【技术实现步骤摘要】
一种抓片装置
本技术涉及送/取料
,尤其涉及用于一种半导体材料或光伏材料加工的吸盘。
技术介绍
半导体或光伏材料广泛应用于电子、新能源等行业,半导体和光伏材料通常都需要经过加工处理才能够应用到产品上,CVD技术、扩散工艺或氧化工艺是其中的一种处理方式,其中CVD即化学气相沉积,CVD技术目前已经广泛用于半导体或光伏材料加工,常见的加工设备有PECVD、LPCVD、APCVD等,除了CVD之外还有扩散工艺包括磷扩散、硼扩散等,目前行业虽然已经有不少相关设备,但是某一些技术问题仍未得到解决,比如如何实现半导体和光伏片状原料的快速取/送料,片状的半导体和光伏材料轻薄易碎,人工取/送料极易损毁;半导体和光伏片状原料难以进行大量取/送料,导致加工过程中取/送料阶段花费大量时间;此外,半导体和光伏中的部分加工工艺需要在高温条件下进行,比如材料的镀膜、扩散、氧化、LPCVD等管式炉上下料,例如超薄硅片,它需要在低压高温氛围下实现化学反应和沉积成膜,而现实生活中应用较多的:普通片状材料的送/取料,它采用的是吸盘式送/取料机构,很显然, ...
【技术保护点】
1.一种抓片装置,其特征在于,包括壳体和吸盘主体,壳体内安装有至少一片吸盘主体,其中,吸盘主体采用耐高温材料制成,吸盘主体包括安装部位和吸附部位,安装部位连接壳体,吸附部位用于吸附片状原料。/n
【技术特征摘要】
1.一种抓片装置,其特征在于,包括壳体和吸盘主体,壳体内安装有至少一片吸盘主体,其中,吸盘主体采用耐高温材料制成,吸盘主体包括安装部位和吸附部位,安装部位连接壳体,吸附部位用于吸附片状原料。
2.根据权利要求1所述的一种抓片装置,其特征在于,壳体内设有气腔,气腔内设有安装单元,安装单元连接安装部位。
3.根据权利要求2所述的一种抓片装置,其特征在于,壳体上设有负压装置,负压装置能够减小气腔内的气压。
4.根据权利要求1所述的一种抓片装置,其特征在于,吸附部位上设有气槽,气槽能呈环形、方形、椭圆形、螺旋形,且当气槽数量大于等于两个时,气槽呈同心分布。
5.根据权利要求2或4所述的一种抓片装置,其特征在于,气槽与气腔连通。
6.根据权利要求1所述的一种抓片装置,其特征在于,安装部位的厚度比吸附部位的厚度大,安装部位与吸附部位连接在一起,呈阶梯状设置,它们之间的厚度差能够用于容纳片状原料。
7.根据权利要求1所述的一种抓片装置,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:林佳继,庞爱锁,刘群,朱太荣,林依婷,
申请(专利权)人:深圳市拉普拉斯能源技术有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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