一次可编程存储器的读写电路制造技术

本公开提供一种一次可编程存储器的读写电路，包括：反熔丝阵列，包括：n*n个反熔丝单元，耦接在第一节点和第二节点之间，反熔丝单元中的开关元件的控制端分别耦接于不同字线信号和位线信号的与信号；并联在第二节点和第二电压源之间的第一开关元件和第一电容；基准阵列，包括串联在第一节点和第三节点之间的基准电阻和基准开关元件，基准开关元件的控制端耦接于n*n个与信号的或信号；并联在第三节点和第二电压源之间的第二开关元件和第二电容；比较电路，第一输入端耦接于第二节点，第二输入端耦接于第三节点。本公开实施例具有较简洁的电路连接、较小的电路面积、较高的电路可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一次可编程存储器的读写电路
本公开涉及集成电路
，具体而言，涉及一种一次可编程存储器的读写电路。
技术介绍
一次可编程(OneTimeProgrammable，OTP)存储器可将数据存储在均具有未编程状态或已编程状态的多个OTP单元中。OTP单元通常包括熔丝元件或反熔丝元件，熔丝元件或反熔丝元件被编程后，处于不可恢复状态，这种状态不受断电影响，从而可以稳定地存储数据。在DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)中，通常使用OTP单元来控制冗余(redundancy)存储单元的打开或关断。例如，当有一个字线对应的存储单元区域的存储单元有缺陷时，对应的OTP单元将被编程(OTP单元的输出状态由“0”到“1”)，DRAM的控制电路将关闭对这个存储单元区域的存储单元的读写，打开冗余区域的一个存储单元的读写，用冗余区域对应的存储单元取代有缺陷的存储单元区域的存储单元，修复DRAM缺陷。图1是相关技术中OTP单元的读写电路的示意图。从图1可以看出，每个存储单元均连接有对应的反熔丝元件与检测元件，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一次可编程存储器的读写电路，其特征在于，包括：/n反熔丝阵列，包括：/nn*n个反熔丝单元，每个所述反熔丝单元包括耦接的反熔丝元件和开关元件，所述反熔丝单元的第一端耦接于第一节点，第二端耦接于第二节点，每个反熔丝单元中的开关元件的控制端分别耦接于不同字线信号和位线信号的与信号，其中，所述第一节点耦接于镜像电流源，所述镜像电流源电连接于第一电压源；/n并联在所述第二节点和第二电压源之间的第一电容和第一开关元件，所述第一开关元件的控制端耦接于第一控制信号；/n基准阵列，包括：/n串联在所述第一节点和第三节点之间的基准电阻和基准开关元件，所述基准开关元件的控制端耦接于一个或信号，所述或信号为...

【技术特征摘要】
1.一种一次可编程存储器的读写电路，其特征在于，包括：
反熔丝阵列，包括：
n*n个反熔丝单元，每个所述反熔丝单元包括耦接的反熔丝元件和开关元件，所述反熔丝单元的第一端耦接于第一节点，第二端耦接于第二节点，每个反熔丝单元中的开关元件的控制端分别耦接于不同字线信号和位线信号的与信号，其中，所述第一节点耦接于镜像电流源，所述镜像电流源电连接于第一电压源；
并联在所述第二节点和第二电压源之间的第一电容和第一开关元件，所述第一开关元件的控制端耦接于第一控制信号；
基准阵列，包括：
串联在所述第一节点和第三节点之间的基准电阻和基准开关元件，所述基准开关元件的控制端耦接于一个或信号，所述或信号为对n*n个所述与信号进行或运算得到的信号；
并联在所述第三节点和所述第二电压源之间的第二电容和第二开关元件，所述第二开关元件的控制端耦接于第二控制信号；
比较电路，第一输入端耦接于所述第二节点，第二输入端耦接于所述第三节点，用于根据所述第二节点和所述第三节点的电压比较结果判断反熔丝是否发生编程操作。


2.如权利要求1所述的读写电路，其特征在于，在写状态时，所述第一开关元件导通，所述第二开关元件关断；在读状态时，所述第一控制信号和所述第二控制信号为相位相同的脉冲信号。


3.如权利要求2所述的读写电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李新，应战，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34