【技术实现步骤摘要】
本技术用于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)结构材料多晶硅疲劳特性的研究,属于微纳米技术基础研究领域。
技术介绍
研究发现,在宏观状态下属于脆性材料的硅在微纳米尺度下会产生疲劳特性,对于发生这种变化的机理目前还不太明确。了解这种机理并测量硅在微米尺度下的疲劳特性参数对于MEMS可靠性设计及寿命预测有着重要的意义。传统宏观尺度下的疲劳试验一般由专用的材料疲劳试验机进行,主要有液压、电磁等驱动方式,标准试样用卡头装夹于其中。但这种方法并不适用于MEMS疲劳特性的研究,首先,液压、电磁力的驱动方式在微米级尺寸状态下不适用,其次,微米尺寸试样的夹持与对中操作起来极其困难,甚至不可能完成。高频反复弯曲是微机械构件常见的一种工作载荷,有必要设计一种用于微构件疲劳特性研究的弯曲疲劳试验装置,而且这种装置能够由现有的MEMS加工方法加工出来。
技术实现思路
本技术的目的在于通过提供一种基于静电力驱动的微结构谐振双侧弯曲疲劳试验装置,以用于MEMS硅微构件弯曲疲劳特性的研究。该装置可由MEMS两层多晶硅表面牺牲层标准工艺加工出来。本 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:丁雷,尚德广,贾冠华,孙国芹,李浩群,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:实用新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。