本实用新型公开了自动复位位移寄存器，包括三极管VT1、三极管VT2、CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2、直流电源、交流电源、与非门、SR锁存器；三极管VT2的集电极通讨CMOS反相器CM2输出之后与奇数锁存器的两个输出端Q端和

本发明公开了自动复位位移寄存器，包括三极管VT1、三极管VT2、CMOS反相器CM1、CMOS反相器CM2、直流电源、交流电源、与非门、SR锁存器；三极管VT2的集电极通讨CMOS反相器CM2输出之后与奇数锁存器的两个输出端Q端和

本发明公开了一种动态存储的单元电路及设计方法，包括多个存储元电路，存储元电路包括存储元以及开关控制电路，存储元为电容，所述开关控制电路包括开关电路以及控制电路，所述开关电路控制存储元电路的信号输入，所述控制电路接收开关电路的信号从而控制...

本发明公开了一种半导体存储器的存储单元电路及设计方法，包括多个存储元电路，所述存储元电路包括存储元以及开关控制电路，所述存储元的输入端和输出都设置有开关控制电路，所述开关控制电路控制存储元的信号输入以及输出，所述存储元电路进行串联，将奇...