导电薄膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种导电薄膜，所述导电薄膜包括：薄膜基体和两层外覆层，两层所述外覆层分别叠置于所述薄膜基体的两侧，且所述外覆层包括朝远离所述薄膜基体的方向依次叠置的低折射树脂硬化层、高折射树脂层、SiO2层、透明导电层，所述高折射树脂层构造为厚度为h1且折射率为n1；其中，满足：30nm≤h1≤200nm，1.6≤n1≤1.8。本实用新型专利技术的导电薄膜，通过重新设计多层膜系结构，且调整膜系的厚度以及折射率，有效地解决了导电薄膜材料发蓝的问题，提升了导电薄膜的光学性能，利于提升用户的使用舒适性。舒适性。舒适性。

【技术实现步骤摘要】
导电薄膜


[0001]本技术涉及触摸面板
，尤其是涉及一种导电薄膜。

技术介绍

[0002]目前市面上透明PET导电薄膜已广泛应用于触摸面板等领域，主流的材料结构设计主要由透明高分子基体、树脂硬化层、折射率匹配层、辅助力改善层以及透明导电层组成。但如果想实现单层透明高分子基体，双面导电薄膜的新设计，使用现有设计会出现材料发蓝的情况，存在改进的空间。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种导电薄膜，所述导电薄膜的设计能够有效地解决材料发蓝可见的问题。
[0004]根据本技术实施例的导电薄膜，包括：薄膜基体和两层外覆层，两层所述外覆层分别叠置于所述薄膜基体的两侧，且所述外覆层包括朝远离所述薄膜基体的方向依次叠置的低折射树脂硬化层、高折射树脂层、SiO2层、透明导电层，所述高折射树脂层构造为厚度为h1且折射率为n1；其中，满足：30nm≤h1≤200nm，1.6≤n1≤1.8。
[0005]根据本技术实施例的导电薄膜，通过重新设计多层膜系结构，且调整膜系的厚度以及折射率，有效地解决了导电薄膜材料发蓝的问题，提升了导电薄膜的光学性能，利于提升用户的使用舒适性。
[0006]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，满足：70nm≤h1≤100nm，1.62≤n1≤1.65。
[0007]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述高折射树脂层含有粘结剂树脂和球状的添加颗粒，所述添加颗粒的径向尺寸为d且所述添加颗粒在所述高折射树脂层内的含量为a，满足：0.1μm≤d≤1.5μm，0.5wt％≤a≤5.0w％。
[0008]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，满足：0.8μm≤d≤1μm。
[0009]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述添加颗粒的材料包括SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、ZnO、Ca3(PO4)2中的至少一种。
[0010]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述低折射树脂硬化层构造为厚度为h2且折射率为n2，满足：0.05μm≤h2≤2μm，0＜n2≤1.6。
[0011]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，满足：0.8μm≤h2≤1.2μm，1.53＜n2≤1.57。
[0012]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述薄膜基体的材料包括聚环烯烃PET，且所述薄膜基体的折射率为n3，满足：0＜n3≤1.6。
[0013]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，满足：1.55≤n3≤1.58。
[0014]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述SiO2层的折射率为n4，厚度为h3，满足：0nm＜h3≤35nm，1.4＜n4≤1.6。
[0015]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述透明导电层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或者氧化铟
‑
氧化铟锌复合氧化物中的任一种。
[0016]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述透明导电层的厚度为h4，满足：10nm＜h4≤100nm。
[0017]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述外覆层还包括金属层，所述金属层叠置于所述透明导电层背离所述薄膜基体的一侧。
[0018]根据本技术实施例的导电薄膜，其特征在于，所述金属层的厚度为h5，满足：20nm＜h5≤500nm。
[0019]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0020]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0021]图1是本技术一个实施例的导电薄膜的结构示意图；
[0022]图2是本技术另一个实施例的导电薄膜的结构示意图(具有金属层)。
[0023]附图标记：
[0024]导电薄膜100，
[0025]薄膜基体1，低折射树脂硬化层2，高折射树脂层3，SiO2层4，透明导电层5，金属层6。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0027]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0028]在本技术的描述中，“至少一个”的含义是一个或一个以上。
[0029]下面参考图1
‑
图2描述本技术实施例的导电薄膜100，且本技术中的导电薄膜100适用于智能手机、平板电脑、手表以及其他人机交互界面系统的触控面板，也可应用于其他电子领域中。
[0030]如图1和图2所示，根据本技术实施例的导电薄膜100，包括：薄膜基体1和两层外覆层。
[0031]其中，两层外覆层分别叠置于薄膜基体1的两侧，如图1和图2所示，两层外覆层分别位于薄膜基体1的上侧和下侧，以分别在薄膜基体1的上下两侧起到透光折射的作用。
[0032]外覆层包括朝远离薄膜基体1的方向依次叠置的低折射树脂硬化层2、高折射树脂层3、SiO2层4、透明导电层5。如图1和图2所示，在薄膜基体1的上侧包括从下向上依次叠置的低折射树脂硬化层2、高折射树脂层3、SiO2层4、透明导电层5，且在薄膜基体1的下侧包括从上向下依次叠置的低折射树脂硬化层2、高折射树脂层3、SiO2层4、透明导电层5，即本技术中的导电薄膜100为双面导电薄膜100的设计结构，以使导电薄膜100具有使光线实现双层折射的作用。
[0033]其中，高折射树脂层3构造为厚度为h1且折射率为n1；其中，满足：30nm≤h1≤200nm，1.6≤n1≤1.8。如h1＝50nm，n1＝1.63，或者h1＝90nm，n1＝1.71，再或者h1＝160nm，n1＝1.79。
[0034]当高折射树脂层3的厚度和折射率从上述的范围内进行选取时，可使得高折射树脂层3与低折射树脂硬化层2及其他透光层进行光学折射配合后，能够有效地降低导电薄膜100的蓝光效果，进而经过整个导电薄膜100透光后，可使得导电薄膜100上的蓝光不可见，从而提升导电薄膜100的光学性能，以在导电薄膜100适用于触控模板的显示设备时，能够为用户提供舒适的使用体验。且高折射树脂层3的厚度设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜(100)，其特征在于，包括：薄膜基体(1)和两层外覆层，两层所述外覆层分别叠置于所述薄膜基体(1)的两侧，且所述外覆层包括朝远离所述薄膜基体(1)的方向依次叠置的低折射树脂硬化层(2)、高折射树脂层(3)、SiO2层(4)、透明导电层(5)，所述高折射树脂层(3)构造为厚度为h1且折射率为n1；其中，满足：30nm≤h1≤200nm，1.6≤n1≤1.8。2.根据权利要求1所述的导电薄膜(100)，其特征在于，满足：70nm≤h1≤100nm，1.62≤n1≤1.65。3.根据权利要求1
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2任一项所述的导电薄膜(100)，其特征在于，所述低折射树脂硬化层(2)构造为厚度为h2且折射率为n2，满足：0.05μm≤h2≤2μm，0＜n2≤1.6。4.根据权利要求3所述的导电薄膜(100)，其特征在于，满足：0.8μm≤h2≤1.2μm，1.53＜n2≤1.57。5.根据权利要求1
‑
2任一项所述的导电薄膜(100)...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢峰，
申请(专利权)人：南昌欧菲显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：