磁控溅射镀膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种磁控溅射镀膜装置，所述镀膜装置包括镀膜腔室、镀膜辊及多个旋转阴极，所述镀膜腔室包括多个子镀膜腔室，多个所述子镀膜腔室围绕所述镀膜辊周缘设置，每一所述子镀膜腔室内至少有一个所述旋转阴极。所述旋转阴极包括圆柱状的本体，装于所述本体外周面的靶材及装于所述本体内部的磁体，所述磁体包括第一磁体及对称设置于所述第一磁体两侧的两个第二磁体。所述第一磁体与所述第二磁体在所述靶材表面形成磁场，在所述横截面上，所述磁场包括第一磁场最大点和第二磁场最大点，所述第一磁场最大点或所述第二磁场最大点与所述交点的连线与所述中心线的夹角为溅射角，所述溅射角为12°～22°。本申请避免了溅射角过大影响导电薄膜的性能。

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射镀膜装置
本专利技术涉及真空镀膜设备领域，尤其是涉及一种磁控溅射镀膜装置。
技术介绍
现有技术通常采用旋转阴极搭配圆柱靶材的方式制作透明导电薄膜，圆柱靶材在被溅射时，其产生的等离子于靶材表面形成夹角，即溅射角，当溅射角越大时，两等离子体之间存在部分低密度和强度的等离子体比例越高，对成膜后的铟锡氧化物层的透明导电薄膜的电阻率、结晶性和均匀性都有较差的影响，尤其是对对靶(即每个镀膜腔室安装有2个旋转阴极时)的影响更大。
技术实现思路
本专利技术提供一种磁控溅射镀膜装置，避免了溅射角过大对透明导电薄膜的电阻率、结晶性和均匀性的影响。本专利技术提供了一种磁控溅射镀膜装置，所述镀膜装置包括镀膜腔室、设于所述镀膜腔室的镀膜辊及多个旋转阴极，所述镀膜腔室包括多个子镀膜腔室，多个所述子镀膜腔室围绕所述镀膜辊周缘设置，每一所述子镀膜腔室内至少有一个所述旋转阴极；所述旋转阴极包括圆柱状的本体，装于所述本体外周面的靶材及装于所述本体内部的磁体，所述磁体包括第一磁体及对称设置于所述第一磁体两侧的两个第二磁体。所述旋转阴极的横本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置包括镀膜腔室、设于所述镀膜腔室的镀膜辊及多个旋转阴极，所述镀膜腔室包括多个子镀膜腔室，多个所述子镀膜腔室围绕所述镀膜辊周缘设置，每一所述子镀膜腔室内至少有一个所述旋转阴极；/n所述旋转阴极包括圆柱状的本体，装于所述本体外周面的靶材及装于所述本体内部的磁体，所述磁体包括第一磁体及对称设置于所述第一磁体两侧的两个第二磁体；所述旋转阴极的横截面上的所述第一磁体包括与所述横截面平行的中心线，所述中心线与所述旋转阴极的轴线相交，并形成交点；在所述横截面上，所述本体的外周面上与所述镀膜辊距离最近的点和所述交点的连线与所述中心线重合；/n所述第一磁体邻近于所...

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置包括镀膜腔室、设于所述镀膜腔室的镀膜辊及多个旋转阴极，所述镀膜腔室包括多个子镀膜腔室，多个所述子镀膜腔室围绕所述镀膜辊周缘设置，每一所述子镀膜腔室内至少有一个所述旋转阴极；
所述旋转阴极包括圆柱状的本体，装于所述本体外周面的靶材及装于所述本体内部的磁体，所述磁体包括第一磁体及对称设置于所述第一磁体两侧的两个第二磁体；所述旋转阴极的横截面上的所述第一磁体包括与所述横截面平行的中心线，所述中心线与所述旋转阴极的轴线相交，并形成交点；在所述横截面上，所述本体的外周面上与所述镀膜辊距离最近的点和所述交点的连线与所述中心线重合；
所述第一磁体邻近于所述本体外周面的磁极与所述第二磁体邻近于所述本体外周面的磁极相异，从而所述第一磁体与所述第二磁体在所述靶材表面形成磁场，在所述横截面上，所述磁场包括第一磁场最大点和第二磁场最大点，所述第一磁场最大点和所述第二磁场最大点分别位于所述中心线的两侧；所述第一磁场最大点或所述第二磁场最大点与所述交点的连线与所述中心线的夹角为溅射角，所述溅射角为12°～22°。


2.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述第一磁场最大点和所述第二磁场最大点的磁场强度相同，所述磁场强度为750Gs～2100Gs。


3.如权利要求2所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，每一个所述子镀膜腔室设有一个与所述镀膜辊相对设置的所述旋转阴极，所述第一磁场最大点和第二磁场最大点的连线为第一连线，在所述横截上，所述镀膜辊的圆心和所述交点的连线为第二连线，所述第一连线与所述第二连线相交且夹角为90°。


4.如权利要求2所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，每一个所述子镀膜腔室设有两个与所述镀膜辊相对设置的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王培红，李晨光，胡国栋，
申请(专利权)人：南昌欧菲显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36