为7mm。
...【技术特征摘要】
1.全向低副瓣天线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，若干所述第一阻抗变换器的阻值由所述介质基板的中心向两侧递增。
3.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，若干所述第二阻抗变换器的阻值由所述介质基板的中心向两侧递增。
4.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述第一辐射体和所述第二辐射体的形状呈u形。
5.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述介质基板中心处的电流值向两侧递减。
6.根据权利要求1所述的全向低副瓣天线，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：章炜，林海立，卢再航，郝立志，
申请(专利权)人：泓林微电子昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：
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