一种一次性可编程存储器及其操作方法技术

本发明专利技术提供了一种一次性可编程存储器及其操作方法。上述一次性可编程存储器包括电熔丝结构、反熔丝晶体管以及字选择晶体管，电熔丝结构的一端与反熔丝晶体管的栅端电连接构成一次性可编程存储器的第一端口，电熔丝结构的另一端与反熔丝晶体管的源端电连接并连接至字选择晶体管的漏端，字选择晶体管的栅端和源端分别构成一次性可编程存储器的第二端口和第三端口。本发明专利技术还提供了上述一次性可编程存储器的操作方法。根据本发明专利技术提供的一次性可编程存储器及其操作方法，能够使得一次性可编程存储器具备一次可修正的能力，从而能够在保持一次性可编程存储器可靠性与安全性的情况下，扩大一次性可编程存储器的使用灵活性。

【技术实现步骤摘要】
一种一次性可编程存储器及其操作方法
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及集成电路设计领域中的一次性可编程存储器及其操作方法。
技术介绍
熔丝(Fuse)亦指熔断体(Fuse-link)，在电流异常升高到一定的高度和热度的时候，熔丝自身熔断，即从低阻态转变为高阻态，从而能够切断电流。因此，在常规的电路结构中，熔丝主要起到过载保护作用，能够保证电路的安全运行。反熔丝(anti-fuse)则指该结构原本具有高阻态，在发生熔断/熔合后，其自身阻值变小。在集成电路领域，利用熔丝与反熔丝的特性，可以设计各种一次性可编程存储器(OTP，One-TimeProgrammable)。在集成电路领域中，熔丝主要指依据金属电子迁移特征(EM，Electricmessmove)的电熔丝(eFuse)，通过熔断电熔丝，使得电熔丝两端之间的电阻值改变(由小变大)。反熔丝则指通过击穿多晶硅层与N+扩散层之间的隔离层，改变两层之间的电阻值(由大变小)。这两种一次性可编程存储器都是通过将OTP电阻值的大小转换为逻辑值，实现对数据的存储。由于都采用标准CMOS工艺，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可修正的一次性可编程存储器，其特征在于，包括电熔丝结构、反熔丝晶体管以及字选择晶体管，所述电熔丝结构的一端与所述反熔丝晶体管的栅端电连接构成所述一次性可编程存储器的第一端口，所述电熔丝结构的另一端与所述反熔丝晶体管的源端电连接并连接至所述字选择晶体管的漏端，所述字选择晶体管的栅端和源端分别构成所述一次性可编程存储器的第二端口和第三端口。/n

【技术特征摘要】
1.一种可修正的一次性可编程存储器，其特征在于，包括电熔丝结构、反熔丝晶体管以及字选择晶体管，所述电熔丝结构的一端与所述反熔丝晶体管的栅端电连接构成所述一次性可编程存储器的第一端口，所述电熔丝结构的另一端与所述反熔丝晶体管的源端电连接并连接至所述字选择晶体管的漏端，所述字选择晶体管的栅端和源端分别构成所述一次性可编程存储器的第二端口和第三端口。


2.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述电熔丝结构的熔断电流所对应的编程电压小于所述反熔丝晶体管的栅端和源端之间的熔合电压。


3.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，响应于所述一次性可编程存储器处于编程状态，所述第一端口外接编程电压以改变所述一次性可编程存储器的电阻值；以及
响应于所述一次性可编程存储器处于读状态，所述第一端口接地。


4.如权利要求3所述的一次性可编程存储器，其特征在于，响应于所述一次性可编程存储器处于第一次可编程状态，所述第一端口外接第一编程电压，所述第一编程电压使所述电熔丝结构熔断以改变所述电熔丝结构的电阻值；以及
响应于所述一次性可编程存储器处于第二次可编程状态，所述第一端口外接大于所述第一编程电压的第二编程电压，所述第二编程电压使所述反熔丝晶体管发生熔合以改变所述反熔丝晶体管的电阻值。


5.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，响应于所述一次性可编程存储器处于编程状态或读状态，所述第二端口外接使所述字选择晶体管导通的字线信号。


6.如权利要求1所述的一次性可编程存储器，其特征在于，所述第三端口与灵敏放大器模块以及位选择晶体管的漏端相连；
响应于所述一次性可编程存储器处于编程状态，所述位选择晶体管的栅端外接使所述位选择晶体管导通的位线控制信号，所述位选择晶体管的源端接地；以及
响应于所述一次性可编程存储器处于读状态，所述位选择晶体管的栅端外接使所述位选择晶体管关闭的位线控制信号，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏颖，金建明，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31