OTP存储单元及OTP存储阵列器件制造技术

本发明专利技术提供了一种OTP存储单元，该OTP存储单元包括：衬底；形成在所述衬底上的一个选择MOS晶体管，该选择MOS晶体管包括依次形成在所述衬底之上的第一栅氧化层和第一栅极，还包括在所述第一栅极两侧的所述衬底中分别形成的第一源区和第一漏区；形成在所述衬底上的至少一个第一型存储MOS晶体管，每一所述第一型存储MOS晶体管的结构形成与所述第一源区串联的两个等效电容，所述两个等效电容并联。相应地，本发明专利技术还提供了一种OTP存储阵列器件。

【技术实现步骤摘要】
OTP存储单元及OTP存储阵列器件
本专利技术涉及半导体器件的设计加工领域，尤其涉及一种OTP存储单元及OTP存储阵列器件。
技术介绍
在嵌入式非挥发性存储器领域，基于反熔丝结构的一次可编程(OneTimeProgrammable，OTP)存储器因其高稳定性、编程容易等优点，被广泛应用于模拟电路微调、密钥和芯片ID存储、SRAM/DRAM冗余设计、RFID等。现有技术中通常使用晶片来加工出OTP器件，该晶片中包含多个被隔离开来的最小晶体管区域，每一所述最小晶体管区域中包含多个已经形成基本结构的晶体管。进一步地，使用所述最小晶体管区域充当构建单个OTP存储单元的基础，即从所述多个最小晶体管区域中选择部分或全部来构建OTP器件中的OTP存储单元，最终多个最小晶体管区域中的OTP存储单元共同组成整体的OTP器件。以鳍形场效应晶体管制程实现的FinFET(FinField-EffectTransistor，鳍式场效应晶体管)晶片为例，该FinFET晶片中的最小晶体管区域包括4个可用的鳍形场效应晶体管，在构建OTP存储单元时，选用上述4个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OTP存储单元，该OTP存储单元包括：/n衬底；/n形成在所述衬底上的一个选择MOS晶体管，该选择MOS晶体管包括依次形成在所述衬底之上的第一栅氧化层和第一栅极，还包括在所述第一栅极两侧的所述衬底中分别形成的第一源区和第一漏区；/n形成在所述衬底上的至少一个第一型存储MOS晶体管，每一所述第一型存储MOS晶体管的结构形成与所述第一源区串联的两个等效电容，所述两个等效电容并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种OTP存储单元，该OTP存储单元包括：
衬底；
形成在所述衬底上的一个选择MOS晶体管，该选择MOS晶体管包括依次形成在所述衬底之上的第一栅氧化层和第一栅极，还包括在所述第一栅极两侧的所述衬底中分别形成的第一源区和第一漏区；
形成在所述衬底上的至少一个第一型存储MOS晶体管，每一所述第一型存储MOS晶体管的结构形成与所述第一源区串联的两个等效电容，所述两个等效电容并联。


2.根据权利要求1所述的OTP存储单元，其中，该OTP存储单元还包括：
形成在所述衬底上的至少一个第二型存储MOS晶体管，每一所述第二型存储MOS晶体管的结构形成与所述第一源区串联的一个等效电容。


3.根据权利要求2所述的OTP存储单元，其中，所述第一型存储MOS晶体管和第二型存储MOS晶体管包括：
依次形成在所述衬底之上的第二栅氧化层和第二栅极；
形成在所述第二栅氧化层下部的所述衬底中的掺杂区，所述掺杂区与所述第一源区短接。


4.根据权利要求3所述的OTP存储单元，其中：
所述掺杂区与所述第一源区在所述衬底中集成在一起以形成短接；或
所述掺杂区与所述第一源区通过接触线连接。


5.根据权利要求4所述的OTP存储单元，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李弦，贾宬，冯一飞，王志刚，
申请(专利权)人：珠海创飞芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44