【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及测试装置和插脚电子卡。本专利技术特别涉及对半导体电路等 被测试器件进行测试的测试装置以及在测试装置中使用的插脚电子卡。本 申请与下述日本专利申请相关联。在参照文献确认进入的指定国中,根据 参照将记载在下述申请中的内容包括在本申请中,成为本申请的一部分。申请号特愿2005-363384,申请日2005年12月16日。技术背景作为对半导体电路等被测试器件进行测试的测试装置,已知的有包括 与被测试器件进行信号转接的插脚电子卡的装置。插脚电子卡被设置在测 试装置的本体部与被测试器件之间,将由测试装置施加的测试信号输入到 被测试器件中,接收被测试器件的输出信号。图4是表示现有的插脚电子卡300的结构例示图。插脚电子卡300包 括激励器302、比较器304、 FET开关312、传送路径314和参考电压输入 部316。激励器302从测试装置的本体部接收测试信号,输入到被测试器件 DUT中。通过FET开关312和传送路径314连接激励器302和被测试器件 DUT。激励器302具有电平切换开关306、启动开关308和输出电阻310。比较器304接收被测试器件DU ...
【技术保护点】
一种测试装置,用于测试被测试器件,其特征在于包括: 将测试信号输出到所述被测试器件中的激励器; 电连接所述激励器和所述被测试器件的第一传送路径; 设置在所述第一传送路径中的、切换是否连接所述激励器和所述被测试器件的第一FET开关; 比较所述被测试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较器; 在所述第一传送路径中,从所述第一FET开关和所述被测试器件之间分路,连接所述第一传送路径和所述比较器的第二传送路径; 设置在所述第二传送路径中的、切换是否连接所述比较器和所述被测试器件的第二FET开关; 检测所述输出信号,根据检测的所述输出信号,对所述第一FET开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:松本直木,关野隆,
申请(专利权)人:爱德万测试株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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