基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法技术

一种基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具，其特征在于，包括：一架体，该架体为一边开口的框体，在该框体的底面固接有一底板；两射频同轴连接器，该射频同轴连接器固定在该架体的框体的开口两侧端，该射频同轴连接器均朝向架体之外；两段微带线，该两段微带线固定在架体上的底板上，一端与同轴连接器连接，该微带线与夹具上的射频同轴连接器垂直；两个电阻，该电阻分别固定在两段微带线之间、微带线的端部，并与微带线用金丝线连接，该两个电阻之间有一预定距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种，特别涉及利用微波射频技术对一种分布反馈半导体激光器(DFB-LD)与级联电吸收调制器(EAM)单片集成芯片产生超短光脉冲的测量。
技术介绍
超高速、大容量光纤通信是近年来光通信研究的主要方向。光时分复用(OTDM)是克服光、电器件瓶颈，实现超高速光纤通信的有效途径之一。高重复率频率变换极限超短光脉冲源是实现光孤子通信和OTDM光通信的核心器件，也是其他关键技术研究必不可少的基础。分布反馈半导体激光器/级联电吸收调制器组合光源具有简单的单一正弦电信号驱动、输出波形接近孤子脉冲(sech2)、高速、低啁啾、插入损耗小、可电调谐等优点而得到广泛关注。输入正弦电信号频率越高，则输出的超短光脉冲的脉冲宽度就越窄，越有利于提高传输速率。对于半导体光电子器件芯片的高频测试，必须经过后续工艺(比如耦合、封装、模块化)后才能进行实际操作，但是这些工艺都需要复杂而昂贵的工序、仪器设备。目前，半导体光电子器件芯片的高频测量主要有如下方法将芯片烧结在特殊结构的热沉上，依靠高频探针将矢量网络分析仪产生的高频测试信号输入到芯片上，最后进行校准、测试。该方法精度很高，理论上可以达到网络分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具，其特征在于，包括：一架体，该架体为一边开口的框体，在该框体的底面固接有一底板；两射频同轴连接器，该射频同轴连接器固定在该架体的框体的开口两侧端，该射频同轴连接器均朝向架体之外 ；两段微带线，该两段微带线固定在架体上的底板上，一端与同轴连接器连接，该微带线与夹具上的射频同轴连接器垂直；两个电阻，该电阻分别固定在两段微带线之间、微带线的端部，并与微带线用金丝线连接，该两个电阻之间有一预定距离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵谦，潘教青，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]