负电压检测器制造技术

一种负电压检测器包含一栅极与漏极耦接的第一ｎ型通道晶体管、一栅极耦接于所述第一ｎ型通道晶体管的栅极的第二ｎ型通道晶体管、一耦接于所述第一ｎ型通道晶体管的漏极的第一电流源、一耦接于所述第二ｎ型通道晶体管的漏极的第二电流源、一耦接于所述第二ｎ型通道晶体管的漏极的输出端以及一耦接于所述第一ｎ型通道晶体管的源极的输入端。所述第一ｎ型通道晶体管的栅极电压（即所述第二ｎ型通道晶体管的栅极电压）取决于其源极电压（即输入端的电压），因此可通过控制所述输入端的电压而开关所述第二ｎ型通道晶体管，改变所述输出端的输出电压。

【技术实现步骤摘要】
负电压检测器&术领&本专利技术涉及一种负电压检测器，尤其涉及一种采用源随器(sourcefollower)结构的负 电压检测器。背景抹水图l及图2例示一常规的负电压检测器10及其输入/输出电压变化图，所述负电压检测 器10包含-比较器12及--分压电路14。所述分压电路14包含两个电阻(R,、 R2),其输出 电压(Vs)与所述待测电压(VN)的关系为Vs-(V,-Vw).R2/(R，+R;()。所述比较器12的输出端耦接于两个串联的反相器16、 18,正输入端耦接于一参考电压(V肪F),而负输入端 则耦接于所述分压电路14的输出端。当所述参考电压(VRBF)低于所述分压电路14的输出电压(Vs)时，所述比较器12的输 出电压为低电平。随着所述待测电压(VN)变成更负电压至一预定负电压(Vx)，所述分压 电路14的输出电压(Vs)将小于所述参考电压(VREF)，导致所述比较器12的输出电压由低 电平变成高电平。简要而言，所述负电压检测器10是通过所述比较器12检测小于所述参 考电压(V腿F)的输出电压(Vs)，而所述输出电压(Vs)则取决于所述分压电路14的V,、 R,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种负电压检测器，其特征在于包含：一第一ｎ型通道晶体管，其栅极耦接于漏极；一第二ｎ型通道晶体管，其栅极耦接于所述第一ｎ型通道晶体管的栅极；一第一电流源，耦接于所述第一ｎ型通道晶体管的漏极；一第二电流源，耦接于 所述第二ｎ型通道晶体管的漏极；一输出端，耦接于所述第二ｎ型通道晶体管的漏极；以及一输入端，耦接于所述第一ｎ型通道晶体管的源极，其控制所述第二ｎ型通道晶体管的开关而改变所述输出端的输出电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄照兴，许智旗，叶俊良，
申请(专利权)人：台湾类比科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]