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本发明提供了一种OTP存储单元，该OTP存储单元包括：衬底；形成在所述衬底上的一个选择MOS晶体管，该选择MOS晶体管包括依次形成在所述衬底之上的第一栅氧化层和第一栅极，还包括在所述第一栅极两侧的所述衬底中分别形成的第一源区和第一漏区；形成...
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