测试装置和插脚电子卡制造方法及图纸

提供一种测试装置，该装置包括：将测试信号输出给被测试器件的激励器；将激励器与被测试器件电连接的第一传送路径；设置在第一传送路径中，切换是否连接激励器和被测试器件的第一ＦＥＴ开关；比较被测试器件的输出信号的电压和预先设定的参考电压的比较器；在第一传送路径中，从第一ＦＥＴ开关和被测试器件之间分路出的、连接第一传送路径和比较器的第二传送路径；设置在第二传送路径中的、切换是否连接比较器和被测试器件的第二ＦＥＴ开关；检测输出信号、根据检测的输出信号对第一ＦＥＴ开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及测试装置和插脚电子卡。本专利技术特别涉及对半导体电路等 被测试器件进行测试的测试装置以及在测试装置中使用的插脚电子卡。本 申请与下述日本专利申请相关联。在参照文献确认进入的指定国中，根据 参照将记载在下述申请中的内容包括在本申请中，成为本申请的一部分。申请号特愿2005-363384，申请日2005年12月16日。技术背景作为对半导体电路等被测试器件进行测试的测试装置，已知的有包括 与被测试器件进行信号转接的插脚电子卡的装置。插脚电子卡被设置在测 试装置的本体部与被测试器件之间，将由测试装置施加的测试信号输入到 被测试器件中，接收被测试器件的输出信号。图4是表示现有的插脚电子卡300的结构例示图。插脚电子卡300包 括激励器302、比较器304、 FET开关312、传送路径314和参考电压输入 部316。激励器302从测试装置的本体部接收测试信号，输入到被测试器件 DUT中。通过FET开关312和传送路径314连接激励器302和被测试器件 DUT。激励器302具有电平切换开关306、启动开关308和输出电阻310。比较器304接收被测试器件DUT的输出信号，比较该输出信号的信号 电平和施加的参考电压。通过FET开关312和传送路径314连接比较器304 和被测试器件DUT。而且，参考电压输入部316生成预先设定的参考电压， 输入到比较器304中。FET开关312是根据施加的栅极电压成为接通状态或者断开状态的开 关，切换是否将激励器302和比较器304与被测试器件DUT连接。通过这 样的结构，在测试装置的本体部与被测试器件DUT之间进行信号的转接。 因为现在没有确认相关的专利文献等，所以省略其记载。专利技术的内容在接通状态时，FET开关312用串联设置在激励器302与被测试器件 DUT之间的电阻、和设置在该电阻的两端与接地电位之间的电容成分的等 效电路表示。在该等效电路中RC积为一定，不能同时实现低电阻和低电容。其中，在降低FET开关312的接通电阻时，FET开关312接通时的电 容变大。在该情形下，FET开关312不能使高频信号通过。因此，难以采 用高频信号进行测试。因此，为了采用高频信号进行测试，考虑使FET开关312的接通电阻 变大。但是，比较器304通过FET开关312与被测试器件DUT连接。因 此，在激励启动时比较器304中的电压比较受到FET开关312的接通电阻 的影响。例如，输入到比较器304的输出信号的信号电平被输出电阻310和FET 开关312的接通电阻所分压。在FET开关312的接通电阻加大的情形下， 该接通电阻的偏差也变大，从而使比较器304的电压比较精度变差。而且，FET开关312的接通电阻随温度、源极 栅极电压、背栅电压 等变化。该变化随着FET开关312的接通电阻的增大而加剧。因此，比较 器304的电压比较精度进一步变差了 。因此，本专利技术一个方面的目的是提供一种能够解决上述问题的测试装 置和插脚电子卡。通过请求范围的独立权利要求所述的特征的组合来实现 该目的。而且从属权利要求规定了本专利技术更有利的具体实例。解决问题的手段为了解决上述问题，在本专利技术的第一方式中，提供一种对被测试器件 进行测试的测试装置，该测试装置包括将测试信号输出到被测试器件中的激励器；电连接激励器和被测试器件的第一传送路径；设置在第一传送 路径中的、切换是否连接激励器和被测试器件的第一 FET开关；比较被测 试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较器；在第一传送路径 中，从第一 FET开关和被测试器件之间分路，连接第一传送路径和比较器 的第二传送路径；设置在第二传送路径中的、切换是否连接比较器和被测 试器件的第二 FET开关;检测输出信号，根据检测的输出信号，对第一 FET 开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。电容补偿部具有在第二 FET开关和比较器之间的第二传送路径中检 测输出信号的检测部；和将根据检测部检测的输出信号产生的电流施加到 激励器和第一 FET开关之间的第一传送路径上的电流施加部。