可配置的“与非”固件搜索参数制造技术

本申请案涉及可配置的“与非”固件搜索参数。在一些实例中揭示包含电可编程元件的存储器装置，所述电可编程元件规定一或多个固件搜索参数的值，所述固件搜索参数供由引导加载程序用于定位和读取固件对象。通过对所述电可编程元件施加或不施加规定电压来修改所述电可编程元件的配置，可以在制造时动态地选择所述固件搜索参数的所述值。在一些实例中，电可编程元件可以包含：熔丝、反熔丝和/或电熔丝。

【技术实现步骤摘要】
可配置的“与非”固件搜索参数
本申请案涉及存储器装置，且特定来说涉及可配置的“与非”固件搜索参数。
技术介绍
存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及其它存储器。非易失性存储器在未通电时可以保留所存储数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)或3DXPointTM存储器，以及其它存储器。快闪存储器用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低电力消耗的一或多个组单晶体管、浮动栅极或电荷俘获存储器单元。两种常见类型的快闪存储器阵列架构包含“与非”和“或非”架构，以布置每一个的基本存储器单元配置的逻辑形式命名。存储器阵列的存储器单元通常布置成矩阵。在实例中，阵列的行中的每一浮动栅极存储器单元的栅极耦合到存取线(例如，字线)。在“或非”架构中，阵列的列中的每一存储器单元的漏极耦合到数据线(例如，位线)。在“与非”架构中，阵列的串中的每一存储器单元的漏极在源极线与位线之间以源极到漏极串联耦合在一起。“或非”和“与非”架构半导体存储器阵列两者均通过解码器进行存取，所述解码器通过选择耦合到其栅极的字线来激活特定存储器单元。在“或非”架构半导体存储器阵列中，一旦被激活，所选存储器单元将其数据值放置在位线上，从而取决于特定单元经编程的状态导致不同电流流动。在“与非”架构半导体存储器阵列中，高偏压被施加到漏极侧选择栅极(SGD)线。以规定通过电压(例如，Vpass)驱动耦合到每一组的未选定存储器单元的栅极的字线以操作每一组的未选定存储器单元作为通过晶体管(例如，以未受其所存储数据值限制的方式通过电流)。电流然后通过每一串联耦合组从源极线流动到位线，仅受每一组的选定存储器单元的限制，将选定存储器单元的当前编码数据值放置在位线上。“或非”或“与非”架构半导体存储器阵列中的每一快闪存储器单元均可以单独或共同经编程为一或多个编程状态。例如，单级单元(SLC)可以表示两个编程状态(例如1或0)中的一个，表示一个数据位。然而，快闪存储器单元也可以表示多于两个编程状态中的一个，从而允许在不增加存储器单元数目的情况下制造更高密度的存储器，因为每一单元可以表示多于一个二进制数字(例如，多于一个位)。此类单元可以被称为多状态存储器单元、多位单元或多级单元(MLC)。在某些实例中，MLC可以指代可以每单元存储两个数据位(例如，四个编程状态中的一个)的存储器单元，三级单元(TLC)可以是指可以每单元存储三个数据位(例如，八个编程状态中的一个)的存储器单元，且四级单元(QLC)可以每单元存储四个数据位。MLC在本文中在更广泛的上下文中用于指代可以每单元存储多于一个数据位(即，其可以表示多于两个编程状态)的任何存储器单元。传统的存储器阵列为布置在半导体衬底表面上的二维(2D)结构。为了增加给定区域的存储容量并降低成本，个别存储器单元的大小已减小。然而，存在减小个别存储器单元的大小并因此2D存储器阵列的存储器密度存的技术限制。作为响应，正在开发三维(3D)存储器结构，例如3D“与非”架构半导体存储器装置，以进一步增加存储器密度并降低存储器成本。此类3D“与非”装置通常包含多串存储单元，所述存储单元串联(例如，漏极到源极)耦合在接近源极的一或多个源极侧选择栅极(SGS)与接近位线的一或多个漏极侧选择栅极(SGD)之间。在实例中，SGS或SGD可以包含一或多个场效应晶体管(FET)或金属氧化物半导体(MOS)结构装置等。在一些实例中，串将垂直延伸并穿过多个垂直间隔层，所述垂直间隔层含有相应字线。半导体结构(例如，多晶硅结构)可以邻近存储器单元串延伸以形成用于所述串的存储单元的沟道。在垂直串的实例中，多晶硅结构可以为垂直延伸柱的形式。在一些实例中，串可以“折叠”，且因此相对于U形柱布置。在其它实例中，可以将多个垂直结构彼此堆叠以形成存储器单元串的堆叠阵列。存储器阵列或装置可以组合在一起以形成存储器系统的存储卷，例如固态驱动器(SSD)、通用快闪存存储(UFSTM)装置、MultiMediaCard(MMC)固态存储装置、嵌入式MMC装置(eMMCTM)等。此外，SSD还可以用作计算机的主存储装置，其在例如性能、大小、重量、坚固性、操作温度范围和功率消耗等方面具有优于具有移动部件的传统硬盘驱动器的优势。例如，SSD可以减少寻道时间、等待时间或与磁盘驱动器(例如，机电等)相关联的其它延迟。SSD使用非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)来消除内部电池供电要求，因此允许驱动器更通用和更紧凑。SSD可以包含多个存储器装置，包含多个裸片或逻辑单元(例如，逻辑单元号或LUN)，且可以包含执行操作存储器装置或与外部系介接所需的逻辑功能的一或多个处理器或其它控制器。此类SSD可以包含一或多个快闪存储器裸片，其上包含多个存储器阵列和外围电路。快闪存储器阵列可以包含组织成多个物理页的多个存储器单元块。在许多实例中，SSD也将包含DRAM或SRAM(或其它形式的存储器裸片或其它存储器结构)。SSD可以从主机接收与存储操作相关的命令，例如用以在存储器装置与主机之间传送数据(例如，用户数据以及相关联完整性数据，例如错误数据和地址数据等)的读取或写入操作，或用以从存储器装置擦除数据的擦除操作。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供一种存储器装置，其中所述存储器装置包括：第一组一或多个电可编程元件，其指示一或多个第一固件搜索参数的值；第二组一或多个电可编程元件，其指示一或多个第二固件搜索参数的值；及处理器，其经配置以执行包括以下操作：根据由所述第一组一或多个电可编程元件指示的所述一或多个第一固件搜索参数的所述值，确定固件图像在所述存储器装置的存储器单元中的一或多个可能位置；通过根据由所述第二组一或多个电可编程元件指示的所述一或多个第二固件搜索参数的所述值在所述一或多个可能位置处读取所述存储器单元，搜索所述一或多个可能位置以找到有效固件图像；及响应于读取有效的固件图像，致使执行所述固件图像。本专利技术的另一方面提供一种机器可读媒体，其中所述机器可读媒体包括指令，所述指令在由存储器装置的处理器执行时致使所述处理器执行包括以下的操作：根据由第一组一或多个电可编程元件指示的一或多个第一固件搜索参数的值，确定固件图像在所述存储器装置的存储器单元中的一或多个可能位置；通过根据由第二组一或多个电可编程元件指示的一或多个第二固件搜索参数的值在一或多个可能位置处读取所述存储器单元，搜索所述一或多个可能位置以找到有效固件图像；及响应于读取有效的固件图像，致使执行所述固件图像。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：/n第一组一或多个电可编程元件，其指示一或多个第一固件搜索参数的值；/n第二组一或多个电可编程元件，其指示一或多个第二固件搜索参数的值；及/n处理器，其经配置以执行包括以下操作：/n根据由所述第一组一或多个电可编程元件指示的所述一或多个第一固件搜索参数的所述值，确定固件图像在所述存储器装置的存储器单元中的一或多个可能位置；/n通过根据由所述第二组一或多个电可编程元件指示的所述一或多个第二固件搜索参数的所述值在所述一或多个可能位置处读取所述存储器单元，搜索所述一或多个可能位置以找到有效固件图像；及/n响应于读取有效固件图像，致使执行所述固件图像。/n

