存储器设备制造技术

公开了一种存储器设备，包括存储器单元阵列和存储器控制器，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且所述存储器控制器用于控制所述多个存储器单元。存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元。存储器控制器具有选择第一熔丝区域和第二熔丝区域之一的熔丝选择电路。

Memory device

【技术实现步骤摘要】
存储器设备相关申请的交叉引用2018年11月19日在韩国知识产权局提交的题为“存储器设备”的韩国专利申请第10-2018-0142425号通过引用整体并入本文。
实施例涉及存储器设备。
技术介绍
存储器设备包括熔丝单元，并且熔丝单元可以用于实施各种功能的目的。例如，为了增加存储器设备的产量或提高其可靠性，熔丝单元可以用作用于替换有缺陷的存储器单元的冗余存储器单元。可替代地，熔丝单元也可以用于写入与存储器设备的制造历史、制作后的测试程序和/或用于优化存储器设备的特性的定制(customizing)程序相关的数据。对可用于各种功能的熔丝单元的研究正在积极进行。
技术实现思路
根据实施例，存储器设备包括存储器单元阵列和存储器控制器，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且所述存储器控制器控制所述多个存储器单元。存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元。存储器控制器具有选择第一熔丝区域和第二熔丝区域中的一个的熔丝选择电路。根据实施例，存储器设备可以包括：存储器单元阵列，包括使用电阻的变化存储数据的多个存储器单元、具有与多个存储器单元的结构相同的结构的多个电熔丝单元、以及多个反熔丝单元；和熔丝选择电路，用于从多个电熔丝单元和多个反熔丝单元当中选择一个。根据实施例，存储器设备可以包括:多个存储器单元，用于使用电阻的变化来存储数据；多个第一熔丝单元，具有与多个存储器单元的结构相同的结构；以及多个第二熔丝单元，具有与多个存储器单元的结构不同的结构。附图说明通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得清楚，在附图中:图1和图2示出了根据示例实施例的存储器设备；图3至图5示出了根据示例实施例的存储器设备中包括的存储器单元阵列；图6和图7示出了根据示例实施例的存储器设备中包括的存储器单元；图8和图9示出了根据示例实施例的存储器设备中包括的存储器单元；图10和图11示出了不同状态下的根据示例实施例的存储器设备中包括的第二熔丝单元；图12示出了根据示例实施例的用于制造存储器设备的方法的流程图；图13示出了根据示例实施例的用于制造存储器设备的过程；图14至图16示出了根据示例实施例的熔丝单元的数据存储操作；图17示出了根据示例实施例的用于制造存储器设备的方法的流程图；图18示出了根据示例实施例的用于制造存储器设备的过程；和图19示出了根据示例实施例的包括存储器设备的电子设备。具体实施方式图1和图2示出了根据示例实施例的存储器设备。首先，参考图1，根据示例实施例的存储器设备1可以包括存储体区域(bankregion)2、电路区域3、焊盘(pad)区域4等。具有多个存储器单元的存储器单元阵列可以以存储体为单位排列在存储体区域2中。例如，存储体区域2可以包括多个存储器单元阵列。电路区域3可以是其中形成用于存储器设备1的操作的各种电路的区域。例如，被包括在电路区域3中的电路可以选择被包括在存储体区域2中的存储器单元当中的至少一部分，并且可以向所选择的存储器单元写入数据或者可以从所选择的存储器单元读取数据。焊盘区域4可以是其中形成用于输入和输出控制信号和数据的多个焊盘的区域。接下来，参考图2，根据示例实施例的存储器设备10可以包括存储器控制器20和存储器单元阵列30。存储器控制器20可以包括第一解码器电路21、第二解码器电路23、页面缓冲电路24、控制逻辑25等。第一解码器电路21可以通过字线WL连接到存储器单元阵列30，而第二解码器电路23可以通过位线BL连接到存储器单元阵列30。页面缓冲电路24可以将数据写入通过第一解码器电路21和第二解码器电路23选择的至少一个存储器单元，或者可以从所述存储器单元读取数据。控制逻辑25可以控制第一解码器电路21、第二解码器电路23和页面缓冲电路24的操作。存储器单元阵列30可以包括具有多个存储器单元的存储器单元区域33、具有第一熔丝单元的第一熔丝区域31和具有第二熔丝单元的第二熔丝区域32。第一熔丝单元可以具有与存储器单元的结构相同的结构，而第二熔丝单元可以具有与存储器单元的结构不同的结构。例如，第一熔丝单元可以是电熔丝(ElectricalFuse，E-Fuse)单元，而第二熔丝单元可以是反熔丝单元。当存储器单元使用电阻的变化写入数据时，存储在第一熔丝单元中的数据可能在测试程序、制作后的组装过程和用户使用存储器设备10的过程中的至少一个中被无意地删除。存储在熔丝单元中的数据可以用于定制存储器设备10和/或用于存储器设备10的测试程序。因此，当存储在熔丝单元中的数据被无意地删除时，测试程序不正常执行和/或定制不正常执行。因此，存储器设备10的可靠性和/或性能可能降低。在示例实施例中，存储在第一熔丝单元中的数据可以在测试程序和/或组装过程终止之后被传送和写入第二熔丝单元。如上所述，第二熔丝单元具有与存储器单元的结构不同的结构，例如，可以实施为反熔丝单元。这样，在测试程序和组装过程期间，或者在用户使用存储器设备10的同时，存储在第二熔丝单元中的数据可以不被删除。因此，可以提高存储器设备10的可靠性和性能。例如，被包括在第一解码器电路21中的熔丝选择电路22可以选择第一熔丝区域31和第二熔丝区域32之一。例如，当熔丝选择电路22选择第一熔丝区域31时，第一解码器电路21可以访问第一熔丝区域31而不是第二熔丝区域32，并且页面缓冲电路24可以将数据写入第一熔丝单元或者可以从第一熔丝单元读取数据。可替代地，当熔丝选择电路22选择第二熔丝区域32时，第一解码器电路21可以访问第二熔丝区域32而不是第一熔丝区域31，并且页面缓冲电路24可以将数据写入第二熔丝单元或者可以从第二熔丝单元读取数据。在示例实施例中，熔丝选择电路22可以包括开关电路。图3至图5示出了根据示例实施例的存储器设备中包括的存储器单元阵列。首先，参考图3，根据示例实施例的存储器单元阵列100可以包括第一熔丝区域101、第二熔丝区域102、存储器单元区域103等。第一熔丝区域101包括多个第一熔丝单元，而第二熔丝区域102可以包括多个第二熔丝单元。存储器单元区域103中的多个存储器单元可以具有与多个第一熔丝单元的结构相同但与多个第二熔丝单元的结构不同的结构。在示例实施例中，第一熔丝区域101可以在存储器单元阵列100的中心。换句话说，多个第一熔丝单元可以在多个存储器单元之间。根据制造过程的存储器单元的特性在存储器单元阵列100的中心比在其边界或外围可更好。第一熔丝区域101中的第一熔丝单元可以用作有缺陷的存储器单元的冗余存储器单元，或者可以存储用于存储器设备的定制的数据。因此，第一熔丝单元将被实施为具有优异特性的存储器单元。在示例实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元；和/n存储器控制器，用来控制所述多个存储器单元，所述存储器控制器具有用于选择第一熔丝区域和第二熔丝区域之一的熔丝选择电路。/n