激励器、比较器、第一 FET开关和第二 FET开关可以设置在同一个 基板上。电流施加部可以与输出信号的上升边界相对应生成给第一 FET开 关的电容成分进行充电的电流，与输出信号的下降边界相对应生成给第一 FET开关的电容成分进行放电的电流。检测部可以具有生成输出信号的微分波形的微分电路，电流施加部可 以具有电压电流转换电路，其生成与微分波形相对应的电流。测试装置还 包括设置在第二 FET开关和比较器之间的第二传送路径中的缓冲放大器， 检测部可以在缓冲放大器和比较器之间的第二传送路径中检测输出信号。 第二 FET开关的接通电阻可以比第一 FET开关的接通电阻大。在本专利技术的第二方式中，提供一种对被测试器件进行测试的测试装置， 包括将测试信号输出到被测试器件中的激励器；电连接激励器和被测试 器件的第一传送路径；设置在第一传送路径中的、切换是否连接激励器和被测试器件的第一 FET开关；比较被测试器件的输出信号电压和预先设定 的参考电压的比较器；在第一传送路径中，从第一 FET开关和被测试器件 之间分路，连接第一传送路径和比较器的第二传送路径；设置在第二传送 路径中的、切换是否连接比较器和被测试器件的第二 FET开关；检测测试 信号，根据检测的测试信号，对第二 FET开关的电容成分进行充放电的电 容补偿部。在本专利技术的第3方式中，提供一种在对被测试器件进行测试的测试装 置中，与所述被测试器件进行信号收发的插脚电子卡，包括将测试信号 输出到被测试器件中的激励器；电连接激励器和被测试器件的第一传送路 径；设置在第一传送路径中的、切换是否连接激励器和被测试器件的第一 FET开关；比较被测试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较 器；在第一传送路径中，从第一 FET开关和被测试器件之间分路，连接第 一传送路径和比较器的第二传送路径；设置在第二传送路径中的、切换是 否连接比较器和被测试器件的第二 FET开关；检测输出信号，根据检测的 输出信号，对第一 FET开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。在本专利技术的第4方式中，提供一种在对被测试器件进行测试的测试装 置中，与所述被测试器件进行信号收发的插脚电子卡，包括将测试信号 输出到被测试器件中的激励器；电连接激励器和被测试器件的第一传送路 径；设置在第一传送路径中的、切换是否连接激励器和被测试器件的第一 FET开关；比较被测试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较 器；在第一传送路径中，从第一 FET开关和被测试器件之间分路，连接第 一传送路径和比较器的第二传送路径；设置在第二传送路径中的、切换是 否连接比较器和被测试器件的第二 FET开关；检测输出信号，根据检测的 输出信号，对第一 FET开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。此外，上述专利技术的概要没有列举本专利技术的全部必要特征，这些特征群的组合也可构成专利技术。 附图说明图1是表示基于本专利技术的实施方式的测试装置100的结构示意图。 图2是表示插脚电子卡20的结构示意图。图3是表示第一 FET开关38处于接通状态时的等效电路的示意图。图4是表示现有的插脚电子卡300的结构示意图。标记说明10模式生成部、12判定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试装置，用于测试被测试器件，其特征在于包括：　将测试信号输出到所述被测试器件中的激励器；　电连接所述激励器和所述被测试器件的第一传送路径；　设置在所述第一传送路径中的、切换是否连接所述激励器和所述被测试器件的第一ＦＥＴ开关；　比较所述被测试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较器；　在所述第一传送路径中，从所述第一ＦＥＴ开关和所述被测试器件之间分路，连接所述第一传送路径和所述比较器的第二传送路径；　设置在所述第二传送路径中的、切换是否连接所述比较器和所述被测试器件的第二ＦＥＴ开关；　检测所述输出信号，根据检测的所述输出信号，对所述第一ＦＥＴ开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本直木，关野隆，
申请(专利权)人：爱德万测试株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]