【技术特征摘要】
20181231 US 16/237,0441.一种存储器装置，其包括：
第一组一或多个电可编程元件，其指示一或多个第一固件搜索参数的值；
第二组一或多个电可编程元件，其指示一或多个第二固件搜索参数的值；及
处理器，其经配置以执行包括以下操作：
根据由所述第一组一或多个电可编程元件指示的所述一或多个第一固件搜索参数的所述值，确定固件图像在所述存储器装置的存储器单元中的一或多个可能位置；
通过根据由所述第二组一或多个电可编程元件指示的所述一或多个第二固件搜索参数的所述值在所述一或多个可能位置处读取所述存储器单元，搜索所述一或多个可能位置以找到有效固件图像；及
响应于读取有效固件图像，致使执行所述固件图像。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一和第二组一或多个电可编程元件包含以下中的一个：熔丝、反熔丝、电熔丝。


3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一固件搜索参数中的一个为固件搜索步长，其中所述固件搜索步长规定所述固件图像的可能位置之间的偏移量。


4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一固件搜索参数中的一个为待尝试的可能位置的数目。


5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一固件搜索参数中的一个为距默认可能位置的偏移量。


6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二固件搜索参数中的一个为读取重试循环的数目，所述读取重试循环的数目规定尝试搜索所述一或多个可能位置中的每一个的次数。


7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二固件搜索参数中的一个为待尝试的第一读取重试。


8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第二固件搜索参数中的一个为读取重试步长。


9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中确定固件图像在存储器单元中的一或多个可能位置的所述操作包括使用默认位置和所述第一固件搜索参数中的规定初始偏移量的第一参数的值来确定第一可能位置。


10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中确定固件图像在存储器单元中的一或多个可能位置的所述操作包括基于所述第一可能位置和所述第一固件搜索参数中的规定固件搜索步长的第二参数的值确定第二可能...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·卡列洛，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US