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基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器制造技术
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下载基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器的技术资料
文档序号:2634313
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本发明公开了一种用于采集电场信号的基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器,包括p型衬底,在衬底上设有共平面的两个重掺杂的n型接触区,在重掺杂的n型接触区上为金属引线,在这两个重掺杂的n型接触区之间设有n型沟道且分别与之相连,在n型接触...
该专利属于东南大学所有,仅供学习研究参考,未经过东南大学授权不得商用。
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