【技术特征摘要】
20181119 KR 10-2018-01424251.一种存储器设备，包括：
存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元；和
存储器控制器，用来控制所述多个存储器单元，所述存储器控制器具有用于选择第一熔丝区域和第二熔丝区域之一的熔丝选择电路。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个存储器单元和所述多个第一熔丝单元中的每一个包括串联连接的数据存储元件和开关元件。


3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述多个存储器单元使用所述数据存储元件的电阻的变化来存储数据。


4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，第一熔丝区域位于所述存储器单元阵列的中心。


5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，第一熔丝区域和第二熔丝区域在所述存储器单元阵列中彼此相邻。


6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，第一熔丝区域和第二熔丝区域在所述存储器单元阵列中彼此分离。


7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个第二熔丝单元是反熔丝单元。


8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在测试电特性的电裸芯分类(EDS)测试完成之后，存储器控制器将存储在第一熔丝区域中的数据写入第二熔丝区域。


9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，在完成所述EDS测试之后并且在执行封装过程之前，所述存储器控制器将存储在第一熔丝区域中的数据写入第二熔丝区域。


10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，在完成所述EDS测试和封装过程之后，所述存储器控制器将用于封装测试的数据写入第一熔丝区域。


11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中，在所述封装测试完成之后，所述存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文基，金甫昌，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR