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本公开提供一种一次可编程存储器的读写电路，包括：反熔丝阵列，包括：n*n个反熔丝单元，耦接在第一节点和第二节点之间，反熔丝单元中的开关元件的控制端分别耦接于不同字线信号和位线信号的与信号；并联在第二节点和第二电压源之间的第一开关元件和第一电...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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