【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于采集电场信号的微型电场传感器，尤其涉及一种微型抗辐射电场传感器。
技术介绍
现有的电场微传感器的感应原理主要是动态感应的原理，即使用谐振结构交替地阻挡感应电场的导体，从而产生感应电流。这种动态感应的微电场传感器的主要缺陷是(1)由于微谐振结构对工艺线要求较高，并且活动结构的封装较困难，因此使用这种结构的微电场传感器其可靠性较差。(2)采用动态感应电场的原理使得其分辨率不高(目前报道的最高分辨率为630V/m)。
技术实现思路
本专利技术提供一种可靠性高且抗辐射的微型抗辐射电场传感器。本专利技术采用如下技术方案一种用于采集电场信号的微型抗辐射电场传感器，包括硅衬底，在硅衬底上设有绝缘层，在绝缘层表面设有n型硅，在n型硅上注有两个重掺杂的n型接触区，在两个n型接触区之间设有n型沟道且两个n型接触区通过n型沟道相连，在n型接触区和n型沟道上设有SiO2层，在重掺杂的n型接触区上设有金属引线。与现有技术相比，本专利技术具有如下优点(1)本专利技术利用掺杂半导体中电荷的漂移原理(正电荷沿电场方向运动，负电荷逆电场方向运动)，静态地感应电场，从而提高了本...
【技术保护点】
一种用于采集电场信号的微型抗辐射电场传感器，其特征在于包括硅衬底（１），在硅衬底（１）上设有绝缘层（１１），在绝缘层（１１）表面设有ｎ型硅（２），在ｎ型硅（２）上注有两个重掺杂的ｎ型接触区（３），在两个ｎ型接触区（３）之间设有ｎ型沟道（６）且两个ｎ型接触区（３）通过ｎ型沟道（６）相连，在ｎ型接触区（３）和ｎ型沟道（６）上设有ＳｉＯ↓［２］层（４），在重掺杂的ｎ型接触区（３）上设有金属引线（５）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆安，王立峰，秦明，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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