一种新型anti-fuse单元制造技术

本发明专利技术公开了一种新型anti‑fuse单元，其特征在于该单元是由一个anti‑fuse编程管和一个二极管构成的两端口器件，包括VH和VL端，其中anti‑fuse编程管的栅端形成anti‑fuse单元的VH端，连接外部的敏感放大器SA和列选择信号线BL，anti‑fuse编程管的源端和二极管的P端连接，二极管的N端形成anti‑fuse单元的VL端。新型anti‑fuse单元改进了传统单元的内部电路，通过采用新的工艺结构，有效减少anti‑fuse单元的面积；所述新型anti‑fuse单元可应用在存储器阵列上，可减少行选择信号所控制NMOS管数量，使阵列结构更简单，编程和读操作的响应速度更快。

A new anti fuse unit

【技术实现步骤摘要】
一种新型anti-fuse单元
本专利技术涉及集成电路设计技术，尤其涉及一种新型anti-fuse单元。
技术介绍
anti-fuse(反熔丝)是一种常规的一次性可编程存储器(OneTimeProgramable，OTP)，它通过击穿多晶硅层和N+扩散层之间的绝缘层，使得两层之间的电阻值发生变化，导致等效逻辑值改变的方式进行编程。anti-fuse单元面积较小，采用标准CMOS工艺，成本低，安全性好。随着对芯片指标的要求越来越高，作为芯片内部用于参数设置的专用模块，OTP面积越来越受到重视。由于传统anti-fuse单元的面积较大，随着需求容量的增加，使得采用anti-fuse单元的OTP版图面积变得不可接受，同时基于传统anti-fuse单元的存储器控制每行anti-fuse单元导通需要较多NMOS控制管，结构复杂且寄生电容大，响应速度较慢。
技术实现思路
本专利技术目的在于针对现有技术的不足，提出一种新型的anti-fuse单元，采用这种单元的存储模块可以缩小面积，降低成本，提高响应速度。本专利技术的目的是通过以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型anti-fuse单元，其特征在于，该单元是由一个anti-fuse编程管和一个二极管构成的两端口器件结构，包括VH和VL端，VH端电压比VL端高。anti-fuse编程管的栅端形成anti-fuse单元的VH端，分别接外部的敏感放大器SA和列选择信号线BL，anti-fuse编程管的源端和二极管的P端连接，二极管的N端形成anti-fuse单元的VL端。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型anti-fuse单元，其特征在于，该单元是由一个anti-fuse编程管和一个二极管构成的两端口器件结构，包括VH和VL端，VH端电压比VL端高。anti-fuse编程管的栅端形成anti-fuse单元的VH端，分别接外部的敏感放大器SA和列选择信号线BL，anti-fuse编程管的源端和二极管的P端连接，二极管的N端形成anti-fuse单元的VL端。


2.根据权利要求1所述的一种新型anti-fuse单元，其特征在于，加载在anti-fuse单元的VH端和VL端的编程电压，击穿anti-fuse编程管的栅端和源端之间的绝缘层，导致栅端和源端之间的绝缘层的电阻值变小。


3.一种新型anti-fuse单元的应用，其特征在于，该单元应用在存储器阵列上，所述存储器阵列包括m*n个新型anti-fuse单元组成。每列的新型anti-fuse单元的VH端共同连接到一根列选择信号线BL上，每行的新型anti-fuse单...

【专利技术属性】
技术研发人员：田敏志，张睿，晏颖，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33