存储器设备制造技术

公开了一种存储器设备，包括存储器单元阵列和存储器控制器，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且所述存储器控制器用于控制所述多个存储器单元。存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元。存储器控制器具有选择第一熔丝区域和第二熔丝区域之一的熔丝选择电路。

Memory device

【技术实现步骤摘要】
存储器设备相关申请的交叉引用2018年11月19日在韩国知识产权局提交的题为“存储器设备”的韩国专利申请第10-2018-0142425号通过引用整体并入本文。
实施例涉及存储器设备。
技术介绍
存储器设备包括熔丝单元，并且熔丝单元可以用于实施各种功能的目的。例如，为了增加存储器设备的产量或提高其可靠性，熔丝单元可以用作用于替换有缺陷的存储器单元的冗余存储器单元。可替代地，熔丝单元也可以用于写入与存储器设备的制造历史、制作后的测试程序和/或用于优化存储器设备的特性的定制(customizing)程序相关的数据。对可用于各种功能的熔丝单元的研究正在积极进行。
技术实现思路
根据实施例，存储器设备包括存储器单元阵列和存储器控制器，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且所述存储器控制器控制所述多个存储器单元。存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元。存储器控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元；和/n存储器控制器，用来控制所述多个存储器单元，所述存储器控制器具有用于选择第一熔丝区域和第二熔丝区域之一的熔丝选择电路。/n

【技术特征摘要】
20181119 KR 10-2018-01424251.一种存储器设备，包括：
存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述存储器单元阵列具有第一熔丝区域和第二熔丝区域，第一熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构相同的结构的多个第一熔丝单元，第二熔丝区域包括具有与所述多个存储器单元的结构不同的结构的多个第二熔丝单元；和
存储器控制器，用来控制所述多个存储器单元，所述存储器控制器具有用于选择第一熔丝区域和第二熔丝区域之一的熔丝选择电路。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个存储器单元和所述多个第一熔丝单元中的每一个包括串联连接的数据存储元件和开关元件。


3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述多个存储器单元使用所述数据存储元件的电阻的变化来存储数据。


4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，第一熔丝区域位于所述存储器单元阵列的中心。


5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，第一熔丝区域和第二熔丝区域在所述存储器单元阵列中彼此相邻。


6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，第一熔丝区域和第二熔丝区域在所述存储器单元阵列中彼此分离。


7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个第二熔丝单元是反熔丝单元。


8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在测试电特性的电裸芯分类(EDS)测试完成之后，存储器控制器将存储在第一熔丝区域中的数据写入第二熔丝区域。


9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，在完成所述EDS测试之后并且在执行封装过程之前，所述存储器控制器将存储在第一熔丝区域中的数据写入第二熔丝区域。


10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中，在完成所述EDS测试和封装过程之后，所述存储器控制器将用于封装测试的数据写入第一熔丝区域。


11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中，在所述封装测试完成之后，所述存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文基，金甫昌，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR