自动复位位移寄存器制造技术

本发明专利技术公开了自动复位位移寄存器，包括三极管VT1、三极管VT2、CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2、直流电源、交流电源、与非门、SR锁存器；三极管VT2的集电极通讨CMOS反相器CM2输出之后与奇数锁存器的两个输出端Q端和

【技术实现步骤摘要】
自动复位位移寄存器
本专利技术涉及数据复位与位移
，尤其涉及自动复位位移寄存器。
技术介绍
锁存器是一种对脉冲电平敏感的存储单元电路，它们可以在特定输入脉冲电平作用下改变状态。锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。锁存器的最主要作用是缓存，其次完成高速的控制其与慢速的外设的不同步问题，再其次是解决驱动的问题，最后是解决一个I/O口既能输出也能输入的问题。因此，我们急需一种如何利用SR锁存器来实现数据自动复位与位移。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有的复位位移寄存器使用锁存器时存在锁存器空翻，致使不能自动实现复位和位移数据的问题。本专利技术提供了解决上述问题的自动复位位移寄存器，该寄存器具有自动复位功能，解决锁存器空翻问题，只有在输入信号变化时锁存器才翻转，采用奇偶伦流置位复位来位移寄存数据。本专利技术通过下述技术方案实现：自动复位位移寄存器，包括三极管VT1、三极管VT2、CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2、直流电源和交流电源，所述三极管VT1的集电极和三极管VT2的集电极均连接到直流电源的正极，所述三极管VT1的发射极和三极管VT2的发射极均连接到直流电源的负极；CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2均并联于直流电源上；所述三极管VT1的基极和三极管VT2的基极均连接到交流电源上；还包括若干存储元电路，各个存储元电路依次串连，将存储元电路从第一个进行标号，第一个存储元电路为U1，第二个存储元电路为U2，第n个为存储元电路为Un，这样形成奇数位标号的存储元电路为U1、U3、U(2n+1)以及偶数位标号的U2、U4、U(2n)；每个所述存储元电路包括两个与非门、与非门SR锁存器，两个与非门对应连接与非门SR锁存器的输入端S和与非门SR锁存器的输入端R；三极管VT2的集电极通讨CMOS反相器CM2输出之后与奇数(即从左边数第一个、第三个、第2n+1个，其中n为自然数)锁存器的两个输出端Q端和端分别组成与非门；左边三极管VT1的集电极通过CMOS反相器CM1输出之后与偶数(即从左边数第二、第四个、第2n个)锁存器的两个输出端Q端和端分别组成与非门；信号输入端分成两组，一组经过非门，另一组不经过非门，这两组分别和三极管VT1、CMOS反相器CM1的输出端组成与非门；信号经过若干串连的存储元电路后，最后一个存储元电路的与非门SR锁存器的输出端Q端为信号输出端。优选地，还包括电阻R1、电阻R2，所述三极管VT1的集电极连接电阻R1，电阻R1连接直流电源的正极；所述三极管VT2的集电极连接电阻R2，电阻R2连接直流电源的正极。优选地，还包括二极管VD1、二极管VD2，所述二极管VD1的正极连接到直流电源的负极，所述二极管VD1的正极连接到三极管VT1的基极和交流电源的公共端；所述二极管VD2的正极连接到直流电源的负极，所述二极管VD2的正极连接到三极管VT2的基极和交流电源的公共端。优选地，所述CMOS反相器CM1输入端连接三极管VT1的集电极与电阻R1的公共端，CMOS反相器CM1输出端作为奇数位标号的存储元电路的每个与非门的一个输入端，CMOS反相器CM1中间端的一端连接到直流电源的正极、另一端连接到直流电源的负极；所述CMOS反相器CM2输入端连接三极管VT2的集电极与电阻R2的公共端，CMOS反相器CM2输出端作为偶数位标号的存储元电路的每个与非门的一个输入端，CMOS反相器CM2中间端的一端连接到直流电源的正极、另一端连接到直流电源的负极。具体地，从左边开始，第一个存储元电路包括两个与非门和第一SR锁存器，两个与非门记作第1a与非门、第1b与非门；第二个存储元电路包括两个与非门和第二SR锁存器，两个与非门记作第2a与非门、第2b与非门；……其它的存储元电路记法依次往后类推。信号输入端的信号作为第1a与非门的一个输入，CMOS反相器CM1的输出作为第1a与非门的另一个输入；信号输入端的信号经过一个非门后的信号作为第1b与非门的一个输入，CMOS反相器CM1的输出作为第1b与非门的另一个输入；这两个与非门的输出分别作为第一SR锁存器的输入端S端、第一SR锁存器的输入端R端；第一SR锁存器的输出端Q端、第一SR锁存器的输出端端的信号分别作为第2a与非门、第2b与非门的一个输入；CMOS反相器CM2的输出作为第2a与非门、第2b与非门的另一个输入；这两个与非门的输出分别作为第二SR锁存器的输入端S端、第二SR锁存器的输入端R端；后续的连接依次类推，信号经过若干串连的存储元电路后，最后一个存储元电路的与非门SR锁存器的输出端Q端为信号输出端。优选地，所述三极管的基极使用正弦交流电，所述三极管的发射极、集电极和电路中其余元器件均在同一个直流电源下工作。优选地，被存储的数据和所述正弦交流电源使用同一时钟频率。本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本专利技术自动复位位移寄存器，该寄存器能够实现自动复位，解决了锁存器空翻问题，只有在输入信号变化时锁存器才翻转，采用奇偶伦流置位复位来位移寄存数据。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：图1为本专利技术自动复位位移寄存器电路结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。实施例如图1所示，本专利技术自动复位位移寄存器，包括三极管VT1、三极管VT2、CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2、直流电源和交流电源，所述三极管VT1的集电极和三极管VT2的集电极均连接到直流电源的正极，所述三极管VT1的发射极和三极管VT2的发射极均连接到直流电源的负极；CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2均并联于直流电源上；所述三极管VT1的基极和三极管VT2的基极均连接到交流电源上；还包括若干存储元电路，各个存储元电路依次串连，将存储元电路从第一个进行标号，第一个存储元电路为U1，第二个存储元电路为U2，第n个为存储元电路为Un，这样形成奇数位标号的存储元电路为U1、U3、U(2n+1)以及偶数位标号的U2、U4、U(2n)；每个所述存储元电路包括两个与非门、与非门SR锁存器，两个与非门对应连接与非门SR锁存器的输入端S和与非门SR锁存器的输入端R；三极管VT2的集电极通讨CMOS反相器CM2输出之后与奇数(即从左边数第一个、第三个、第2n+1个，其中n为自然数)锁存器的两个输出端Q端和端分别组成与非门；左边三极管VT1的集电极通过CMOS反相器CM1输出之后与偶数(即从左边数第二、第四个、第2n个)锁存器的两个输出端Q端和端分别组成与非门；信号输入端分成两组，一组经过非门，另一组不经过非门，这两组分别和三极管VT1、CMOS反相器CM1的输出端组成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.自动复位位移寄存器，其特征在于，包括三极管VT1、三极管VT2、CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2、直流电源和交流电源，所述三极管VT1的集电极和三极管VT2的集电极均连接到直流电源的正极，所述三极管VT1的发射极和三极管VT2的发射极均连接到直流电源的负极；CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2均并联于直流电源上；所述三极管VT1的基极和三极管VT2的基极均连接到交流电源上；/n还包括若干存储元电路，各个存储元电路依次串连，将存储元电路从第一个进行标号，第一个存储元电路为U1，第二个存储元电路为U2，第n个为存储元电路为Un，这样形成奇数位标号的存储元电路为U1、U3、U(2n+1)以及偶数位标号的U2、U4、U(2n)；每个所述存储元电路包括两个与非门、与非门SR锁存器，每个与非门对应连接与非门SR锁存器的输入端S和与非门SR锁存器的输入端R；/n三极管VT2的集电极通讨CMOS反相器CM2输出之后与奇数锁存器的两个输出端Q端和

【技术特征摘要】
1.自动复位位移寄存器，其特征在于，包括三极管VT1、三极管VT2、CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2、直流电源和交流电源，所述三极管VT1的集电极和三极管VT2的集电极均连接到直流电源的正极，所述三极管VT1的发射极和三极管VT2的发射极均连接到直流电源的负极；CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2均并联于直流电源上；所述三极管VT1的基极和三极管VT2的基极均连接到交流电源上；
还包括若干存储元电路，各个存储元电路依次串连，将存储元电路从第一个进行标号，第一个存储元电路为U1，第二个存储元电路为U2，第n个为存储元电路为Un，这样形成奇数位标号的存储元电路为U1、U3、U(2n+1)以及偶数位标号的U2、U4、U(2n)；每个所述存储元电路包括两个与非门、与非门SR锁存器，每个与非门对应连接与非门SR锁存器的输入端S和与非门SR锁存器的输入端R；
三极管VT2的集电极通讨CMOS反相器CM2输出之后与奇数锁存器的两个输出端Q端和端分别组成与非门；三极管VT1的集电极通过CMOS反相器CM1输出之后与偶数锁存器的两个输出端Q端和端分别组成与非门；信号输入端分成两组，一组经过非门，另一组不经过非门，这两组分别和三极管VT1、CMOS反相器CM1的输出端组成与非门；信号经过若干串连的存储元电路后，最后一个存储元电路的与非门SR锁存器的输出端Q端为信号输出端。


2.根据权利要求1所述的自动复位位移寄存器，其特征在于，还包括电阻R1、电阻R2，所述三极管V...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏月石，
申请(专利权)人：夏月石，
类型：发明
国别省市：安徽;34