【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于采集电场信号的传感器，尤其涉及一种基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器。
技术介绍
现有的电场微传感器的感应原理主要是动态感应的原理，即使用谐振结构交替地阻挡感应电场的导体，从而产生感应电流。这种动态感应的电场微传感器的主要缺陷是(1)由于微谐振结构对工艺线要求较高，并且活动结构的封装较困难，因此使用这种结构的电场微传感器其可靠性较差。(2)采用动态感应电场的原理使得其分辨率不高(目前报道的最高分辨率为630V/m)。
技术实现思路
本专利技术提供一种灵敏度高、可靠性高的基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器。本专利技术采用如下技术方案一种用于采集电场信号的基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器，包括p型衬底，在衬底上设有共平面的两个重掺杂的n型接触区，在重掺杂的n型接触区上为金属引线，在这两个重掺杂的n型接触区之间设有n型沟道且分别与之相连，在n型接触区及n型沟道的表面设有SiO2层。与现有技术相比，本专利技术具有如下优点(1)本专利技术利用掺杂半导体中电荷的漂移原理(正电荷沿电场方向运动，负电荷逆电场方向运动)，静态地感应电场，从而提高了电场检测的可靠性。(2)本专利技术利用高宽长比的沟道以及在沟道上加微小的电流，提高了电场检测的分辨率。附图说明图1是本专利技术的主视图。图2是本专利技术的俯视图。具体实施例方式一种用于采集电场信号的基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器，包括p型衬底1，在衬底1上设有共平面的两个重掺杂的n型接触区3，在重掺杂的n型接触区3上为金属引线5，在这两个重掺杂的n型接触区之间设有...
【技术保护点】
一种用于采集电场信号的基于Ｎ型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器，包括ｐ型衬底（１），其特征在于在衬底（１）上设有共平面的两个重掺杂的ｎ型接触区（３），在重掺杂的ｎ型接触区（３）上为金属引线（５），在这两个重掺杂的ｎ型接触区之间设有ｎ型沟道（２）且分别与之相连，在ｎ型接触区（３）及ｎ型沟道（２）的表面设有ＳｉＯ↓［２］层（４）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆安，王立峰，秦明，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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