一种MOCVD装置及半导体材料生产设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种MOCVD装置，包括进样室、传输系统、MOCVD反应室、保护密封管及后处理室；所述进样室用于接收待处理样品；所述MOCVD反应室包括喷淋头及样品台，进行气相沉淀处理的药品从所述喷淋头喷出，达到放置于所述样品台表面的所述待处理样品的表面进行反应，得到预成品；所述传输系统用于将所述待处理样品从所述进样室输送至所述MOCVD反应室，并将所述预成品从所述MOCVD反应室输送至所述进样室，再通过所述保护密封管输送至所述后处理室；所述保护密封管为保护性气体氛围的管道。本发明专利技术的半导体材料不会与大气中的成分进行反应，提升了成品的质量。本发明专利技术同时还提供了一种具有上述优点的半导体材料生产设备。

【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD装置及半导体材料生产设备
本专利技术涉及金属化学气相沉积领域，特别是涉及一种MOCVD装置及半导体材料生产设备。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备化合物单晶薄膜的一项新型气相外延生长技术，在上世纪80年代初得以实用化。经过几十年的飞速发展，目前MOCVD已成为半导体化合物材料制备的关键技术之一，广泛应用于半导体光电子和微电子器件的制备。然而，仅仅通过MOCVD完成半导体材料的气相沉积，还不能够直接投入使用，生长好的半导体材料，常常需要经历后续的镀膜、光刻、切割、引线键合、封装等工艺才能最终得到相应的电子器件。而材料一旦从MOCVD装置的生长腔中取出后，就不可避免的要暴露在大气之中，这对部分半导体材料而言存在巨大隐患，会导致半导体材料性能下降，以ZnO基材料举例，对于ZnO基材料等宽禁带氧化物材料而言，由于表面有大量的与氧相关的缺陷，使其极度容易受到大气中氧气和水汽的影响，从而降低的性能，这也是一个需要解决的问题。因此，如何避免半导体材料在完成金属有机化学气相沉积与后续加工之间受到大气环境影响，是本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOCVD装置，其特征在于，包括进样室、传输系统、MOCVD反应室、保护密封管及后处理室；/n所述进样室用于接收待处理样品；/n所述MOCVD反应室包括喷淋头及样品台，进行气相沉淀处理的药品从所述喷淋头喷出，达到放置于所述样品台表面的所述待处理样品的表面进行反应，得到预成品；/n所述传输系统用于将所述待处理样品从所述进样室输送至所述MOCVD反应室，并将所述预成品从所述MOCVD反应室输送至所述进样室，再通过所述保护密封管输送至所述后处理室；/n所述保护密封管为保护性气体氛围的管道；/n所述后处理室用于对所述预成品进行后续处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD装置，其特征在于，包括进样室、传输系统、MOCVD反应室、保护密封管及后处理室；
所述进样室用于接收待处理样品；
所述MOCVD反应室包括喷淋头及样品台，进行气相沉淀处理的药品从所述喷淋头喷出，达到放置于所述样品台表面的所述待处理样品的表面进行反应，得到预成品；
所述传输系统用于将所述待处理样品从所述进样室输送至所述MOCVD反应室，并将所述预成品从所述MOCVD反应室输送至所述进样室，再通过所述保护密封管输送至所述后处理室；
所述保护密封管为保护性气体氛围的管道；
所述后处理室用于对所述预成品进行后续处理。


2.如权利要求1所述的MOCVD装置，其特征在于，所述保护性气体氛围为惰性气体氛围或真空氛围。


3.如权利要求1所述的MOCVD装置，其特征在于，所述后处理室为镀膜室或键合室或光刻室中任一个。


4...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘可为，陈星，申德振，杨佳霖，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22