一种片上一次可编程电路制造技术

本发明专利技术公开一种片上一次可编程电路，由三个NMOS晶体管和两个片上熔丝组成。OTP(One Time Programming，一次可编程)电路的使能开关和烧写熔丝控制开关均由NMOS晶体管构成，NMOS晶体管的控制信号均工作在低压范围内，无须与OTP电路较高的烧写电压处于相同的电压域，避免了低压‑高压电平转换器的使用。同时，NMOS晶体管的衬底均接地，所有NMOS晶体管共用相同的衬底，在版图布局过程中更加紧密，避免PMOS晶体管不同电压域所造成的N_well衬底之间间距要求过大的情况。因此，该种片上一次可编程电路优化了传统的OTP电路，大大节约了硬件开销。

【技术实现步骤摘要】
一种片上一次可编程电路
本专利技术涉及系统中的存储电路，具体为一种基于NMOS晶体管的片上一次可编程(OneTimeProgramming，OTP)电路，属于集成电路的信息安全领域。
技术介绍
目前，OTP电路是一种非易失性存储电路，多采用熔丝结构，只能进行一次性的编程写入，编程过程是不可逆的破坏。虽然存储器只能进行一次编程，但是由于其工艺简单、数据不易丢失、抗干扰能力强、存储单元面积小、易于大规模集成、成本低等特点广泛地应用于集成电路设计中。近年来，对OTP电路研究较多的是efuse(熔丝)型和antifuse(反熔丝)型。其结构通常是两个导电极和导电极中间夹一个熔丝层构成，其熔丝层可以是多晶硅或者金属等材料。熔丝型OTP电路通常是利用其组成结构的特性，在正常情况下处于持久导通状态，当熔丝上电导通后，电流流经熔丝导致熔丝被熔断，则呈现断路状态，从而使熔丝的电阻值从几十欧姆变化成几千欧姆，断路状态将会一直保持下去，最终实现一次性编程的目的。反之，反熔丝型OTP存储电路在未被编程时就有非常高的电阻值，可达几百兆欧姆，呈现断路状态，不提供电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片上一次可编程电路，其特征在于：所述电路包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一片上熔丝、第二片上熔丝、第一输入端、第二输入端、第三输入端以及一个输出端。/n所述电路从顶部电源端开始至上而下，所述第一NMOS晶体管的漏极接所述电路的烧写高压电源，所述第一NMOS晶体管的栅极接所述电路的烧写值信号的所述第一输入端，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极相连，所述第二NMOS晶体管的栅极接所述电路烧写值的反向信号的所述第二输入端，所述第二NMOS晶体管的源极与所述第三NMOS晶体管的漏极相连，所述第三NMOS晶体管的栅极接所述电路的使能信号...

【技术特征摘要】
1.一种片上一次可编程电路，其特征在于：所述电路包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一片上熔丝、第二片上熔丝、第一输入端、第二输入端、第三输入端以及一个输出端。
所述电路从顶部电源端开始至上而下，所述第一NMOS晶体管的漏极接所述电路的烧写高压电源，所述第一NMOS晶体管的栅极接所述电路的烧写值信号的所述第一输入端，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极相连，所述第二NMOS晶体管的栅极接所述电路烧写值的反向信号的所述第二输入端，所述第二NMOS晶体管的源极与所述第三NMOS晶体管的漏极相连，所述第三NMOS晶体管的栅极接所述电路的使能信号的所述第三输入端，所述第三NMOS晶体管的源极接所述电路的地端，所述第一片上熔丝并联在所述第一NMOS晶体管的源漏两端，所述第二片上熔丝并联在所述第二NMOS晶体管的源漏两端，所述电路的输出端从所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极结点的右端引出。...

【专利技术属性】
技术研发人员：万美琳，宋敏，杨柳，段威，游龙，
申请(专利权)人：武汉金汤信安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42