【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及半导体制造工艺。更具体地,本专利技术涉及晶粒的探测和 测试。
技术介绍
在过去的几十年中,基于半导体技术的电子器件已成为现代生活必须和 主要的组分。包括数百万个组件的半导体芯片被嵌入到许多电子设备或机器 中,且这些基于半导体的电子设备在我们生活的许多领域中都随处可见,这 些领域包括娱乐、医疗、制造以及运输。由于这些电子设备变得更加普及,因此对半导体芯片的要求越来越严格和全面。例如,许多集成电路(IC)芯片为了不同的目的和功能被用于现代车辆(例如,客车),这些集成电路芯片中的一部分对车辆的运行是至关重 要的。这些芯片中的许多是通过相同的方式或相同的工艺制造出来的,但却 要在许多不同的环境中执行操作,且这些环境有时会变化,例如温度的变化范围为-50。C—200°C或有时会更高。这些对电子设备的要求反过来会对半 导体制造工艺提出额外的要求。其中,IC芯片需要在这些不同的操作环境中 被测试。例如,在制造工艺中,在许多不同的温度下对这些芯片进行测试对 制造商来说并不稀奇,这种测试通常在封装前进行。IC芯片通常被制造在例如硅晶片的半导体基片上。一般为圆形的 ...
【技术保护点】
一种用于在条件充分变化后在探测器中相对于多个电触点中的至少一个电触点来动态定位多个接触电极中的至少一个接触电极的方法,该方法包括: 预测所述多个接触电极中的至少一个接触电极关于所述多个电触点中的至少一个电触点的位置的相对位置,该相对位置作为时间的函数;以及 基于所述预测而使所述至少一个接触电极与所述至少一个电触点中的一者相对于彼此移动。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:RJ卡斯勒,杜峰烈,SC富勒顿,
申请(专利权)人:伊智科技公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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